EN
KR
JP
ES
RU
DE

双极磁性半导体

本专题涉及双极磁性半导体的标准有270条。

国际标准分类中，双极磁性半导体涉及到半导体分立器件、输电网和配电网、建筑材料、电子设备用机械构件、光电子学、激光设备、综合业务数字网(ISDN)、集成电路、微电子学、电气工程综合、机器、装置、设备的特性和设计、电磁兼容性(EMC)、阀门、磁性材料、电学、磁学、电和磁的测量、无线通信、环境试验、电工和电子试验、光纤通信、计量学和测量综合。

在中国标准分类中，双极磁性半导体涉及到半导体二极管、电力半导体器件、部件、半导体发光器件、半导体三极管、半导体分立器件综合、计量综合、半导体集成电路、电子工业生产设备综合、光电子器件综合、微电路综合、计算机应用、阀门、电子测量与仪器综合、电子元件综合、半导体整流器件、广播、电视发送与接收设备、微电路。

英国标准学会，关于双极磁性半导体的标准

• BS IEC 60747-7:2011 半导体器件 分立器件 双极晶体管
• BS IEC 60747-7:2010 半导体器件.分立器件.双极晶体管
• BS IEC 60747-7:2010+A1:2019 半导体器件 分立器件 双极晶体管
• BS IEC 60747-7:2001 分立半导体器件和集成电路.双极晶体管
• BS IEC 60747-9:2007 半导体装置.分立器件.绝缘栅双极晶体管(IGBTs)
• BS IEC 60747-9:2019 半导体器件 分立器件 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
• 20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 第2部分. 体二极管工作造成的双极退化的测试方法
• BS IEC 60747-7-5:2005 半导体器件 — 分立器件 第7-5部分：用于电源开关应用的双极晶体管
• BS EN IEC 60747-17:2020 半导体元件. 基本和增强隔离用磁性和电容耦合器
• BS DD IEC/PAS 60747-17:2011 半导体元件.分立元件.基本和增强隔离用磁性和电容耦合器
• BS IEC 62047-28:2017 半导体器件 微机电器件 振动驱动MEMS驻极体能量收集器件性能测试方法
• 15/30323630 DC BS EN 62047-28 半导体器件 微机电装置 第28部分 振动驱动MEMS驻极体能量收集器件性能测试方法
• BS QC 790105:1993 电子元件质量评估协调制度规范 半导体器件 集成电路 空白详细规范 集成电路熔丝可编程双极只读存储器

国际电工委员会，关于双极磁性半导体的标准

• IEC 60747-7:2000 半导体装置.第7部分:双极晶体管
• IEC 60747-7:2010/AMD1:2019 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管
• IEC 60747-7:2010 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管
• IEC 60747-7:2019 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管
• IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管
• IEC 60747-9:2001 半导体器件.分立器件.第9部分:绝缘双极晶体管(IGBTS)
• IEC 60747-9:2019 半导体器件第9部分:分立器件绝缘栅双极晶体管
• IEC 60747-7/AMD2:1994 半导体分立器件和集成电路.第7部分:双极性晶体管.补充件2
• IEC 60747-9:1998 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTS)
• IEC 60747-9:2007 半导体装置.分立器件.第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTs)
• IEC 60747-7-3:1991 半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管 第3节:开关用双极晶体管空白详细规范
• IEC 60747-7-5:2005 半导体器件.分立器件.第7-5部分:电源转换用双极晶体管
• IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
• IEC 60747-9/AMD1:2001 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTS) 修改1
• IEC 60747-7/AMD1:1991 半导体分立器件和集成电路.第7部分:双极晶体管.修改件1
• IEC 60747-7-4:1991 半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管 第4节:高频放大外壳额定双极晶体管空白详细规范
• IEC 60747-7-2:1989 半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管 第2节:低频放大外壳额定双极晶体管空白详细规范
• IEC 60747-7-1:1989 半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管 第1节:低频和高频放大环境额定双极晶体管空白详细规范
• IEC 60747-17:2020 半导体器件第17部分:基本和加强绝缘用磁性和电容耦合器
• IEC 60747-17:2020/COR1:2021 半导体装置. 第17部分: 基本和加强隔离用磁性和电容性耦合器; 勘误1
• IEC PAS 60747-17:2011 半导体装置.分立器件.第17部分:基本和加强隔离用磁性和电容性耦合器
• IEC 62047-28:2017 半导体器件. 微型机电装置. 第28部分: 振动驱动MEMS驻极体能量采集设备的性能试验方法
• IEC 60748-2-1:1991 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第1节:双极单片数字集成门电路(不包括自由逻辑阵列)
• IEC 60747-17:2021 勘误表 1 半导体设备 第17部分：用于基本绝缘和加强绝缘的磁性和电容耦合器
• IEC 60747-6-2:1991 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第2节:电流在100A以下的环境或外壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范

PL-PKN，关于双极磁性半导体的标准

• PN T01208-03-1992 半导体装置．双极晶体管．测量方法
• PN T01208-01-1992 半导体设备．双极晶体管．术语和字母符号
• PN T01208-02-1992 半导体装置．双极晶体管．基本评级和特点
• PN T01210-01-1992 半导体器件．分离器件．双极晶体管．低频放大箱额定的双极晶体管空白细节规格
• PN T01207-01-1992 半导体器件．分离器件，双极晶体管低频和高频放大箱环境额定双极晶体管空白细节规格

韩国科技标准局，关于双极磁性半导体的标准

• KS C IEC 60747-7:2006 半导体器件.第7部分:双极晶体管
• KS C IEC 60747-7:2017 半导体器件 第7部分：双极晶体管
• KS C IEC 60747-7:2022 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管
• KS C IEC 60747-7-3-2006(2021) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第三节:开关用双极晶体管空白详细规范
• KS C IEC 60747-7-3-2006(2016) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第3节:开关用双极晶体管空白详细规范
• KS C IEC 60747-7-4:2006 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管.第4节:高频放大双极晶体管的空白详细规范
• KS C IEC 60747-7-2:2006 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管.第2节:低频放大用的额定环境双极性晶体管的空白详细规范
• KS C IEC 60747-7-3:2006 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管.第3节:开关设备用双极晶体管的空白详细规范
• KS C IEC 60747-7-3-2021 半导体器件 分立器件 第7部分：双极晶体管 第三节：开关应用用双极晶体管的空白详细规范
• KS C IEC 60747-7-4-2006(2021) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第四节:高频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范
• KS C IEC 60747-7-4-2006(2016) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第4节:高频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范
• KS C IEC 60747-7-2-2006(2016) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第2节:低频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范
• KS C IEC 60747-7-2-2006(2021) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第二节:低频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范
• KS C IEC 60747-7-2-2021 半导体器件 分立器件 第7部分：双极晶体管 第二部分：低频放大用外壳额定双极晶体管的空白详细规范
• KS C IEC 60747-7-4-2021 半导体器件 分立器件 第7部分：双极晶体管 第四节：高频放大用外壳额定双极晶体管的空白详细规范
• KS C IEC 60747-7-1-2006(2016) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第一节:低频和高频放大用环境额定双极晶体管空白详细规范
• KS C IEC 60747-7-1-2006(2021) 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第一节:低频和高频放大用环境额定双极晶体管空白详细规范
• KS C IEC 60747-7-1-2021 半导体器件 分立器件 第7部分：双极晶体管 第一节：低频和高频放大用环境额定双极晶体管的空白详细规范
• KS C IEC 60747-6-2:2006 半导体器件.分立器件.第6部分:晶体闸流管.第2节:双向三极晶体闸流(三极双向可控硅开关元件)、电流最多为100A空白详细规范
• KS C IEC 60747-7-1:2006 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管.第1节:低频和高频放大用的额定环境晶体管的空白详细规范
• KS C IEC 60747-6-2-2006(2021) 半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范
• KS C IEC 60747-6-2-2006(2016) 半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A及以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范
• KS C IEC 60748-2-1:2001 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第一节:双极单片式数字集成门电路(不包括独立的逻辑阵列)
• KS C IEC 60748-2-7-2002(2022) 半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第7节:集成电路熔断可编程双极只读存储器空白详细规范

TH-TISI，关于双极磁性半导体的标准

• TIS 1864-2009 半导体器件.第7部分:双极型晶体管
• TIS 1867-1999 半导体器件-分立器件第7部分：双极晶体管第 4 节：用于开关应用的双极晶体管的空白详细规范
• TIS 1866-1999 半导体器件-分立器件第7部分：双极晶体管第 2 节：用于低频放大的外壳额定双极晶体管的空白详细规范
• TIS 1868-1999 半导体器件-分立器件第7部分：双极晶体管第 4 节：用于高频放大的外壳额定双极晶体管的空白详细规范
• TIS 1865-1999 半导体器件分立器件第7部分：双极晶体管第 1 节：用于低频和高频放大的环境额定双极晶体管的空白详细规范
• TIS 1971-2000 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和稳压二极管部分稳压二极管和电压参考二极管的双空白详细规范，不包括温度补偿精密参考二极管
• TIS 1974-2000 半导体器件分立器件第6部分：晶闸管第 2 节：双向三极晶闸管（triacs）的空白详细规范，环境或外壳额定，高达 100 a

YU-JUS，关于双极磁性半导体的标准

• JUS A.A4.302-1990 半导体二极管特性表
• JUS N.R1.353-1979 半导体装置的字母符号．双极场效应和场效应晶体管
• JUS N.R1.323-1979 半导体装置的术语及定义．双极场效应及场效应晶体管
• JUS N.R1.372-1979 半导体二极管．重要额定值和特性．整流二级管
• JUS N.R1.375-1980 半导体二极管．重要额定值和特性．变容二级管
• JUS N.R1.374-1980 半导体二极管．重要额定值和特性．变容二级管．隧道二级管

CZ-CSN，关于双极磁性半导体的标准

• CSN IEC 747-7:1994 半导体离散设备及集成电路．第7部分：双极（性）晶体管

KR-KS，关于双极磁性半导体的标准

• KS C IEC 60747-7-2022 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管
• KS C IEC 60747-7-2017 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管

国家军用标准-总装备部，关于双极磁性半导体的标准

• GJB/Z 41.6-1993 军用半导体分立器件系列型谱 双极型晶体管

国家质检总局，关于双极磁性半导体的标准

• GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
• GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
• GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
• GB/T 30116-2013 半导体生产设施电磁兼容性要求
• GB/T 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分;双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
• GB/T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分;双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范
• GB/T 14119-1993 半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范
• GB/T 13150-2005 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范
• GB/T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分;闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范

美国国防后勤局，关于双极磁性半导体的标准

• DLA MIL-S-19500/438 VALID NOTICE 4-2011 半导体器件，三极管晶闸管（双向），硅，2N5806 至 2N5809 型
• DLA MIL-PRF-19500/762-2009 半导体器件、二极管、硅、双肖特基、共阴极、1N7062CCT1 型、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA MIL-PRF-19500/764 F-2009 半导体器件，二极管，硅，肖特基，双，共阴极，1N7071CCT8 型，JAN，JANTX，JANTXV 和 JANS
• DLA MIL-PRF-19500/765 A-2013 半导体器件、二极管、硅、双肖特基、共阴极、1N7072CCT3 型和 1N7078U3 JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA MIL-PRF-19500/754 D-2009 半导体器件，二极管，硅，肖特基，双，共阴极，类型 1N7064CCU3 和 1N7064CCU3C，JAN，JANTX，JANTXV 和 JANS
• DLA MIL-S-19500/390 VALID NOTICE 4-2011 半导体器件、晶体管、NPN、硅、双发射极类型 3N74、TX3N74、3N75、TX3N75、3N76、TX3N76、3N127、TX3N127
• DLA MIL-PRF-19500/507 F-2011 半导体器件，二极管，硅，双极瞬态电压抑制器，类型 1N6036A 至 1N6072A JAN、JANTX 和 JANTXV
• DLA MIL-PRF-19500/681 C-2013 半导体器件，二极管，硅，肖特基二极管，双中心抽头，1N6843CCU3 型，JAN，JANTX，JANTXV 和 JANS
• DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 1-2008 半导体器件、二极管、硅、双极瞬态电压抑制器，类型 1N6950 至 1N6986、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 2-2013 半导体器件、二极管、硅、双极瞬态电压抑制器，类型 1N6950 至 1N6986、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA MIL-PRF-19500/735-2006 双二极管1N7041CCU1型和单二极管型1N7045T3,JAN,JANTX,JANTXV和JANS中心抽头肖特基硅二极管半导体装置
• DLA MIL-PRF-19500/730 A-2011 半导体器件、二极管、硅、肖特基二极管、双通道、中心抽头、类型 1N7037CCU1、1N7043CAT1、1N7043CCT1、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA MIL-PRF-19500/730 B-2013 半导体器件、二极管、硅、肖特基二极管、双通道、中心抽头、类型 1N7037CCU1、1N7043CAT1、1N7043CCT1、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA MIL-PRF-19500/737 A (1)-2010 半导体器件、二极管、硅、肖特基、双、中心抽头、类型 1N7039CCT1、1N7039CCU1 和 1N7047CCT3、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA MIL-PRF-19500/737 A (2)-2013 半导体器件、二极管、硅、肖特基、双、中心抽头、类型 1N7039CCT1、1N7039CCU1 和 1N7047CCT3、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 硅单片,RS232型双重收发器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-91554 REV A-1992 硅单块 八进制记名收发器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA MIL-PRF-19500/730 VALID NOTICE 1-2011 半导体器件，二极管，硅，肖特基，双通道，中心抽头，类型 1N7037CCU1、1N7043CAT1、1N7043CCT1、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA MIL-PRF-19500/643 C (1)-2012 半导体器件、二极管、硅、功率整流器、双、共阴极或阳极中心抽头、超快、类型 1N6766 和 1N6767、1N6766R 和 1N6767R、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
• DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 硅单块 双极金属氧化物半导体技术中断接口闩锁设备,直线型微型电路
• DLA MIL-PRF-19500/642 D VALID NOTICE 1-2012 半导体器件、二极管、硅、电源整流器、双路、共阴极或阳极中心抽头、超快、1N6762 型至 1N6765 型和 1N6762R 型至 1N6765R 型 JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA SMD-5962-89551 REV A-2001 硅单片双 J-K正极边缘触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-96815 REV A-2000 双极互补金属氧化物半导体,四重2输入排外与门硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重互补加法变极器硅单片电路数字微电路
• DLA MIL-PRF-19500/644 A VALID NOTICE 2-2011 半导体器件、二极管、硅、电源整流器、双路、共阴极或阳极中心抽头、超快、1N6768 型至 1N6771 型和 1N6768R 型至 1N6771R 型 JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA SMD-5962-94604 REV A-2002 硅单片,双重低功率运算扬声器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-93180 REV A-2002 硅单片,四重单刀双投模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-95842 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体 18-BIT母线接收器双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87641-1988 硅单块 闩锁设备,输入密封,双极金属氧化物半导体技术8比特,直线型微型电路
• DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 硅单片,12位直流/交流转变器,双重氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-93184 REV A-1993 硅单片,双重四重电流反馈扬声器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96747-1997 双极的互补金属氧化物半导体,8-BIT双向的数据总线扫描路径选择器晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95835-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89672 REV A-2001 硅单片,双重12位双缓冲多路复用氧化物半导体数字模拟转变器,线性微型电路
• DLA MIL-PRF-19500/516 E-2009 半导体器件，二极管硅，双极瞬态电压抑制器，类型 1N6102 至 1N6137、1N6102A 至 1N6137A、1N6138 至 1N6173、1N6138A 至 1N6173A，1 N6102US 至 1N6137US、1N6102AUS 至 1N6137AUS、1N6138US 至 1N61
• DLA SMD-5962-91555 REV B-2006 硅单块 带三态输入的八进制记名收发器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 硅单片,装有正向三态输出,16位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA MIL-PRF-19500/678 VALID NOTICE 2-2011 半导体器件，二极管，硅，双肖特基中心抽头功率整流器，表面贴装，类型 1N6840U3 和 1N6841U3，JAN，JANTX，JANTXV，JANS
• DLA SMD-5962-96761-1996 双极的互补金属氧化物半导体,1行到8行时钟驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 双信道光耦合器金属氧化物半导体场效应晶体管电源的线性混合微型电路
• DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-94522 REV A-2001 硅单片,TTL兼容输入及输出,可编程低失真时钟驱动器,氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-96685 REV C-2003 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16BIT缓冲器或驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 硅单片,TTL兼容输入,装有双重使动及三态输出的八位锁存的收发器,改进型双极氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-95813 REV F-2008 线性单硅片微电路,由抗辐射的互补金属氧化物半导体结构组成,带双刀双绑模拟开关
• DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角触发D类三状态输出双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 硅单片数位类比转换器双12位互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-96812 REV A-2003 双极互补金属氧化物半导体,10-BIT扫描端口多支路标准1149.1接收器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95841 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体,16-BIT母线接收器和三状态输出寄存器,晶体管输入 硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 双极的互补金属氧化物半导体,计时和等待状态发生器电路,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 双极互补金属氧化物半导体,16-BIT三端口母线三状态输出转换器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 双极互补金属氧化物半导体,10-BIT母线三状态输出改变和转换,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,双重阳性触发D类双稳态多谐振荡器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的9位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 硅单块 八进制D型边沿触发的触发器,晶体管-晶体管逻辑电路兼容,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-94671 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT无线电收发自主式自动导航系统,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT母线接口和双稳态多谐振荡器转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-91726-1994 硅单块 三态输出,带八进制缓冲器的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-96697-1996 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,18-BIT三状态输出母线交换开关,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,8-BIT到9-BIT三状态输出母线收发器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 双极的互补金属氧化物半导体,3.3伏特八角母线接收器和寄存器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 双极互补金属氧化物半导体3.3伏特16-BIT三状态输出寄存转换器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95836-1995 双极互补金属氧化物半导体,八角触发D类三转台输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 硅单块 高性能双开关电容过滤器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-88520 REV E-2007 硅单片双D型阳性边缘触发器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
• DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的八进制接收器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95576 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95577 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位D型边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93148 REV A-1995 硅单片,TTL兼容输入,装有时钟使能的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-91553 REV A-2006 硅单块 带三态输出的八进制总线接收器和自动记录器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91746-1994 硅单块 倒转三态输出,带八进制缓冲器的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位缓冲器及线路驱动器,氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-96686 REV C-2003 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT三状态输出母线收发器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-89671 REV B-2002 硅单片,双重12位缓冲多路复用氧化物半导体直流/交流转变器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,16-BIT母线三状态输出无线电收发机,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 双极的互补金属氧化物半导体,10-BIT母线接口D类三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16-BIT透明的三状态输出D类闭锁装置,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95712 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体三状态输出9-BIT母线接口D类闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-91725-1994 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输出,带八进制D型止动栓的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95578 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,已注册整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的10位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-92147 REV B-1998 硅单块 带非倒转三态输出的八进制缓冲器或驱动器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器及寄存器,改进型双极氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位透明D型锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位透明D型锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位锁存的收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-96862 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的四倍总线缓冲闸
• DLA SMD-5962-96868 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的四倍总线缓冲闸
• DLA SMD-5962-95844 REV F-2003 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特非倒相八角缓冲器或三状态输出驱动器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96811 REV A-1999 双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特18-BIT母线三状态输出接收器扫描监测装置,晶体管输入硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-94698-1996 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT无线电收发和寄存器自主式自动导航系统,和转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制D型易被识破的止动销,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制记名的无线电收发机,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-91724 REV A-2008 数字单硅片微电路,由双极互补金属氧化物半导体结构组成,带八进制总线收发器及三台输出寄存器,与晶体管-晶体管逻辑兼容
• DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 硅单片双12位数位类比转换器微处理器兼容互补型金属氧化物半导体线性微电路
• DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位收发器及锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-94718 REV B-1997 先进双极互补金属氧化物半导体,八进制缓冲器或驱动放大器三状态输出量,和晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带非倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的18比特总线收发器,采用晶体管-晶体管逻辑兼容输入

国家计量检定规程，关于双极磁性半导体的标准

• JJG(电子) 04008-1987 QE1A型双基极半导体管测试仪试行检定规程

行业标准-机械，关于双极磁性半导体的标准

• JB/T 6307.4-1992 电力半导体模块测试方法.双极型晶体管臂和臂对
• JB/T 6307.5-1994 电力半导体模块测试方法 双极型晶体管单相桥和三相桥

RO-ASRO，关于双极磁性半导体的标准

• STAS 12124/1-1982 半导体设备．双极晶体管．测量电气静态参数的方法
• STAS 7128/2-1986 半导体设备和集成电路参数符号．双极型晶体管符号
• STAS 12258/2-1984 光电半导体装置．光电二极管术语和基本特性
• STAS 12258/4-1986 光电半导体设备．发光二极管术语和主要特性
• STAS 12123/1-1982 半导体装置整流器二极管测量电和热特性的方法
• STAS 12123/4-1984 半导体设备可变电容二极管电气特性的测量方法
• STAS 12258/6-1987 光电半导体器件．红外发射二极管术语和基本特性
• STAS 12123/3-1983 半导体设备电压参考二极管和电压调节二极管电气特性的测量方法
• STAS 12123/2-1983 半导体设备小功率信号二极管，包括开关二极管的电气特性的测量方法

丹麦标准化协会，关于双极磁性半导体的标准

• DS/IEC 747-7-2:1990 半导体器件.分立器件.第7部分:双极性晶体管.第2节:低频放大用的额定环境双极性晶体管的空白详细规范
• DS/IEC 747-7-3:1993 半导体装置．分立器件．第7部分：双极晶体管．第3节：转换用双极晶体管空白详细规范
• DS/IEC 747-7-4:1993 半导体装置．分立器件．第7部分：双极晶体管．第4节：高频放大管壳额定双极晶体管空白详细规范
• DS/IEC 747-7:1990 国际电工委员会IEC标准No．747-7-1988: 半导体装置．分立器件．第7部分：双极晶体管
• DS/IEC 747-7-1:1990 半导体器件.分立器件.第7部分:双极性晶体管.第1节:低频和高频放大用的额定环境晶体管的空白详细规范
• DS/IEC 747-7:1992 国际电工委员会IEC标准No．747-7-1988以及附录No．1-1991半导体装置．分立器件．第7部分：双极晶体管

德国标准化学会，关于双极磁性半导体的标准

• DIN 4000-18:1988-12 半导体二极管产品特性的表格布局
• DIN V VDE V 0884-10:2006 半导体器件.可靠绝缘的磁性电容耦合器
• DIN 4000-18:1988 第18部分:半导体二极管用物品特性表格设计
• DIN V VDE V 0884-10 Berichtigung 1:2007 半导体器件.安全绝缘用磁性电容耦合器.对DIN V VDE V 0884-10的技术勘误

行业标准-电子，关于双极磁性半导体的标准

• SJ 50033/146-2000 半导体分立器件.3DA601型C波段硅双极型功率晶体管详细规范
• SJ 50033/162-2003 半导体分立器件2CW1022型硅双向电压调整二极管详细规范
• SJ 50033/99-1995 半导体光电子器件.GF511型橙/绿双色发光二极管详细规范
• SJ/T 10740-1996 半导体集成电路 双极型随机存储器测试方法的基本原理
• SJ 2658.11-1986 半导体红外发光二极管测试方法.脉冲响应特性的测试方法

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于双极磁性半导体的标准

• JEDEC JESD286-B-2000 测量半导体二极管前向交换特性的标准

AT-OVE/ON，关于双极磁性半导体的标准

• OVE EN IEC 63275-2:2021 半导体器件-碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法-第2部分：体二极管操作引起的双极退化测试方法（IEC 47/2680/CDV）（英文版）

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于双极磁性半导体的标准

• QC 750104-1991 半导体器件分立器件第7部分：双极晶体管第三部分 用于开关应用的双极晶体管的空白详细规范（IEC 747-7-3 ED 1）
• QC 750103-1989 半导体器件分立器件第7部分：双极晶体管第二部分 用于低频放大的外壳额定双极晶体管的空白详细规范（IEC 747-7-2 ED 1）
• QC 750102-1989 半导体器件分立器件第7部分：双极晶体管第一部分 用于低频和高频放大的环境额定双极晶体管的空白详细规范（IEC 747-7-1 ED 1）
• QC 750107-1991 半导体器件分立器件第7部分：双极晶体管第 4 节 用于高频放大的外壳额定晶体管的空白详细规范（IEC 747-7-4 ED 1）
• QC 750105-1986 半导体设备；分立器件第3部分：信号（包括开关）和稳压二极管部分电压调节二极管和电压参考二极管的双空白详细规范 不包括温度补偿精密参考 二极管（IEC

VDE - VDE Verlag GmbH@ Berlin@ Germany，关于双极磁性半导体的标准

• VDE V 0884-10-2006 半导体器件 用于安全隔离的磁性和电容耦合器

IN-BIS，关于双极磁性半导体的标准

• IS 3700 Pt.11-1984 半导体器件的基本额定值和特性 第11部分发光二极管
• IS 3700 Pt.9-1972 半导体器件的基本额定值和特性第 IX 部分可变电容二极管
• IS 3700 Pt.7-1970 半导体器件的基本额定值和特性第 Ⅶ 部分反向阻断三极管晶闸管
• IS 3700 Pt.8-1970 半导体器件的基本额定值和特性第 Ⅷ 部分稳压器和电压基准二极管

RU-GOST R，关于双极磁性半导体的标准

• GOST 26169-1984 无线电电子设备的电磁兼容性.大功率高频线性双极型晶体三极管组合成份系数规范
• GOST 28900-1991 铁氧体磁性材料元件的机械缺陷极限量的技术条件编制的指导书
• GOST R 8.842-2013 确保测量一致性的国家系统. 半导体发射二极管辐射功率测量仪器. 验证程序
• GOST R 8.843-2013 确保测量一致性的国家系统. 半导体发射二极管辐射功率测量仪器. 验证程序
• GOST R 50638-1994 工业设备电磁兼容性.半导体微波振动装置与模块.EMC参数表及要求.测量方法

法国标准化协会，关于双极磁性半导体的标准

• NF C96-017:2020 半导体器件. 第17部分: 基本绝缘和增强绝缘用磁性和电容耦合器
• NF C96-047*NF EN IEC 60747-17:2020 半导体设备 第17部分：用于基本绝缘和加强绝缘的磁性和电容耦合器

PH-BPS，关于双极磁性半导体的标准

• PNS IEC 62047-28:2021 半导体器件.微机电器件.第28部分：振动驱动MEMS驻极体能量收集装置的性能试验方法

台湾地方标准，关于双极磁性半导体的标准

• CNS 6121-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–整流二极管连续通电试验
• CNS 5539-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–稳压二极管连续动作试验
• CNS 6119-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–整流二极管连续动作试验
• CNS 6125-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–整流二极管之高温通电试验
• CNS 6123-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–整流二极管之断续通电试验
• CNS 5538-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–小信号用二极管连续动作试验

立陶宛标准局，关于双极磁性半导体的标准

• LST EN IEC 60747-17/AC:2021 半导体设备 第17部分：用于基本和加强绝缘的磁性和电容耦合器（IEC 60747-17:2020/COR1:2021）

本站其他标准专题： 双极磁性半导体。

 

可能用到的仪器设备