ZH
EN
ES

биполярный магнитный полупроводник

биполярный магнитный полупроводник, Всего: 265 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к биполярный магнитный полупроводник, являются: Полупроводниковые приборы, Сети передачи и распределения электроэнергии, Механические конструкции электронного оборудования, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Цифровая сеть с интеграцией услуг (ISDN), Интегральные схемы. Микроэлектроника, Электротехника в целом, Характеристики и конструкция машин, аппаратов, оборудования, Электромагнитная совместимость (ЭМС), Клапаны, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Магнитные материалы, Радиосвязь, Экологические испытания, Электрические и электронные испытания, Оптоволоконная связь, Метрология и измерения в целом.

British Standards Institution (BSI), биполярный магнитный полупроводник

BS IEC 60747-7:2011 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Биполярные транзисторы
BS IEC 60747-7:2010 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Биполярные транзисторы
BS IEC 60747-7:2010+A1:2019 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства - Биполярные транзисторы
BS IEC 60747-7:2001 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Биполярные транзисторы.
BS IEC 60747-9:2007 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
BS IEC 60747-9:2019 Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
20/30406234 DC БС МЭК 63275-2 Ред.1.0. Полупроводниковые приборы. Метод испытаний на надежность дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов на основе карбида кремния. Часть 2. Метод испытания биполярной деградации при работе внутреннего диода
BS EN IEC 60747-17:2020 Полупроводниковые приборы. Магнитно-емкостная муфта для основной и усиленной изоляции.
BS DD IEC/PAS 60747-17:2011 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Магнитно-емкостная связь для базовой и усиленной изоляции.
BS IEC 62047-28:2017 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытания работоспособности вибрационных МЭМС электретных устройств сбора энергии.
15/30323630 DC БС ЕН 62047-28. Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 28. Метод испытания работоспособности вибрационных МЭМС электретных энергосберегающих устройств
BS QC 790105:1992 Спецификация на гармонизированную систему оценки качества электронных компонентов. Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Бланковая детальная спецификация. Программируемые биполярные постоянные запоминающие устройства с плавкой вставкой на интегральных схемах.
BS QC 790105:1993 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Пустая подробная спецификация. Программируемые биполярные постоянные запоминающие устройства на интегральной схеме с плавкой вставкой
BS QC 790132:1992 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Бланковая детальная спецификация. Биполярные монолитные цифровые интегральные схемы (за исключением незафиксированных логических матриц).

International Electrotechnical Commission (IEC), биполярный магнитный полупроводник

IEC 60747-7:2000 Полупроводниковые приборы. Часть 7. Биполярные транзисторы.
IEC 60747-7:2010/AMD1:2019 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы.
IEC 60747-7:2010 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы.
IEC 60747-7:2019 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы.
IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы.
IEC 60747-9:2001 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
IEC 60747-9:2019 Полупроводниковые приборы. Часть 9. Дискретные устройства. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
IEC 60747-9:1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
IEC 60747-9:2007 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
IEC 60747-7-3:1991 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 7: биполярные транзисторы; раздел 3: Бланковая подробная спецификация на биполярные транзисторы для коммутационной аппаратуры
IEC 60747-7-5:2005 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7-5. Биполярные транзисторы для устройств переключения мощности.
IEC 63275-2:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 2. Метод испытания на биполярное ухудшение вследствие работы внутреннего диода.
IEC 60747-9/AMD1:2001 Полупроводниковые приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT); Поправка 1
IEC 60747-7/AMD1:1991 Полупроводниковые дискретные приборы и интегральные схемы; часть 7: биполярные транзисторы; поправка 1
IEC 60747-7-2:1989 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 7: биполярные транзисторы; раздел второй: пустая подробная спецификация корпусных биполярных транзисторов для усиления низкой частоты.
IEC 60747-7-4:1991 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 7: биполярные транзисторы; раздел 4: пустая подробная спецификация для корпусных биполярных транзисторов для усиления высокой частоты.
IEC 60747-7-1:1989 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 7: биполярные транзисторы; раздел первый: пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот.
IEC 60747-17:2020 Полупроводниковые приборы. Часть 17. Магнитная и емкостная связь для основной и усиленной изоляции.
IEC 60747-17:2020/COR1:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 17. Магнитная и емкостная связь для основной и усиленной изоляции; Исправление 1
IEC PAS 60747-17:2011 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 17. Магнитная и емкостная связь для основной и усиленной изоляции.
IEC 62047-28:2017 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 28. Метод испытания рабочих характеристик вибрационных МЭМС электретных устройств сбора энергии.
IEC 60748-2-1:1991 Полупроводниковые приборы; интегральные схемы; часть 2: цифровые интегральные схемы; раздел 1: пустая подробная спецификация для вентилей биполярных монолитных цифровых интегральных схем (исключая незадействованные логические массивы)
IEC 60747-6-2:1991 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 6: тиристоры; раздел 2: пустая подробная спецификация для двунаправленных триодных тиристоров (симисторов), окружающей среды или корпуса, до 100 А.
IEC 60747-17:2021 Исправление 1. Полупроводниковые приборы. Часть 17. Магнитная и емкостная связь для основной и усиленной изоляции.

PL-PKN, биполярный магнитный полупроводник

PN T01208-03-1992 Полупроводниковые приборы Биполярные транзисторы Методы измерения
PN T01208-01-1992 Полупроводниковые приборы Биполярные транзисторы Терминология и буквенные обозначения
PN T01208-02-1992 Полупроводниковые приборы Биполярные транзисторы Основные номиналы и характеристики
PN T01210-01-1992 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Биполярные транзисторы Бланк спецификации на корпусные биполярные транзисторы для усиления низкой частоты
PN T01207-01-1992 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Биполярные транзисторы Пустая подробная спецификация на биполярные транзисторы, рассчитанные на окружающую среду, для усиления низкой и высокой частоты

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), биполярный магнитный полупроводник

KS C IEC 60747-7:2006 Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7:Биполярные транзисторы
KS C IEC 60747-7:2017 Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7:Биполярные транзисторы
KS C IEC 60747-7:2022 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы.
KS C IEC 60747-7-3-2006(2021) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7:Биполярные транзисторы－Раздел третий:Плановая подробная спецификация для биполярных транзисторов для коммутационных приложений
KS C IEC 60747-7-3-2006(2016) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7:Биполярные транзисторы－Раздел третий:Плановая подробная спецификация для биполярных транзисторов для коммутационных приложений
KS C IEC 60747-7-4:2006 Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел четвертый: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов с номинальным корпусом для высокочастотного усиления
KS C IEC 60747-7-2:2006 Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел второй: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов с номинальным корпусом для усиления низкой частоты
KS C IEC 60747-7-3:2006 Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7:Биполярные транзисторы－Раздел третий:Плановая подробная спецификация для биполярных транзисторов для коммутационных приложений
KS C IEC 60747-7-4-2006(2021) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел четвертый: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов с номинальным корпусом для высокочастотного усиления
KS C IEC 60747-7-4-2006(2016) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел четвертый: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов с номинальным корпусом для высокочастотного усиления
KS C IEC 60747-7-2-2006(2016) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел второй: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов с номинальным корпусом для усиления низкой частоты
KS C IEC 60747-7-2-2006(2021) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел второй: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов с номинальным корпусом для усиления низкой частоты
KS C IEC 60747-7-1-2006(2016) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел первый: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот
KS C IEC 60747-7-1-2006(2021) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел первый: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот
KS C IEC 60747-6-2:2006 Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 6: Тиристоры－Раздел второй: Пустые подробные спецификации для двунаправленных триодных тиристоров (симисторов), рассчитанных на окружающую среду или корпус, до 100 А
KS C IEC 60747-7-1:2006 Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел первый: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот
KS C IEC 60747-6-2-2006(2021) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 6: Тиристоры－Раздел второй: Пустые подробные спецификации для двунаправленных триодных тиристоров (симисторов), рассчитанных на окружающую среду или корпус, до 100 А
KS C IEC 60747-6-2-2006(2016) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 6: Тиристоры－Раздел второй: Пустые подробные спецификации для двунаправленных триодных тиристоров (симисторов), рассчитанных на окружающую среду или корпус, до 100 А
KS C IEC 60748-2-1:2001 Полупроводниковые интегральные схемы. Часть 2. Цифровые интегральные схемы. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для биполярных монолитных вентилей цифровых интегральных схем (за исключением незафиксированных логических матриц).
KS C IEC 60748-2-7-2002(2022) Полупроводниковые приборы - Интегральные схемы - Часть 2: Цифровые интегральные схемы Раздел 7: Пустая подробная спецификация для интегральных схем с плавкими предохранителями - программируемая биполярная память только для чтения

TH-TISI, биполярный магнитный полупроводник

TIS 1864-2009 Полупроводниковые приборы.часть 7: биполярные транзисторы
TIS 1867-1999 Полупроводниковые приборы - дискретные устройства, часть 7: биполярные транзисторы, раздел 4: пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов для коммутационных приложений.
TIS 1866-1999 Полупроводниковые приборы - дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел 2: Пустая подробная спецификация для корпусных биполярных транзисторов для усиления низкой частоты.
TIS 1868-1999 Полупроводниковые приборы - дискретные устройства часть 7: биполярные транзисторы раздел 4: пустая подробная спецификация для корпусных биполярных транзисторов для усиления высокой частоты
TIS 1865-1999 Полупроводниковые приборы - дискретные устройства. Часть 7: биполярные транзисторы. Раздел 1: пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот.
TIS 1971-2000 Дискретные устройства полупроводниковых приборов, часть 3: секция сигнальных (включая коммутационные) и стабилизирующих диодов, двухпропускная подробная спецификация для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения, за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией.
TIS 1974-2000 Полупроводниковые приборы, дискретные устройства, часть 6: тиристоры, раздел 2: пустая подробная спецификация для двунаправленных триодных тиристоров (симисторов), рассчитанных на окружающую среду или корпус, до 100 А.

YU-JUS, биполярный магнитный полупроводник

JUS A.A4.302-1990 Табличные схемы характеристик изделий для полупроводниковых диодов
JUS N.R1.353-1979 Буквенный символ полупроводниковых приборов. Биполярные и полевые транзисторы.
JUS N.R1.323-1979 Термины и определения полупроводниковых приборов. Биполярные и полевые транзисторы.
JUS N.R1.372-1979 Полупроводниковые диоды. Основные номиналы и характеристики: выпрямительные диоды.
JUS N.R1.375-1980 Полупроводниковый диод с. Основные рейтинги и характеристики. Диоды переменной емкости
JUS N.R1.374-1980 Полупроводниковые диоды. Основные рейтинги и характеристики. Ттмнельдиоды

KR-KS, биполярный магнитный полупроводник

KS C IEC 60747-7-2022 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы.
KS C IEC 60747-7-2017 Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7:Биполярные транзисторы

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, биполярный магнитный полупроводник

GJB/Z 41.6-1993 Военные полупроводниковые дискретные устройства, биполярный транзистор спектра

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, биполярный магнитный полупроводник

GB/T 4587-2023 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы.
GB/T 29332-2012 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 9: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
GB/T 4587-1994 Полупроводниковые дискретные устройства и интегральные схемы. Часть 7: Биполярные транзисторы
GB/T 30116-2013 Требования к электромагнитной совместимости предприятий по производству полупроводников
GB/T 7576-1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел четвертый. Пустые подробные спецификации для корпусных биполярных транзисторов для усиления высоких частот.
GB/T 6217-1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот.
GB/T 14119-1993 Пустая подробная спецификация для программируемых биполярных постоянных запоминающих устройств с плавкой вставкой на полупроводниковых интегральных схемах
GB/T 13150-2005 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Пустая подробная спецификация для двунаправленных триодных тиристоров (триаков), рассчитанных на окружающую среду и корпус, для токов более 100 А.
GB/T 6590-1998 Полупроводниковые устройства Дискретные устройства Часть 6. Раздел «Тиристоры». Двухполосная подробная спецификация для двунаправленных триодных тиристоров (триаков), рассчитанных на окружающую среду или корпус, до 100 А.

Defense Logistics Agency, биполярный магнитный полупроводник

DLA MIL-S-19500/438 VALID NOTICE 4-2011 Полупроводниковый прибор, триод-тиристор (двунаправленный), кремниевый, типы от 2N5806 до 2N5809
DLA MIL-PRF-19500/762-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, КРЕМНИевый, ДВОЙНОЙ ШОТКИ, ОБЩИЙ КАТОД, ТИПА 1N7062CCT1, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/764 F-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, КРЕМНИевый, ШОТКИ, ДВОЙНОЙ, ОБЩИЙ КАТОД, ТИПА 1N7071CCT8, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/765 A-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ДИОД, КРЕМНИЙ, ДВОЙНОЙ ШОТКИ, ОБЩИЙ КАТОД, ТИПА 1N7072CCT3 И 1N7078U3 JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/754 D-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ДИОД, КРЕМНИевый, ШОТТКИ, ДВОЙНОЙ, ОБЩИЙ КАТОД, ТИПА 1N7064CCU3 и 1N7064CCU3C, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-S-19500/390 VALID NOTICE 4-2011 Полупроводниковые приборы, транзисторы, NPN, кремниевые, типы с двойным эмиттером 3N74, TX3N74, 3N75, TX3N75, 3N76, TX3N76, 3N127, TX3N127
DLA MIL-PRF-19500/507 F-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, КРЕМНИевый, БИПОЛЯРНЫЙ ПОДАВИТЕЛЬ ПЕРЕХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, ТИПЫ ОТ 1N6036A ДО 1N6072A JAN, JANTX И JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/681 C-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, КРЕМНИевый, ШОТТКИ, ДВОЙНОЙ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТНИК, ТИП 1N6843CCU3, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 1-2008 Полупроводниковые приборы, диоды, кремниевые, биполярные подавители переходных напряжений, типы от 1N6950 до 1N6986, JAN, JANTX, JANTXV и JANS
DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 2-2013 Полупроводниковые приборы, диоды, кремниевые, биполярные подавители переходных напряжений, типы от 1N6950 до 1N6986, JAN, JANTX, JANTXV и JANS
DLA MIL-PRF-19500/735-2006 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ДИОДЫ, КРЕМНИЕВЫЕ, ШОТТКИ, ДВОЙНЫЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЕ ОТВЕТКИ, ТИПА 1N7041CCU1 И ОДИНОЧНЫЕ ДИОДЫ ТИПА 1N7045T3, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/730 A-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ДИОДЫ, КРЕМНИЯ, ШОТТКИ, ДВОЙНЫЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЕ ОТВЕТКИ, ТИПЫ 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/730 B-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ДИОДЫ, КРЕМНИЯ, ШОТТКИ, ДВОЙНЫЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЕ ОТВЕТКИ, ТИПЫ 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/737 A (1)-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ДИОДЫ, КРЕМНИЕВЫЕ, ШОТТКИ, ДВОЙНЫЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЕ ОТВЕТКИ, ТИПЫ 1N7039CCT1, 1N7039CCU1 И 1N7047CCT3, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/737 A (2)-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ДИОДЫ, КРЕМНИЕВЫЕ, ШОТТКИ, ДВОЙНЫЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЕ ОТВЕТКИ, ТИПЫ 1N7039CCT1, 1N7039CCU1 И 1N7047CCT3, JANTX, JANTXV И JANS
DLA SMD-5962-91554 REV A-1992 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ, БИПОЛЯРНЫЕ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНО-РЕГИСТРОВАННЫЙ ТРАНСИВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/730 VALID NOTICE 1-2011 Полупроводниковый прибор, диод, кремниевый, Шоттки, двойной, центральный отвод, типы 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV и JANS
DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, ДВОЙНАЯ, RS232, ТРАНСИВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/643 C (1)-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ДИОДЫ, КРЕМНИИ, СИЛОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ, ДВОЙНЫЕ, С ЦЕНТРАЛЬНЫМ ОТВОДОМ С ОБЩИМ КАТОДОМ ИЛИ АНОДОМ, СВЕРХБЫСТРЫЕ, ТИПЫ 1N6766 И 1N6767, 1N6766R И 1N6767R, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДВОЙНЫЕ ДРАЙВЕРЫ МОП-транзисторов, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДРАЙВЕРЫ BIMOS II, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/642 D VALID NOTICE 1-2012 Полупроводниковый прибор, диод, кремний, силовой выпрямитель, двойной, общий катод или центральный отвод анода, сверхбыстрый, типы от 1N6762 до 1N6765 и от 1N6762R до 1N6765R JANTX, JANTXV и JANS
DLA SMD-5962-89551 REV A-2001 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ КМОП, ДВОЙНОЙ JK ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ ФЛИП-ФЛОП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96815 REV A-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 8-битный ТТЛ/БТЛ-ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ДВОЙНАЯ ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПАРА ПЛЮС ИНВЕРТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/644 A VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, диод, кремний, силовой выпрямитель, двойной, общий катод или центральный отвод анода, сверхбыстрый, типы от 1N6768 до 1N6771 и от 1N6768R до 1N6771R JAN, JANTX, JANTXV и JANS
DLA SMD-5962-95842 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 18-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ИНТЕРФЕЙС, ФЛИП-ФЛОП С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94604 REV A-2002 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, ДВОЙНОЙ МИКРОПРОМОЩНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93180 REV A-2002 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, КВАДРО, АНАЛОГОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ SPDT, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87641-1988 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, БИМОС 8-БИТНЫЕ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ ВХОД, ДРАЙВЕР С ФИКСировкой, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЕ ДРАЙВЕРЫ/МОС-ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 10-БИТНАЯ ШИНА/МОС-ДРАЙВЕР ПАМЯТИ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДВОЙНАЯ, КМОП, 12-БИТ, ЦИФРОВОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93184 REV A-1993 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДВОЙНАЯ/ЧЕТЫРЕЧНАЯ, УСИЛИТЕЛЬ ТОКОВОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХДВУСТОРОННИЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96747-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВЫБОР ПУТИ СКАНИРОВАНИЯ С 8-БИТНОЙ ДВУНАПРАВЛЕННОЙ ШИНОЙ ДАННЫХ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95835-1995 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89672 REV A-2001 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, ДВОЙНАЯ 12-БИТНАЯ, УМНОЖАЮЩАЯ КМОП С ДВУМЯ БУФЕРАМИ, ЦИФРО-АНАЛОГОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/516 E-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, КРЕМНИЕВЫЙ ДИОД, БИПОЛЯРНЫЙ ПОДАВИТЕЛЬ ПЕРЕХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, ТИПЫ 1N6102 ДО 1N6137, 1N6102A ДО 1N6137A, 1N6138 ДО 1N6173, 1N6138A ДО 1N6173A, 1 N6102US ДО 1N6137US, 1N6102AUS ДО 1N6137AUS, 1N6138US ДО 1N61
DLA SMD-5962-91555 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР И РЕГИСТР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/678 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, диод, кремний, двойной выпрямитель мощности с центральным отводом Шоттки, для поверхностного монтажа, типы 1N6840U3 и 1N6841U3, JAN, JANTX, JANTXV, JANS
DLA SMD-5962-96761-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 1-8-линейный тактовый драйвер, TTL-совместимые входы, монолитный кремний
DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ЛИНЕЙНАЯ, МОЩНЫЙ МОП-транзистор, ДВУХКАНАЛЬНЫЙ, ОПТОПАРА
DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИИ/МОП-ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРОВАННЫМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94522 REV A-2001 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ПРОГРАММИРУЕМЫЙ БУФЕР СИНХРОНИЗАЦИИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ И ВЫХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96685 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 3,3 В, 16-БИТНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ТРАНСИВЕР С ДВОЙНЫМ РАЗРЕШЕНИЕМ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ BICMOS, 3,3 В ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 3,3 В ВОСЬМИРИЧЕСКОГО ТИПА D-ТИПА С КРАЙНЫМ ЗАПУСКОМ, С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95813 REV F-2008 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ КМОП, ДВОЙНЫЕ АНАЛОГОВЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ SPDT, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96812 REV A-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 10-БИТНЫЕ АДРЕСНЫЕ ПОРТЫ СКАНИРОВАНИЯ, МНОГОКАПОЧНЫЙ АДРЕСНЫЙ IEEE STD 1149.1 (JTAG) ТАП-ТРАНСИВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, ДВОЙНОЙ 12-БИТЫЙ, ЦИФРО-АНАЛОГОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95841 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР И РЕГИСТР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО ЗАЩИТНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, СХЕМА ГЕНЕРАЦИИ СИНХРОНИЗАЦИИ И СОСТОЯНИЯ ОЖИДАНИЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХШИННЫЙ БУФЕРНЫЙ ВЕНТИЛЬ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ТРЕХПОРТОВОЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ШИННЫЙ ОБМЕННИК С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 10-БИТНЫЙ ШИННЫЙ КОММУТАТОР С ТРЕМЯ ВЫХОДАМИ СОСТОЯНИЯ И СДВИГОМ УРОВНЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ДВОЙНЫМ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ФРОНТОМ, С ОЧИСТКОЙ И ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ НАСТРОЙКОЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 9-БИТНЫЙ ИНТЕРФЕЙС ШИНЫ, ФЛИП-ФЛОП С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ 16-БИТНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП С КРАЙНЫМ ЗАПУСКОМ D-ТИПА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94671 REV A-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 18-битный УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С 18-БИТНЫМ УНИВЕРСАЛЬНЫМ ШИННЫМ ТРАНСИВЕРОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91726-1994 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С ВОСЬМЕРИЧНЫМ БУФЕРОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96697-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 18-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТРАНСИВЕР ЧЕТНОСТИ 8-9-БИТ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР НА 3,3 В И РЕГИСТР С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 3,3 В, 16-БИТНЫЙ ЗАРЕГИСТРИРОВАННЫЙ ТРАНСИВЕР С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95836-1995 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМ ВЫХОДОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, КМОП, ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЙ ФИЛЬТР С ДВОЙНЫМ КОНДЕНСАТОРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88520 REV E-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ФЛИП-ФЛОП С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ КРОМКОМ D-ТИПА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП С КРАЙНЫМ ЗАПУСКОМ D-ТИПА, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМ ВЫХОДОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93148 REV A-1995 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ЗАПУСКОМ ПО КРАЙУ, С ВКЛЮЧЕНИЕМ ЧАСОВ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМ ВЫХОДОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМ ВЫХОДАМИ, СОВМЕСТИМЫЕ TTL ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95576 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 36-БИТНЫЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95577 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 36-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91553 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР И РЕГИСТР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91746-1994 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С ВОСЬМЕРНИЧНЫМ БУФЕРОМ, ИНВЕРТИРУЮЩИЕ ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96686 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 3,3 В, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89671 REV B-2002 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНЫЙ, ДВОЙНОЙ 12-БИТНЫЙ УМНОЖАЮЩИЙ КМОП-ЦИФРОВОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ С БУФЕРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 10-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ИНТЕРФЕЙС, ЗАДВИЖКА ТИПА D С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 3,3 В, 16 БИТ, ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ И TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95712 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 9-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ИНТЕРФЕЙС, ЗАЩЕЛКА ТИПА D С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91725-1994 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С ВОСЬМЕРИЧНОЙ ЗАЩЕЛКОЙ ТИПА D, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95578 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 36-БИТНЫЙ ЗАРЕГИСТРИРОВАННЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С НЕИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 10-БИТНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С НЕИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С НЕИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92147 REV B-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ, БУФЕР/ДРАЙВЕР, С НЕИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР И РЕГИСТР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С НЕИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ РЕГИСТРАЦИОННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96862 REV A-2008 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХШИННЫЙ БУФЕРНЫЙ ВЕНТИЛЬ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96868 REV A-2008 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХШИННЫЙ БУФЕРНЫЙ ВЕНТИЛЬ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95844 REV F-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР НА 3,3 В С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96811 REV A-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 3,3 В СКАНИРОВАНИЕ ИСПЫТАТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО С 18-БИТНЫМ УНИВЕРСАЛЬНЫМ ШИННЫМ ТРАНСИВЕРОМ, С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХПОЛЯРНЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94698-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ СКАНИРОВАНИЕ С 18-БИТНЫМ ПРИЕМОПРИВОДОМ И РЕГИСТРОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ И TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНО-РЕГИСТРИРОВАННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91724 REV A-2008 МИКРОЦЕПНЫЕ, ЦИФРОВЫЕ, БИКМОС-ВОСЬМЕРИЧНЫЕ ШИННЫЕ ПРИЕМОПРИЕМНИКИ И РЕГИСТРЫ С ТРЕХСТАВНЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, СОВМЕСТИМАЯ С МИКРОПРОЦЕССОРОМ, ДВОЙНЫЕ 12-БИТЫЕ ЦИФРО-АНАЛОГОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР И РЕГИСТР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94718 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С НЕИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, Восьмеричный буфер и линейный драйвер с неинвертирующими трехуровневыми выходами, TTL-совместимыми входами, монолитный кремний.
DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С 18-БИТНЫМ ШИННЫМ ТРАНСИВЕРОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, биполярный магнитный полупроводник

JJG(电子) 04008-1987 Правила пробной проверки для тестера полупроводниковых трубок с двойной базой QE1A

Professional Standard - Machinery, биполярный магнитный полупроводник

JB/T 6307.4-1992 Метод испытания силового полупроводникового модуля Плечо и пара плеч биполярного транзистора
JB/T 6307.5-1994 Методы испытаний силовых полупроводниковых модулей. Биполярные транзисторы. Однофазный мост и трехфазный мост.

RO-ASRO, биполярный магнитный полупроводник

STAS 12124/1-1982 Полупроводниковые приборы БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Методы измерения электрических статических параметров
STAS 7128/2-1986 БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОЦЕПЕЙ. Обозначения биполярных транзисторов.
STAS 12258/2-1984 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ПИОТОДИОДЫ Терминология и суть] Характеристики
STAS 12258/4-1986 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы СВЕТОДИОДЫ Терминология и основные характеристики
STAS 12123/1-1982 Полупроводниковые приборы ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ Методы измерения электрических и тепловых характеристик
STAS 12123/4-1984 Полупроводниковые приборы ДИОДЫ ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ Методы измерения электрических характеристик
STAS 12258/6-1987 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ ЭММ-ДИОДЫ Терминология и существенные характеристики
STAS 12123/3-1983 Полупроводниковые приборы ДИОДЫ ЗАДАНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ И ДИОДЫ РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ Методы измерения электрических характеристик
STAS 12123/2-1983 Полупроводниковые приборы СИГНАЛЬНЫЕ ДИОДЫ МАЛОЙ МОЩНОСТИ, ВКЛЮЧАЯ КОММУТАЦИОННЫЕ ДИОДЫ Методы измерения электрических характеристик

Danish Standards Foundation, биполярный магнитный полупроводник

DS/IEC 747-7-2:1990 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел второй: Бланковая подробная спецификация корпусных биполярных транзисторов для усиления низкой частоты.
DS/IEC 747-7-3:1993 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел третий: Пустая подробная спецификация биполярных транзисторов для коммутационных приложений.
DS/IEC 747-7-4:1993 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел четвертый: Пустая подробная спецификация на биполярные транзисторы с номинальным корпусом для усиления высокой частоты.
DS/IEC 747-7:1990 Публикация Международной электротехнической комиссии IEC № 747-7: 1988 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы.
DS/IEC 747-7-1:1990 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел первый: Пустая подробная спецификация биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот.
DS/IEC 747-7:1992 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы

German Institute for Standardization, биполярный магнитный полупроводник

DIN 4000-18:1988-12 Табличные схемы характеристик изделий для полупроводниковых диодов
DIN V VDE V 0884-10:2006 Полупроводниковые приборы. Магнитные и емкостные соединители для безопасной изоляции.
DIN 4000-18:1988 Табличные схемы характеристик изделий для полупроводниковых диодов
DIN V VDE V 0884-10 Berichtigung 1:2007 Полупроводниковые приборы - Магнитные и емкостные развязки для безопасной изоляции; Исправления к DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12

Professional Standard - Electron, биполярный магнитный полупроводник

SJ 50033/146-2000 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация кремниевого биполярного силового транзистора типа 3DA601 C.
SJ 50033/162-2003 Полупроводниковое дискретное устройство Подробная спецификация типа 2CW1022 для кремниевых двунаправленных диодов стабилизатора напряжения
SJ 50033/99-1995 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Подробная спецификация двухцветного светодиода o/G для типа GF511.
SJ/T 10740-1996 Полупроводниковые интегральные схемы. Общие принципы методов измерения биполярных запоминающих устройств с произвольным доступом.
SJ 2658.11-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения импульсных характеристик

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, биполярный магнитный полупроводник

JEDEC JESD286-B-2000 Стандарт для измерения характеристик прямого переключения полупроводниковых диодов

AT-OVE/ON, биполярный магнитный полупроводник

OVE EN IEC 63275-2:2021 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 2. Метод испытаний на биполярное ухудшение вследствие работы корпусного диода (IEC 47/2680/CDV) (английская версия)

未注明发布机构, биполярный магнитный полупроводник

BS IEC 60747-7-5:2005 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7–5. Биполярные транзисторы для устройств переключения мощности.

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, биполярный магнитный полупроводник

QC 750104-1991 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы. Раздел третий. Пустые подробные спецификации для биполярных транзисторов для переключающих устройств (IEC 747-7-3 ED 1).
QC 750103-1989 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы. Раздел второй. Пустая подробная спецификация для корпусных биполярных транзисторов для низкочастотного усиления (IEC 747-7-2 ED 1)
QC 750102-1989 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот (IEC 747-7-1 ED 1)
QC 750107-1991 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 7. Биполярные транзисторы Раздел четвертый. Пустая подробная спецификация для корпусных транзисторов для высокочастотного усиления (IEC 747-7-4 ED 1)
QC 750105-1986 Полупроводниковые приборы; Дискретные устройства. Часть 3. Раздел «Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды». Подробная двухполосная спецификация для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения @, исключая точность с температурной компенсацией. Диоды (МЭК

IN-BIS, биполярный магнитный полупроводник

IS 3700 Pt.11-1984 Основные номиналы и характеристики полупроводниковых приборов Часть 11 Светодиоды
IS 3700 Pt.9-1972 Основные номиналы и характеристики полупроводниковых приборов. Часть IX. Диоды переменной емкости.
IS 3700 Pt.7-1970 Основные номиналы и характеристики полупроводниковых приборов. Часть VII. Транзисторы обратной блокировки. Тиристоры.
IS 3700 Pt.8-1970 Основные номиналы и характеристики полупроводниковых приборов. Часть VIII. Регуляторы напряжения и диоды опорного напряжения.

RU-GOST R, биполярный магнитный полупроводник

GOST 26169-1984 Электромагнитная совместимость радиоэлектронной аппаратуры. Эталоны коэффициентов интермодуляционной составляющей мощных биполярных высокочастотных линейных транзисторов
GOST 28900-1991 Справочник по нормам предельных значений физических несовершенств деталей из ферромагнитных оксидов
GOST R 8.842-2013 Государственная система обеспечения единства измерений. Приборы для измерения мощности излучения полупроводниковых эмиттерных диодов. Процедура проверки
GOST R 8.843-2013 Государственная система обеспечения единства измерений. Приборы измерения мощности излучения полупроводниковых эмиттерных диодов. Процедура проверки
GOST R 50638-1994 Электромагнитная совместимость технических средств. Полупроводниковые СВЧ генераторные устройства и модули. Перечень параметров ЭМС и требований к ним. Методы измерения

Association Francaise de Normalisation, биполярный магнитный полупроводник

NF C96-017:2020 Полупроводниковые приборы. Часть 17. Магнитная и емкостная связь для основной и усиленной изоляции.
NF C96-047*NF EN IEC 60747-17:2020 Полупроводниковые приборы. Часть 17. Магнитная и емкостная связь для основной и усиленной изоляции.

PH-BPS, биполярный магнитный полупроводник

PNS IEC 62047-28:2021 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 28. Метод испытания рабочих характеристик вибрационных МЭМС электретных устройств сбора энергии.

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, биполярный магнитный полупроводник

CNS 5539-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание диода постоянного напряжения при непрерывной работе)
CNS 6119-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытания выпрямительных диодов при непрерывной работе)
CNS 6121-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание выпрямительных диодов при постоянном приложении напряжения)
CNS 6125-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (высокая температура для испытания выпрямительных диодов напряжением)
CNS 6123-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание выпрямительных диодов прерывистым приложением напряжения)
CNS 5538-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытания на непрерывную работу малосигнальных диодов)

Lithuanian Standards Office , биполярный магнитный полупроводник

LST EN IEC 60747-17/AC:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 17. Магнитная и емкостная связь для основной и усиленной изоляции (IEC 60747-17:2020/COR1:2021)