31-030 标准查询与下载

T/XYXCLM 0002-2022 锂离子电池回收利用 回收及修复石墨负极

本标准规定了退役废旧锂离子动力电池拆解出的石墨负极粉料及修复石墨负极材料的术语和定义、分类要求、一般要求、原料要求、修复产品试验和检验要求、包装要求、标识、运输要求。

Lithium-ion battery recycling, recovery and repair of graphite anode

T/XYXCLM 0003-2022 锂离子电池回收利用 回收及修复镍钴锰酸锂

本文件规定了退役废旧动力电池拆解出的镍钴锰酸锂正极粉料及修复镍钴锰酸锂正极材料的术语和定义、分类要求、一般要求、原料要求、修复产品要求、包装要求、运输要求。

Recycling of lithium-ion battery, recovery and remediation of lithium nickel cobalt manganese oxide

T/XYXCLM 0001-2022 锂离子电池回收利用 回收及修复磷酸铁锂

本标准规定了锂离子电池拆解出的磷酸铁锂回收料及磷酸铁锂修复料的术语和定义、分类要求、一般要求、原料要求、修复产品试验方法和检验要求、包装与标识、运输要求。

Recycling of lithium-ion battery, recovery and rehabilitation of Lithium Iron Phosphate 2022

T/CASMES 57-2022 光伏组件封装用 (EVA)胶膜

本文件规定了光伏组件封装用（EVA）胶膜（以下简称EVA胶膜）的术语和定义、型号和规格、技术要求、试验方法﹑检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于以EVA（乙烯-醋酸乙烯共聚物）为主要原料，添加各种助剂，经加热挤出成型，用于光伏电池组件封装的胶膜。

Ethylene-vinyl acetate (EVA) film for PV module

T/ZACA 040-2022 柔性显示模组弯折性能试验方法

本文件规定了柔性显示模组弯折性能试验的规范性引用文件、术语和定义、目的、标准大气条件、性能指标、试验过程及试验报告。

Test method for flexural performance of flexible display modules

T/ZZB Q040-2022 柔性显示模组弯折性能试验方法

本文件规定了柔性显示模组弯折性能试验的规范性引用文件、术语和定义、目的、标准大气条件、性能指标、试验过程及试验报告。 本文件适用于10 μm以上厚度柔性显示模组的弯折性能试验。

Test method for flexural performance of flexible display modules

T/ZACA 039-2022 柔性显示模组抗冲击性能试验方法

本文件规定了柔性显示模组抗冲击性能试验方法的目的、标准大气条件、性能指标、试验过程和试验报告。

Test method for impact performance of flexible display modules

T/CPIA 0029.1-2022 光伏组件背板用薄膜 第1部分 氟塑料薄膜

本文件规定了光伏组件背板用氟塑料薄膜（以下简称“氟膜”）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于光伏组件背板用聚偏二氟乙烯（PVDF）薄膜、聚氟乙烯（PVF）薄膜，其它种类的光伏组件背板用氟塑料薄膜也可参照执行。

Films for Backsheets of Photovoltaic Modules Part 1 Fluoroplastic Films

T/CPIA 0036.1-2022 光伏组件用定向反射光学薄膜 第1部分：用于涂锡焊带表面的薄膜

本文件规定了用于涂锡焊带表面的光伏组件用定向反射光学薄膜（以下简称：反光膜）的术语和定义、要求、样品准备、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存。 本文件适用于贴敷在光伏组件涂锡焊带表面的薄膜。

Retroreflective optical films for photovoltaic modules Part 1: Films for tinned ribbon surfaces

T/CPIA 0038-2022 光伏硅片切割用电镀金刚石线

本文件规定了光伏硅片切割用电镀金刚石线（以下简称金刚石线）的术语和定义、产品规格、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存以及废旧金刚石线的处理。 本文件适用于光伏单晶硅、多晶硅硅片切割用金刚石线。

Electroplated diamond wire for photovoltaic silicon wafer cutting

T/CESA 1186-2022 电子封装用二氧化硅微粉表面硅羟基含量测试方法 酸碱滴定法

本文件描述了电子封装用二氧化硅微粉（纯度大于99.8%）（以下简称“二氧化硅微粉”）表面硅羟基的酸碱滴定测试方法，包括测试原理、环境条件、试剂、测试步骤、结果计算和实验报告。 本文件适用于环氧模塑料、底部填充胶、电子电路基板、积层绝缘胶膜等封装材料中二氧化硅微粉表面硅羟基含量的测定。

Test method for silanol content on surface of silica powder for electronic packaging—Acid-base titration

T/GDC 70-2021 便携式电子产品屏幕钢化保护膜

硬度、可见光透射比、蓝光透射性能、耐磨性、抗冲击性、胶质残留、耐腐蚀性、有毒有害物质

Portable electronic product screen tempered protective film

T/GDC 68-2021 手机保护外壳

外观、匹配性、色牢度、耐温性能、跌落性能、有毒有害物质

mobile phone case

T/CECA 64-2021 多层片式瓷介电容器用贱金属导电浆料

本文件规定了多层片式瓷介电容器用贱金属导电浆料的要求、试验方法、检验规则及包装、标志、运输、储存。 本文件适用于多层片式瓷介电容器用贱金属内电极浆料（以下简称“内电极浆料”）和多层片式瓷介电容器用贱金属端电极浆料（以下简称“端电极浆料”）。

Base metal conductive paste for multilayers ceramic chip capacitors

T/CASAS 013-2021 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法

碳化硅（这里指4H-SiC）材料作为重要的第三代宽禁带半导体材料，具有高临界击穿场强、高的热导率、高的电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大功率器件。近年，随着单晶和外延薄膜生长技术的不断发展，SiC单极型器件譬如肖特基二极管（SBD）及金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）已经商业化，在不同应用领域的需求急剧增加。然而，由于材料中高密度位错缺陷的存在（典型值为103-104个/cm2），限制了其进一步的发展。 SiC晶体中位错主要有三种类型：螺位错（TSD）、刃位错（TED）和基平面位错（BPD）。在衬底上进行同质外延时，衬底中的位错缺陷会向外延层中延伸和转化，导致外延层中大量扩展型缺陷。例如，衬底中的螺位错可以作为外延层中胡萝卜缺陷的成核中心，衬底中的螺位错转化为外延层中的弗兰克型层错（Frank SFs），衬底中的基平面位错大部分转化为刃位错、部分螺旋特征的BPD直接延伸到外延层中。这些缺陷的存在严重影响了SiC功率器件的性能，导致器件参数退化，特别是使得SiC高功率器件的优越特性无法得以实现。因此，对位错缺陷进行有效的表征与分析对单晶工艺及外延工艺改进优化进而提高器件性能至关重要。位错具有随机分布且密度量级大的特征，随着单晶尺寸的增大，人工统计位错密度的困难增加，过少的统计区域则又无法代表整个晶片的位错密度，因此需要依靠设备自动化来统计位错密度。目前我国以KOH腐蚀结合图像识别法检测和统计位错密度的标准属于空白领域，因此特制定本标准。

Measuring method for testing the density of dislocation in SiC crystal Combined KOH etching and image recognition methods

T/CASAS 017-2021 第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语

第三代半导体材料是指带隙宽度明显大于第一代半导体（如：硅、锗）、第二代半导体（如：砷化镓、磷化铟）的宽禁带半导体材料，目前产业化以SiC、GaN为主。它具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，第三代半导体器件（光电子器件、功率器件、射频器件）在半导体照明、消费类电子、5G移动通信、新能源汽车、智能电网、轨道交通等领域有广阔的应用前景，有望突破传统半导体技术的瓶颈，与第一代、第二代半导体技术互补，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点发挥重要作用，正在成为全球半导体产业新的战略高地。 随着宽禁带半导体器件的出现、日趋成熟及商业化普及，其独特的耐高温性能正在加速推动器件结温从目前的150℃迈向175℃、甚至200℃发展。结温的不断提高对封装互连技术提出了更高要求和新的挑战。近年来，新型微纳米金属烧结互连技术凭借其组分单一、低工艺温度、高服役温度等优点，逐渐成为宽禁带半导体模块封装最重要的连接技术之一。 然而，目前微纳米金属烧结连接技术尚属起步推广阶段，关于微纳米金属烧结材料、烧结工艺、烧结连接件性能和可靠性等关键环节的术语，业内尚无统一标准，这给从业人员的技术交流、产品验证和质量评估造成了一定的困难。因此，有必要根据实际需求，制定术语标准以规范该行业的专业和技术用语，对后续从事该项技术开发的企业单位也有一定的指导价值。

Terminology of micro-nano metallic sintering technology for wide-bandgap semiconductor

T/CASAS 014-2021 碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法

碳化硅（SiC）具有高临界击穿场强、高的热导率、高电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大功率器件。使用碳化硅作为衬底生长器件结构时，衬底质量对外延层的质量起决定性作用。大尺寸碳化硅单晶常常呈现基平面的摇摆曲线衍射峰位随着单晶直径衍射位置的改变而变化的现象，这种衍射峰位的移动源于基平面弯曲。由于基平面弯曲的存在，导致同质外延或异质外延层边缘位置的c轴偏离中心位置的c轴，影响后续器件制备工艺的均匀性与可靠性。只有掌握了碳化硅单晶衬底基平面弯曲的特性，才能够深入了解基平面弯曲产生的原因，提供单晶生长条件优化的方向，进而提升单晶质量。因此有必要发展一种能够准确、全面的表征碳化硅单晶基平面弯曲特性的方法。目前我国以X射线衍射法表征碳化硅单晶片的晶面弯曲特性的标准属于空白领域，因此特制定本标准。

Measuring method for basal plane bending of SiC substrate — High resolution X-ray diffractometry

T/CPIA 0031-2021 双面电池组件封装用透明保护膜

本文件规定了双面电池组件封装用透明保护膜的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于双面电池组件封装用透明保护膜，其他涉及到透明保护膜的领域，可以参考本文件。

Transparent protective film for double-sided battery module packaging

T/CPIA 0030.3-2021 晶体硅光伏电池用浆料 第3部分：正面银浆 烧结型银浆

本文件规定了晶体硅光伏电池用正面银浆的术语和定义、要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于制备晶体硅光伏电池正面电极的烧结型银浆。

Paste for crystalline silicon photovoltaic cells Part 3: Front side silver paste sintered silver paste

T/CPIA 0030.1-2021 晶体硅光伏电池用浆料 第1部分：背场铝浆 烧结型铝浆

本文件规定了P型晶体硅光伏电池铝浆的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本文件适用于P型晶体硅光伏电池背场铝浆。

Paste for crystalline silicon photovoltaic cells Part 1: back field aluminum paste sintered aluminum paste