ZH

EN

ES

Диплом перевозчика

Диплом перевозчика, Всего: 24 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Диплом перевозчика, являются: Испытание металлов, Неорганические химикаты, Изоляционные жидкости, Полупроводниковые материалы, Аналитическая химия.


General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Диплом перевозчика

  • GB/T 8757-1988 Определение концентрации носителей заряда в арсениде галлия по минимуму плазменного резонанса
  • GB/T 8757-2006 Определение концентрации носителей заряда в арсениде галлия по минимуму плазменного резонанса
  • GB/T 36705-2018 Метод определения концентрации носителей подложек из нитрида галлия — метод спектра комбинационного рассеяния
  • GB/T 11068-1989 Эпитаксиальный слой арсенида галлия. Определение концентрации носителей заряда. Вольт-емкостный метод.
  • GB/T 14146-1993 Эпитаксиальные слои кремния. Определение концентрации носителей заряда. Ртутный зонд. Вальтажно-емкостный метод.
  • GB/T 11068-2006 Эпитаксиальный слой арсенида галлия. Определение концентрации носителей тока вольт-емкостным методом.
  • GB/T 14146-2009 Эпитаксиальные слои кремния-определение концентрации носителей-напряжения ртутного зонда-емкостный метод
  • GB 11068-1989 Вольт-емкостный метод измерения концентрации носителей в эпитаксиальном слое GaAs
  • GB/T 14863-2013 Метод определения чистой плотности носителей заряда в эпитаксиальных слоях кремния с помощью вольт-емкости затворных и незатворенных диодов
  • GB/T 14863-1993 Стандартный метод измерения чистой плотности носителей заряда в кремниевых эктаксиальных слоях с помощью вольт-емкости затворных и незапертых диодов

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Диплом перевозчика

  • GB/T 14146-2021 Метод определения концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях кремния — вольт-емкостный метод.

Professional Standard - Electron, Диплом перевозчика

  • SJ 2757-1987 Метод измерения инфракрасным отражением концентрации носителей заряда в сильнолегированных полупроводниках
  • SJ 3248-1989 Методы измерения концентрации носителей считываемого арсенида галлия и фосфида индия методом инфракрасного отражения
  • SJ 3244.1-1989 Методы измерения холловской подвижности и концентрации носителей арсенида галлия и фосфида индия
  • SJ 3244.4-1989 Методы измерения профиля распределения концентрации носителей в материалах из арсенида галлия и фосфида индия. Электрохимический вольт-емкостный метод.

Group Standards of the People's Republic of China, Диплом перевозчика

  • T/IAWBS 003-2017 Определение концентрации носителей заряда в эпитаксиальном слое SiC_Вольт-емкостный метод ртутного зонда

British Standards Institution (BSI), Диплом перевозчика

  • PD IEC TS 62607-5-3:2020 Нанопроизводство. Ключевые характеристики управления. Тонкопленочные органические/наноэлектронные устройства. Измерения концентрации носителей заряда

International Electrotechnical Commission (IEC), Диплом перевозчика

  • IEC TS 62607-6-16:2022 Нанопроизводство. Ключевые характеристики управления. Часть 6-16. Двумерные материалы. Концентрация носителей: метод полевого транзистора.
  • IEC TS 62607-5-3:2020 Нанопроизводство. Ключевые характеристики контроля. Часть 5-3. Тонкопленочные органические/наноэлектронные устройства. Измерения концентрации носителей заряда.

American Society for Testing and Materials (ASTM), Диплом перевозчика

  • ASTM F1393-92(1997) Стандартный метод испытаний для определения чистой плотности носителей заряда в кремниевых пластинах путем измерений профилировщиком обратной связи Миллера с помощью ртутного зонда
  • ASTM F1392-00 Стандартный метод испытаний для определения профилей чистой плотности носителей заряда в кремниевых пластинах путем измерения напряжения-емкости с помощью ртутного зонда
  • ASTM F398-92(1997) Стандартный метод определения концентрации основных носителей заряда в полупроводниках путем измерения волнового числа или длины волны минимума плазменного резонанса

工业和信息化部, Диплом перевозчика

  • YS/T 679-2018 Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда в примесных полупроводниках методом поверхностной фотоэдс

International Organization for Standardization (ISO), Диплом перевозчика

  • ISO/WD TR 23683:2023 Химический анализ поверхности. сканирующая зондовая микроскопия. Руководство по экспериментальному количественному определению концентрации носителей заряда в полупроводниковых устройствах с использованием электрической сканирующей зондовой микроскопии.




©2007-2023 ANTPEDIA, Все права защищены.