ZH

EN

ES

перевозчик

перевозчик, Всего: 58 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к перевозчик, являются: Испытание металлов, Полупроводниковые приборы, Полупроводниковые материалы, Цветные металлы, Неорганические химикаты, Изоляционные жидкости, Атомная энергетика, Солнечная энергетика, Аналитическая химия.


General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, перевозчик

  • GB/T 8757-1988 Определение концентрации носителей заряда в арсениде галлия по минимуму плазменного резонанса
  • GB/T 8757-2006 Определение концентрации носителей заряда в арсениде галлия по минимуму плазменного резонанса
  • GB/T 36705-2018 Метод определения концентрации носителей подложек из нитрида галлия — метод спектра комбинационного рассеяния
  • GB/T 11068-1989 Эпитаксиальный слой арсенида галлия. Определение концентрации носителей заряда. Вольт-емкостный метод.
  • GB/T 14146-1993 Эпитаксиальные слои кремния. Определение концентрации носителей заряда. Ртутный зонд. Вальтажно-емкостный метод.
  • GB/T 11068-2006 Эпитаксиальный слой арсенида галлия. Определение концентрации носителей тока вольт-емкостным методом.
  • GB/T 14146-2009 Эпитаксиальные слои кремния-определение концентрации носителей-напряжения ртутного зонда-емкостный метод
  • GB 11068-1989 Вольт-емкостный метод измерения концентрации носителей в эпитаксиальном слое GaAs
  • GB/T 1553-1997 Стандартные методы определения времени жизни неосновных носителей в объемном германии и кремнии путем измерения затухания фотопроводимости
  • GB/T 1553-2009 Методы определения времени жизни неосновных носителей в объемном германии и кремнии путем измерения затухания фотопроводимости
  • GB/T 1553-2023 Определение времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии и германии методом распада фотопроводимости
  • GB/T 26068-2010 Метод испытания времени жизни рекомбинации носителей заряда в кремниевых пластинах путем бесконтактного измерения затухания фотопроводимости по коэффициенту микроволнового отражения
  • GB/T 42907-2023 Бесконтактный вихретоковый индукционный метод для испытания времени жизни неравновесной рекомбинации носителей в кремниевых слитках, блоках и пластинах
  • GB/T 26068-2018 Измерение времени жизни рекомбинации носителей кремниевой пластины и слитка. Бесконтактное микроволновое отражение. Метод затухания фотопроводимости.
  • GB/T 14863-2013 Метод определения чистой плотности носителей заряда в эпитаксиальных слоях кремния с помощью вольт-емкости затворных и незатворенных диодов
  • GB/T 14863-1993 Стандартный метод измерения чистой плотности носителей заряда в кремниевых эктаксиальных слоях с помощью вольт-емкости затворных и незапертых диодов

Association Francaise de Normalisation, перевозчик

  • NF C80-202*NF EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
  • NF EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов

Danish Standards Foundation, перевозчик

  • DS/EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов

ES-UNE, перевозчик

  • UNE-EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание МОП-транзисторов с горячими носителями (одобрено AENOR в сентябре 2010 г.)

German Institute for Standardization, перевозчик

  • DIN EN 62416:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов (IEC 62416:2010); Немецкая версия EN 62416:2010.
  • DIN 50440:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Измерение времени жизни носителей в монокристаллах кремния. Время жизни рекомбинационных носителей при малой инжекции методом фотопроводимости.
  • DIN EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов (IEC 62416:2010); Немецкая версия EN 62416:2010.
  • DIN IEC/TS 62607-5-1:2016-07*DIN SPEC 42607-5-1:2016-07 Нанопроизводство. Ключевые характеристики управления. Часть 5-1. Тонкопленочные органические/наноэлектронные устройства. Измерения переноса носителей (IEC/TS 62607-5-1:2014)
  • DIN V VDE V 0126-18-4-1:2007 Солнечные пластины. Часть 4-1. Процесс измерения электрических характеристик кремниевых пластин. Срок службы неосновных носителей, линейный метод измерения.
  • DIN V VDE V 0126-18-4-2:2007 Солнечные пластины. Часть 4-2. Процесс измерения электрических характеристик кремния. Срок службы неосновных носителей, лабораторный метод измерения.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, перевозчик

  • GB/T 14146-2021 Метод определения концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях кремния — вольт-емкостный метод.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), перевозчик

  • JIS H 0603:1978 Измерение времени жизни неосновных носителей в германии методом фотокондуктивного распада.
  • JIS H 0604:1995 Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в монокристалле кремния методом фотопроводящего распада

Professional Standard - Electron, перевозчик

  • SJ 2757-1987 Метод измерения инфракрасным отражением концентрации носителей заряда в сильнолегированных полупроводниках
  • SJ 3248-1989 Методы измерения концентрации носителей считываемого арсенида галлия и фосфида индия методом инфракрасного отражения
  • SJ 3244.1-1989 Методы измерения холловской подвижности и концентрации носителей арсенида галлия и фосфида индия
  • SJ 3244.4-1989 Методы измерения профиля распределения концентрации носителей в материалах из арсенида галлия и фосфида индия. Электрохимический вольт-емкостный метод.

Lithuanian Standards Office , перевозчик

  • LST EN 62416-2010 Полупроводниковые приборы. Испытание МОП-транзисторов с горячими носителями (IEC 62416:2010)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), перевозчик

  • KS D 0265-1989(2019) Измерение времени жизни неосновных носителей в германии методом фотокондуктивного распада.
  • KS D 0257-2002(2017) Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в монокристалле кремния методом фотопроводящего распада
  • KS D 0257-2002(2022) Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в монокристалле кремния методом фотопроводящего распада
  • KS D 0265-1989 Измерение времени жизни неосновных носителей в германии методом фотокондуктивного распада.
  • KS D 0257-2002 Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в монокристалле кремния методом фотопроводящего распада

Xinjiang Provincial Standard of the People's Republic of China, перевозчик

  • DB65/T 3485-2013 Метод измерения срока службы неосновных носителей заряда блока поликремния солнечного качества

American Society for Testing and Materials (ASTM), перевозчик

  • ASTM F28-91(1997) Стандартные методы определения времени жизни неосновных носителей носителей в объемном германии и кремнии путем измерения затухания фотопроводимости
  • ASTM F1393-92(1997) Стандартный метод испытаний для определения чистой плотности носителей заряда в кремниевых пластинах путем измерений профилировщиком обратной связи Миллера с помощью ртутного зонда
  • ASTM F1392-00 Стандартный метод испытаний для определения профилей чистой плотности носителей заряда в кремниевых пластинах путем измерения напряжения-емкости с помощью ртутного зонда
  • ASTM F398-92(1997) Стандартный метод определения концентрации основных носителей заряда в полупроводниках путем измерения волнового числа или длины волны минимума плазменного резонанса
  • ASTM F391-96 Стандартные методы определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в внешних полупроводниках путем измерения стационарной поверхностной фотоэдс

Group Standards of the People's Republic of China, перевозчик

  • T/CASAS 026-2023 Метод определения времени жизни неосновных носителей в карбиде кремния — микроволновый фотопроводящий распад
  • T/IAWBS 003-2017 Определение концентрации носителей заряда в эпитаксиальном слое SiC_Вольт-емкостный метод ртутного зонда

RU-GOST R, перевозчик

  • GOST 18986.7-1973 Полупроводниковые диоды. Методы измерения времени жизни
  • GOST 27235-1987 Препараты радиоактивные. Безносительный хлорид кобальта 57, полученный на циклотроне. Требования

British Standards Institution (BSI), перевозчик

  • BS EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
  • PD IEC TS 62607-5-3:2020 Нанопроизводство. Ключевые характеристики управления. Тонкопленочные органические/наноэлектронные устройства. Измерения концентрации носителей заряда

工业和信息化部, перевозчик

  • YS/T 679-2018 Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда в примесных полупроводниках методом поверхностной фотоэдс

CZ-CSN, перевозчик

  • CSN 40 4120-1986 Радиоактивные вещества. [57Co]Хлорид кобальта(II), циклотронного производства, без носителя. Технические требования.

Professional Standard - Non-ferrous Metal, перевозчик

  • YS/T 679-2008 Методы определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в внешних полупроводниках путем измерения стационарной поверхностной фотоэдс

International Electrotechnical Commission (IEC), перевозчик

  • IEC TS 62607-6-16:2022 Нанопроизводство. Ключевые характеристики управления. Часть 6-16. Двумерные материалы. Концентрация носителей: метод полевого транзистора.
  • IEC TS 62607-5-3:2020 Нанопроизводство. Ключевые характеристики контроля. Часть 5-3. Тонкопленочные органические/наноэлектронные устройства. Измерения концентрации носителей заряда.

IEC - International Electrotechnical Commission, перевозчик

  • TS 62607-5-1-2014 Нанопроизводство. Ключевые характеристики управления. Часть 5-1. Тонкопленочные органические аноэлектронные устройства. Измерения переноса носителей (издание 1.0).

International Organization for Standardization (ISO), перевозчик

  • ISO/WD TR 23683:2023 Химический анализ поверхности. сканирующая зондовая микроскопия. Руководство по экспериментальному количественному определению концентрации носителей заряда в полупроводниковых устройствах с использованием электрической сканирующей зондовой микроскопии.




©2007-2023 ANTPEDIA, Все права защищены.