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场发射 效应

本专题涉及场发射 效应的标准有500条。

国际标准分类中，场发射 效应涉及到半导体分立器件、辐射测量、集成电路、微电子学、阀门、声学和声学测量、航空航天发动机和推进系统、地质学、气象学、水文学、音频、视频和视听工程、医学科学和保健装置综合、公司(企业)的组织和管理、分析化学、电车、机上设备和仪器、服务、环境保护、电子设备用机械构件、医疗设备、航天系统和操作装置、电子元器件综合、航空航天用电气设备和系统、软件开发和系统文件、电气工程综合、无线通信、太阳能工程、词汇、绝缘材料、事故和灾害控制、光纤通信、珠宝、有色金属、辐射防护、航空器和航天器综合、电磁兼容性(EMC)、捕捞和水产养殖、风力发电系统和其他能源、建筑物中的设施、无损检测、振动和冲击(与人有关的)、试验条件和规程综合、道路车辆综合、家用、商用和工业用加热器具、半导体材料、输电网和配电网、核能工程、水质、农业和林业、采矿和挖掘。

在中国标准分类中，场发射 效应涉及到发射、发控设备、场效应器件、通用电子测量仪器设备及系统、工农业用加速器、气象学、微电路综合、航天器总体、阀门、发动机辅助系统及其附件、半导体二极管、电力半导体器件、部件、半导体三极管、广播、电影、电视工程、医学、商业、贸易、合同、、航空、航天材料基础标准、基础标准与通用方法、半导体分立器件综合、半导体集成电路、电子元器件、计量综合、物理学与力学、卫生、安全、劳动保护、复合材料与固体燃料、电气系统与设备、技术管理、广播、电视发送与接收设备、电感器、变压器、移动通信设备、太阳能、其他石油产品、航天器综合、电工绝缘材料及其制品、数据通信设备、光通信设备、土壤、肥料综合、基础标准和通用方法、航天地面设备综合、风能、计算机图形、化学试剂综合、噪声、振动测试方法、电子元件综合、医用光学仪器设备与内窥镜、发动机总体、核仪器与核探测器综合、金属无损检验方法、标准化、质量管理、电力系统、核辐射事故应急与处理、声学计量、勘探采矿和工艺监测核仪器。


YU-JUS，关于场发射 效应的标准

  • JUS N.R1.330-1979 双极场效应晶体管．散射参数的定义
  • JUS N.R1.353-1979 半导体装置的字母符号．双极场效应和场效应晶体管
  • JUS N.R1.323-1979 半导体装置的术语及定义．双极场效应及场效应晶体管
  • JUS N.R1.451-1982 场效应晶体管．测量方法的一般原则
  • JUS N.N6.363-1978 无线电通讯．发射机．电视用发射机和换位器的测量．瞬间响应
  • JUS N.R1.391-1979 双极场效应晶体管．重要额定值和特性．功率管
  • JUS N.N6.222-1985 无线电通讯．移动服务用设备．使用A3E、F3E 或G3E发射的发射机．测量方法．辐射测试场地（30m）
  • JUS N.N6.234-1985 无线电通讯．移动服务用设备．使用R3E、 H3E 或J3E发射的发射机．测量方法．辐射测试场所（30m）
  • JUS N.N6.081-1977 各类发射用无线电接收器．测量方法．调幅声音广播发射用接收器的射频测量．射频感应性
  • JUS N.N6.224-1985 无线电通讯．移动服务用设备．使用A3E、F3E 或G3E发射的发射机．测量方法．用于测量100MHZ以上的辐射测试场地

国家军用标准-总装备部，关于场发射 效应的标准

IET - Institution of Engineering and Technology，关于场发射 效应的标准

美国航空航天学会，关于场发射 效应的标准

美国国防后勤局，关于场发射 效应的标准

  • DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7405,2N7406,2N7407和2N7408,JANSD和JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7488T3,2N7489T3和2N7490T3,JANTXVR和JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/685 D (1)-2009 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道，硅，2N7475T1、2N7476T1 和 2N7477T1 型（总剂量和单事件效应），JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/685 E-2010 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道，硅，2N7475T1、2N7476T1 和 2N7477T1 型（总剂量和单事件效应），JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/685 F-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道，硅，2N7475T1、2N7476T1 和 2N7477T1 型（总剂量和单事件效应），JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 半导体器件.N-通道场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)硅晶体管.型号:2N7485U3,2N7486U3和2N7487U3,JANTXVR和JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/684 D (1)-2009 半导体器件、晶体管、场效应、硅、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应），类型 2N7472U2、2N7473U2 和 2N7474U2，JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/633 C-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道硅，类型 2N7403 和 2N7404，JANSD 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单粒子效应）晶体管，P 沟道硅类型 2N7438 和 2N7439 JANSD 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 半导体器件，场效应抗辐射（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7497T2、2N7498T2 和 2N7499T2，JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/605 C-2008 2N7292,2N7294,2N7296,和2N7298,JANTXVM,D,R,H 和JANSM,D和R型硅N通道耐辐射(仅总计量效应)场效应晶体管半导体装置
  • DLA MIL-PRF-19500/704 B (1)-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7485U3、2N7486U3 和 2N7487U3，JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/752-2010 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、2N7608T2 型、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/704 C-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7485U3、2N7486U3 和 2N7487U3，JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/705 C-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7488T3、2N7489T3 和 2N7490T3，JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/749-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道抗辐射（总剂量和单事件效应）、硅、2N7506U8 和 2N7506U8C 型、JANTXVR、JANTXVF、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA SMD-5962-98636 REV C-2003 微型电路,线型,辐射加固,J型场效应输入运算放大器,单块硅
  • DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 单片硅互补开关场效应晶体管驱动,耐辐射数字线性微电路
  • DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 2N7467U2,JANTXVR,F,G和H 和JANSR,F,G和H型耐辐射N通道场效应晶体管(总剂量和单粒子效应)半导体装置
  • DLA MIL-PRF-19500/747-2008 半导体装置,场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应)晶体管,N通道,硅,型号2N7504T2,JANTXVR,JANTXVF,JANTXVG,JANTXVH,JANSF,JANSG,JANSR和JANSH
  • DLA MIL-PRF-19500/744-2008 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7616UB、2N7616UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道硅，类型 2N7509、2N7510 和 2N7511，JANTXVD，R 和 JANSD，R
  • DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道硅类型 2N7512、2N7513 和 2N7514 JANTXVD、R 和 JANSD、R
  • DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道硅，类型 2N7509、2N7510 和 2N7511，JANTXVD，R 和 JANSD，R
  • DLA MIL-PRF-19500/745-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7626UB、2N7626UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/745 A-2009 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7626UB、2N7626UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA SMD-5962-00521 REV D-2003 单片硅辐射硬化数字非线性微电路互补开关场效应管驱动器
  • DLA MIL-PRF-19500/633 D-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，P 沟道硅，类型 2N7403 和 2N7404，JANSD 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/683 C (1)-2009 半导体器件、晶体管、场效应、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）类型 2N7467U2、JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/753-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7580T1、2N7582T1、2N7584T1 和 2N7586T1，JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/755-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7588T3、2N7590T3、2N7592T3 和 2N7594T3，JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/733 B-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道，硅，类型 2N7523T1、2N7523U2、2N7524T1 和 2N7524U2，JANTXVR，F 和 JANSR，F
  • DLA MIL-PRF-19500/713 B-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道，硅，类型 2N7549T1、2N7549U2、2N7550T1 和 2N7550U2，JANTXVR，F 和 JANSR，F
  • DLA MIL-PRF-19500/753 B-2013 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7580T1、2N7582T1、2N7584T1 和 2N7586T1，JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/741 A-2009 半导体器件、场效应、抗辐射（总剂量和单事件效应）晶体管芯片、N 沟道和 P 沟道、硅、各种类型、JANHC 和 JANKC
  • DLA MIL-PRF-19500/757 A-2011 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7624U3 和 2N7625T3、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、场效应、抗辐射（总剂量和单粒子效应）晶体管管芯、N 沟道和 P 沟道、硅、各种类型、JANHC 和 JANKC
  • DLA MIL-PRF-19500/732 A-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道，硅，类型 2N7519U3、2N7519U3C、2N7519T3、2N7520U3、2N7520U3C 和 2N7520T3 , JANTXVR, F 和 JANSR, F
  • DLA MIL-PRF-19500/743-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7503U8 和 2N7503U8C，JANTXVR，F 和 G 以及 JANSR，F 和 G
  • DLA MIL-PRF-19500/746-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7587U3、2N7587U3C、2N7589U3、2N7589U3C、2N7591U3、2N7591U3C， 2N7593U3、2N7593U3C、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/697 C (1)-2009 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7478T1，JANTXVR，F、G 和 H 以及 JANSR，F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/758-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7609U8 和 2N7609U8C，JANTXVR，F 和 G 以及 JANSR，F 和 G
  • DLA MIL-PRF-19500/697 D-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7478T1，JANTXVR，F、G 和 H 以及 JANSR，F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/746 B-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7587U3、2N7587U3C、2N7589U3、2N7589U3C、2N7591U3、2N7591U3C， 2N7593U3、2N7593U3C、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/655 E-2012 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，P 沟道硅，类型 2N7424U、2N7425U 和 2N7426U，JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
  • DLA MIL-PRF-19500/697 E-2013 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7478T1，JANTXVR，F、G 和 H 以及 JANSR，F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/675 E-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道，硅类型 2N7463T2、2N7464T2、2N7463U5 和 2N7464U5 JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/634 D-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道硅，类型 2N7405、2N7406、2N7407 和 2N7408，JANSD 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/739-2006 场效应抗辐射半导体装置(总剂量和单粒子效应),N型通道和P型通道硅四晶体管,类型2N7518和2N7518U,JANTXVR,F和JANSR,F
  • DLA MIL-PRF-19500/743 A-2008 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7503U8 和 2N7503U8C，JANTXVR，F，G 和 H 和 JANSR，F，G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/673 A (1)-2009 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7468U2 和 2N7469U2 JANTXVR，F，G 和 H 和 JANSR，F，G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/698 D-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7470T1 和 2N7471T1，JANTXVR，F、G 和 H 以及 JANSR，F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/759 REV A-2012 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）双晶体管，N 沟道和 P 沟道，逻辑级硅类型 2N7632UD，JANTXVR，F 和 JANSR，F
  • DLA MIL-PRF-19500/698 E-2013 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅类型 2N7470T1 和 2N7471T1，JANTXVR，F、G 和 H 以及 JANSR，F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 半导体器件，场效应抗辐射（总剂量和单粒子效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7494U5、2N7495U5 和 2N7496U5，JANTXVR，F、G 和 H，以及 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/657 B-2011 半导体器件、场效应、抗辐射、晶体管芯片、N 和 P 沟道、硅各种类型 JANHC 和 JANKC
  • DLA MIL-PRF-19500/660 D-2013 半导体器件、场效应抗辐射晶体管、P 沟道硅、型号 2N7424、2N7425 和 2N7426、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/660 E-2013 半导体器件、场效应抗辐射晶体管、P 沟道硅、型号 2N7424、2N7425 和 2N7426、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
  • DLA MIL-PRF-19500/687 C-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道硅，类型 2N7509、2N7510 和 2N7511，JANTXVD，R 和 JANSD，R
  • DLA MIL-PRF-19500/676 E-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，N 沟道，硅，型号 2N7465T3 和 2N7466T3 和 U3 后缀，JANTXVR 和 JANSR
  • DLA MIL-PRF-19500/701 A (1)-2009 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7491T2、2N7492T2 和 2N7493T2，JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/702 B (1)-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7482T3、2N7483T3 和 2N7484T3，JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/702 C-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7482T3、2N7483T3 和 2N7484T3，JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/703 B-2010 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7479U3、2N7480U3 和 2N7481U3，JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/701 B-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7491T2、2N7492T2 和 2N7493T2，JANTXVR、F、G 和 H 以及 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/700 B-2011 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7494U5、2N7495U5 和 2N7496U5，JANTXVR、F、G 和 H，以及 JANSR、F、G 和 H
  • DLA SMD-5962-89659-1990 场效应晶体管缓冲器线性混合微型电路
  • DLA MIL-PRF-19500/740 (1)-2012 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）四晶体管，N 沟道和 P 沟道，硅类型 2N7521U、2N7522U、2N7525 和 2N7526，JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
  • DLA SMD-5962-01512-2001 单片硅双高速线性微电路场效应管驱动器
  • DLA SMD-5962-01520 REV B-2003 单片硅线性微电路高电流场效应管驱动器
  • DLA MIL-PRF-19500/744 A-2010 半导体器件，场效应晶体管，N 沟道，抗辐射（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型 2N7616UB、2N7616UBC、2N7616UBN、2N7616UBCN、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 J美国国家科学基金会
  • DLA MIL-PRF-19500/614 G-2012 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7380 和 2N7381，JANTXV，M，D，R，F，G，和 H 和 JANS，M，D，R , F, G, 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/744 C-2012 半导体器件，场效应晶体管，N 沟道，抗辐射（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型 2N7616UB、2N7616UBC、2N7616UBN、2N7616UBCN、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 J美国国家科学基金会
  • DLA MIL-PRF-19500/745 B-2010 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，抗辐射（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型 2N7626UB、2N7626UBC、2N7626UBN、2N7626UBCN、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 J美国国家科学基金会
  • DLA MIL-PRF-19500/745 C-2011 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，抗辐射（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型 2N7626UB、2N7626UBC、2N7626UBN、2N7626UBCN、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 J美国国家科学基金会
  • DLA MIL-PRF-19500/745 D-2012 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，抗辐射（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型 2N7626UB、2N7626UBC、2N7626UBN、2N7626UBCN、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 J美国国家科学基金会
  • DLA MIL-PRF-19500/739 A-2013 半导体器件，场效应抗辐射四晶体管，N 沟道和 P 沟道，硅，类型 2N7518 和 2N7518U，JANTXVR，F 和 JANSR，F
  • DLA MIL-PRF-19500/662 E-2013 半导体器件、晶体管、场效应辐射硬化 P 沟道、硅、类型 2N7422、2N7422U、2N7423 和 2N7423U、JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
  • DLA MIL-PRF-19500/662 F-2013 半导体器件、晶体管、场效应辐射硬化 P 沟道、硅、类型 2N7422、2N7422U、2N7423 和 2N7423U、JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
  • DLA SMD-5962-01504 REV B-2007 定制场效应晶体管500伏带门级保护混合微电路
  • DLA SMD-5962-01504 REV D-2011 微电路，混合，定制，场效应晶体管，500 伏，带栅极保护
  • DLA MIL-PRF-19500/295 E VALID NOTICE 1-2008 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，硅，2N2608 型，JAN 和 UB
  • DLA MIL-PRF-19500/296 E VALID NOTICE 1-2008 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，硅，2N2609 型，JAN 和 UB
  • DLA MIL-PRF-19500/296 F-2012 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，硅，2N2609 型，JAN 和 UB
  • DLA MIL-PRF-19500/295 F-2012 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，硅，2N2608 型，JAN 和 UB
  • DLA MIL-PRF-19500/630 F-2012 半导体器件、场效应、抗辐射晶体管、P 沟道、硅、2N7389、2N7390、2N7389U、2N7389U5 和 2N7390U、2N7390U5、JANTXV、R 和 F 以及 JANS、R 和 F
  • DLA MIL-PRF-19500/663 E-2013 半导体器件、场效应抗辐射晶体管、N 沟道、硅、类型 2N7431、2N7432 和 2N7433、JANTXVR、F、G 和 H；和 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/664 D-2012 半导体器件、场效应抗辐射晶体管、N 沟道、硅、类型 2N7431U、2N7432U 和 2N7433U、JANTXVR、F、G 和 H；和 JANSR、F、G 和 H
  • DLA MIL-PRF-19500/663 F-2013 半导体器件、场效应抗辐射晶体管、N 沟道、硅、类型 2N7431、2N7432 和 2N7433、JANTXVR、F、G 和 H；和 JANSR、F、G 和 H
  • DLA SMD-5962-01503 REV A-2005 600V或500V同门保护自定义混合微电路场效应晶体管
  • DLA SMD-5962-97637 REV A-2003 微型电路,线型,快速J型场效应运算放大器,单块硅
  • DLA SMD-5962-98515 REV C-2006 微型电路,线型,双路J型场效应运算放大器,单块硅
  • DLA MIL-PRF-19500/750-2008 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、硅、2N7507U3 型、JANTX、JANTXV 和 JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/750 VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、硅、2N7507U3 型、JANTX、JANTXV 和 JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/748-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、硅、2N7505T3 型、JANTX、JANTXV 和 JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/751-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、硅、2N7508U3 型、JANTX、JANTXV 和 JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/748 VALID NOTICE 1-2013 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，硅，2N7505T3 型，JANTX、JANTXV 和 JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/751 VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、硅、2N7508U3 型、JANTX、JANTXV 和 JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/615 F-2013 半导体器件，场效应抗辐射晶体管，P 沟道，硅，2N7382 和 2N7383 型，JANTXV M、D、R 和 F 以及 JANS M、D、R 和 F
  • DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 硅单片双极场效应晶体管运算扬声器,线性微型电路
  • DLA SMD-5962-90500 REV B-2002 高速场效应晶体管输入运算放大器,线性混合微型电路
  • DLA SMD-5962-01503 REV C-2013 微电路、混合、定制、场效应晶体管，600 伏或 500 伏，带栅极保护
  • DLA MIL-PRF-19500/606 B-2004 2N7291,2N7293,2N7295和2N7297,JANTXVM(D和R)以及JANSM(D和R)型硅N型通道场效应抗辐射加固(仅总剂量)晶体管半导体装置
  • DLA MIL-PRF-19500/662 C-2008 半导体器件、晶体管、场效应辐射硬化（仅限总剂量）、P 沟道、硅、类型 2N7422、2N7422U、2N7423 和 2N7423U、JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
  • DLA MIL-PRF-19500/605 D-2013 半导体器件，场效应抗辐射（仅限总剂量）晶体管，N 沟道，硅，类型 2N7292、2N7294、2N7296 和 2N7298，JANTXVM，D、R、H 和 JANSM，D 和 R

美国照明工程协会，关于场发射 效应的标准

GB-REG，关于场发射 效应的标准

行业标准-电子，关于场发射 效应的标准

  • SJ 1974-1981 CS1型低频场效应半导体管
  • SJ 1975-1981 CS2型低频场效应半导体管
  • SJ 1976-1981 CS3型低频场效应半导体管
  • SJ 1977-1981 CS4型高频场效应半导体管
  • SJ 1978-1981 CS5型高频场效应半导体管
  • SJ 1979-1981 CS6型高频场效应半导体管
  • SJ 1980-1981 CS7型高频场效应半导体管
  • SJ 1981-1981 CS8型高频场效应半导体管
  • SJ 1982-1981 CS9型高频场效应半导体管
  • SJ 1990-1981 CS20型低频场效应半导体对管
  • SJ 1991-1981 CS21型低频场效应半导体对管
  • SJ 1992-1981 CS22型低频场效应半导体对管
  • SJ 1989-1981 CS19型低频场效应半导体对管
  • SJ 1986-1981 CS13型低频低噪声场效应半导体管
  • SJ 1988-1981 CS15型低频低噪声场效应半导体管
  • SJ 1984-1981 CS11型低频低噪声场效应半导体管
  • SJ 1987-1981 CS14型低频低噪声场效应半导体管
  • SJ 1983-1981 CS10型低频低噪声场效应半导体管
  • SJ 1985-1981 CS12型低频低噪声场效应半导体管
  • SJ 1994-1981 CS24型低频低噪声场效应半导体对管
  • SJ 2002-1981 CS32型低频低噪声场效应半导体对管
  • SJ 2003-1981 CS33型低频低噪声场效应半导体对管
  • SJ 2001-1981 CS31型低频低噪声场效应半导体对管
  • SJ 1995-1981 CS25型低频低噪声场效应半导体对管
  • SJ 1997-1981 CS27型低频低噪声场效应半导体对管
  • SJ 1998-1981 CS28型低频低噪声场效应半导体对管
  • SJ 2000-1981 CS30型低频低噪声场效应半导体对管
  • SJ 2004-1981 CS34型低频低噪声场效应半导体对管
  • SJ 1993-1981 CS23型低频低噪声场效应半导体对管
  • SJ 1996-1981 CS26型低频低噪声场效应半导体对管
  • SJ 1999-1981 CS29型低频低噪声场效应半导体对管
  • SJ 20231-1993 国洋双栅场效应晶体管Yfs测试仪检定规程
  • SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法
  • SJ 2748-1987 微波低噪声单栅场效应晶体管空白详细规范
  • SJ 20232-1993 国洋双栅场效应晶体管GP参数测试仪检定规程
  • SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法
  • SJ 2099-1982 CS42型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 2103-1982 CS46型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 2104-1982 CS47型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 2092-1982 CS35型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 2093-1982 CS36型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 2094-1982 CS37型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 2095-1982 CS38型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 2096-1982 CS39型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 2097-1982 CS40型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 2105-1982 CS48型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 2106-1982 CS49型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 2107-1982 CS50型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 2108-1982 CS51型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 20184-1992 半导体分立器件CS3821、3822、3823型场效应晶体管详细规范
  • SJ 2100-1982 CS43型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 2102-1982 CS45型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 2098-1982 CS41型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
  • SJ 2101-1982 CS44型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管

韩国科技标准局，关于场发射 效应的标准

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于场发射 效应的标准

美国材料与试验协会，关于场发射 效应的标准

(美国)联邦航空局，关于场发射 效应的标准

国家质检总局，关于场发射 效应的标准

  • GB/T 37274-2018(英文版) 气象修正火箭发射场安全发射区图绘制规范
  • GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管 空白详细规范
  • GB/T 27781-2011 卫生杀虫剂现场药效测定及评价.喷射剂
  • GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
  • GB/T 15449-1995 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范
  • GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
  • GB/T 28044-2011(英文版) 透射电镜纳米材料生物效应检测方法总导则
  • GB/T 17680.11-2008 核电厂应急计划与准备准则.第11部分:应急响应时的场外放射评价准则
  • GB/T 17248.3-1999 声学 机器和设备发射的噪声工作位置和其他指定位置发射声压级的测量 现场简易法
  • GB/T 10263.5-1988 辐射探测器环境试验基本要求与方法 光效应试验

行业标准-航天，关于场发射 效应的标准

  • QJ 2448-1993 地（舰）空导弹进场发射程序
  • QJ 2617-1994 微波场效应晶体管（微波FET）管壳验收规范
  • QJ 3281-2006 发射场航天器推进剂泄漏检测方法
  • QJ 2573-1993 地（舰）空导弹飞行试验进场发射安全要求
  • QJ 1520-1988 导弹、运载火箭、卫星发射场合练大纲规范
  • QJ 1520A-1996 导弹、运载火箭、卫星发射场合练大纲技术要求

未注明发布机构，关于场发射 效应的标准

日本工业标准调查会，关于场发射 效应的标准

英国标准学会，关于场发射 效应的标准

  • BS EN 62396-1:2016 航空电子设备的流程管理。大气辐射效应 - 通过航空电子设备内的单粒子效应调节大气辐射效应
  • DD IEC/TS 62396-1:2006 航空电子设备的流程管理。大气辐射效应 - 通过航空电子设备内的单粒子效应调节大气辐射效应
  • DD IEC/TS 62396-3:2008 航空电子设备的流程管理。大气辐射效应 - 优化系统设计以适应大气辐射的单粒子效应 (SEE)
  • DD IEC/PAS 62396-3:2007 航空电子设备的流程管理。大气辐射效应 - 优化系统设计以适应大气辐射的单粒子效应 (SEE)
  • BS IEC 60747-8:2010 半导体装置.分立器件.场效应晶体管
  • BS IEC 60747-8:2010+A1:2021 半导体器件 分立器件 场效应晶体管
  • BS IEC 60747-8:2001 分立半导体器件和集成电路.场效应晶体管.电源转换场效应晶体管测量方法中附加功率、特性和amds
  • BS EN 61828:2002 超声学.聚焦振子.发射场定义和测量
  • BS ISO 14620-2:2011 航天系统.安全性要求.发射现场操作
  • BS ISO 14620-2:2019 航天系统 安全性要求 发射现场操作
  • BS IEC 62396-1:2012 航空电子设备过程管理.大气辐射效应.调节航空电子设备内经单粒子效应的大气辐射作用
  • BS DD IEC/TS 62396-1:2006 航空电子设备过程管理.大气辐射效应.调节航空电子设备内经单粒子效应的大气辐射作用
  • BS IEC 62396-1:2016 航空电子设备过程管理.大气辐射效应.调节航空电子设备内经单粒子效应的大气辐射作用
  • BS QC 750114:1996 电子元件质量评估协调制度 半导体器件 离散设备 场效应晶体管 用于开关应用的外壳额定场效应晶体管的空白详细规范
  • PD ISO/TR 17400:2021 空间系统 航天发射场、集成场地和其他设施 一般测试指南
  • BS EN 60544-1:2013 电气绝缘材料. 电离辐射效应的测定. 辐射相互作用和放射量测定
  • DD IEC/TS 62396-2:2008 航空电子设备的流程管理。大气辐射效应 - 航空电子系统单粒子效应测试指南
  • DD IEC/PAS 62396-2:2007 航空电子设备的流程管理。大气辐射效应 - 航空电子系统单粒子效应测试指南
  • BS IEC 62396-2:2017 航空电子设备的流程管理 大气辐射效应 航空电子系统单事件效应测试指南
  • BS EN 61967-5:2003 集成电路.150kHz-1GHz电磁发射的测量.感应发射测量.工作台法拉第筒法
  • BS DD ENV 50204:1996 数字无线电话发射的电磁场.抗干扰性检验
  • BS EN 60544-4:2003 电绝缘材料.电离辐射的效应测定.辐射环境中设备的分类系统
  • BS EN 16602-70-16:2021 空间工程 航天器和发射器应用的粘合
  • DD IEC/PAS 62396-5:2007 航空电子设备的流程管理。大气辐射效应 - 评估热中子通量和航空电子系统效应的指南
  • DD IEC/TS 62396-5:2008 航空电子设备的流程管理。大气辐射效应 - 评估热中子通量和航空电子系统效应的指南
  • BS EN 419:2019 非家用燃气高架发光辐射加热器 安全和能源效率
  • BS DD IEC/TS 62396-4:2009 航空电子设备的过程管理 大气辐射效应 高压飞机电子设备和潜在单事件效应设计指南
  • DD IEC/TS 62396-4:2008 航空电子设备的流程管理。大气辐射效应 - 高压飞机电子设备和潜在单粒子效应设计指南
  • DD IEC/PAS 62396-4:2007 航空电子设备的流程管理。大气辐射效应 - 高压飞机电子设备和潜在单粒子效应设计指南

美国机动车工程师协会，关于场发射 效应的标准

澳大利亚标准协会，关于场发射 效应的标准

  • IEC 62396-1:2016 RLV 航空电子设备过程管理 大气辐射效应 第 1 部分：通过航空电子设备内的单粒子效应调节大气辐射效应

中国气象局，关于场发射 效应的标准

CZ-CSN，关于场发射 效应的标准

欧洲电工电子元器件标准，关于场发射 效应的标准

PL-PKN，关于场发射 效应的标准

RU-GOST R，关于场发射 效应的标准

法国标准化协会，关于场发射 效应的标准

IEC - International Electrotechnical Commission，关于场发射 效应的标准

  • TS 62396-1-2006 航空电子设备过程管理“大气辐射效应”第1部分：通过航空电子设备内的单事件效应调节大气辐射效应（1.0 版）
  • TS 62396-3-2008 航空电子过程管理“大气辐射效应”第3部分：优化系统设计以适应大气辐射的单事件效应（SEE）（第 1.0 版）
  • PAS 62396-3-2007 航空电子设备过程管理“大气辐射效应”第3部分：优化系统设计以适应大气辐射的单粒子效应（SEE）（第 1.0 版）
  • TS 62396-2-2008 航电过程管理“大气辐射效应”第2部分：航电系统单事件效应测试指南（1.0 版）
  • PAS 62396-2-2007 航电过程管理“大气辐射效应”第2部分：航电系统单事件效应测试指南（1.0 版）

国际电工委员会，关于场发射 效应的标准

  • IEC 60747-8:2000 半导体装置.第8部分:场效应晶体管
  • IEC TS 62396-1:2006 电子设备和控制系统的过程管理.大气辐射效应.第1部分:航空电子设备内经单个事件效应的大气辐射效应的调节
  • IEC 60747-8-1:1987 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第1节:5W、1GHz以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
  • IEC 60747-8-3:1995 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第3节:外壳额定开关场效应晶体管空白详细规范
  • IEC TS 62396-3:2008 航空电子设备的过程管理.大气辐射效应.第3部分:适应大气辐射的单一作用效应(SEE)的最优化系统设计
  • IEC 60747-8-2:1993 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第2节:外壳额定功率放大场效应晶体管空白详细规范
  • IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
  • IEC 60747-8:2010 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管
  • IEC 60747-8:1984 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管
  • IEC 60747-8:2021 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
  • IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
  • IEC TS 62396-2:2008 电子设备的过程管理.大气辐射效应.第2部分:电子设备系统的单一作用效应测试指南
  • IEC 62396-2:2017 航空电子系统的过程管理 - 大气辐射效应 - 第2部分:航空电子系统单事件效应测试指南
  • IEC 61452:1995 核仪器 放射性核素r射线发射率的测量 锗分光仪的校验和应用
  • IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

行业标准-广播电影电视，关于场发射 效应的标准

ECMA - European Association for Standardizing Information and Communication Systems，关于场发射 效应的标准

  • ECMA 172-1992 测量 5 Hz 至 400 kHz VDU 的电场和磁场发射的程序

行业标准-商业，关于场发射 效应的标准

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc.，关于场发射 效应的标准

河北省标准，关于场发射 效应的标准

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于场发射 效应的标准

  • IEEE C63.7-2015 辐射发射测量试验场建设美国国家标准指南
  • IEEE 539-2005 与架空电力线的电晕和场效应有关的术语的标准定义
  • IEEE 539-1990 与架空电力线的电晕和场效应有关的术语的标准定义

美国电气电子工程师学会，关于场发射 效应的标准

  • IEEE/ANSI C63.7-2015 辐射发射测量试验场建设美国国家标准指南
  • ANSI/IEEE PC63.7/D rev17, December 2014 辐射发射测量试验场建设美国国家标准指南
  • IEEE Std C63.18-2014 用于估计医疗设备对射频发射器辐射射频（RF）发射的电磁抗扰度的现场临时测试方法的推荐做法
  • IEEE Std C63.7-2015 进行辐射发射测量作业的试验现场建设的标准指南
  • IEEE 539-2020 与架空电力线的电晕和场效应相关的术语定义
  • IEEE Std C63.7-2005 进行辐射发射测量作业的露天试验现场建设的标准指南
  • ANSI PC63.18/D6.9, April 2014 用于估计医疗设备对 RF 发射器辐射射频（RF）发射的电磁抗扰度的现场、临时测试方法的美国国家标准推荐规程
  • IEEE/ANSI C63.18-2014 用于估计医疗设备对 RF 发射器辐射射频（RF）发射的电磁抗扰度的现场、临时测试方法的美国国家标准推荐规程
  • ANSI C63.18-2014 用于估计医疗设备对 RF 发射器辐射射频（RF）发射的电磁抗扰度的现场、临时测试方法的美国国家标准推荐规程

中国团体标准，关于场发射 效应的标准

WRC - Welding Research Council，关于场发射 效应的标准

  • BULLETIN 87-1963 解释辐射效应对结构金属的机械性能的关键因素 辐射效应对反应堆压力容器设计的商业影响 FABRICATI

美国核协会，关于场发射 效应的标准

ANS - American Nuclear Society，关于场发射 效应的标准

  • 3.8.6-1995 核电厂应急响应场外放射学评价实施准则
  • 3.8.5-1992 应急放射场监测 取样 和分析标准
  • 3.7.1-1995 现场核电厂辐射应急设施和医疗服务

TH-TISI，关于场发射 效应的标准

  • TIS 2124-2002 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管.第3节:外壳额定开关场效应晶体管的空白详细规范
  • TIS 2122-2002 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管.第1节:1ghz 5w以下的单栅极场效应晶体管的空白详细规范
  • TIS 2121-2002 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管
  • TIS 2123-2002 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管.第2节:外壳限定的功率放大器用场效应晶体管的空白详细规范

国家计量检定规程，关于场发射 效应的标准

RO-ASRO，关于场发射 效应的标准

  • STAS 12389-1985 场效应晶体管．限值和基础电器参数命名
  • STAS SR CEI 747-8-1993 半导体装置．分离装置．第8部分：场效应晶体管
  • STAS 7128/8-1986 半导体设备和集成电路的字母符号．场效应晶体管符号
  • STAS 12124/3-1983 半导体设备．场效应晶体管，测量电气的静态参数的方法
  • STAS 12124/4-1983 半导体设备．场效应晶体管，测量电气的静态参数的方法

美国齿轮制造商协会，关于场发射 效应的标准

美国国家标准学会，关于场发射 效应的标准

  • ANSI/IEEE C63.18:2014 用于估计医疗设备对射频发射器辐射射频（RF）发射的电磁抗扰度的现场 Ad Hoc 测试方法的推荐做法
  • ANSI/ASTM F2174:2002 声发射传感器响应的验证惯例
  • ANSI/SCTE 110-2011 混合光纤同轴电缆厂外状态监视:HMS发射机应答器用发射机应答器接口总线的交流动力供应(PSTIB)
  • ANSI/IEEE C63.18:1997 评估医疗设备对专用射频发射机发射的电磁抗扰性的现场、特殊试验方法的推荐实施规程
  • ANSI/IEEE 539:2005 与架空电力线路电晕和磁场效应有关术语的标准定义

FI-SFS，关于场发射 效应的标准

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德国标准化学会，关于场发射 效应的标准

ES-UNE，关于场发射 效应的标准

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