C397 标准查询与下载

T/SHDSGY 034-2022 社区公共场所7KW共享交流充电桩设计规范

本文件规定了社区公共场所7KW共享交流充电桩（以下简称“共享交流充电桩”）的术语和定义、总体要求、规模及站址选择、总平面布置、充电系统、供配电系统、电能质量、计量、公共场所智慧充电桩及精细化系统、土建、消防给水和灭火设施、节能环保。 本文件适用于社区公共场所电动自行车、电动汽车等使用充电桩的设计。

Code for design of 7KW shared AC charging pile in community public places

T/LJQ 0009-2022 质量分级及“领跑者”评价要求 扩展坞

本文件规定了扩展坞“领跑者”标准评价的评价指标体系和评价方法及等级划分。 本文件适用于扩展坞制造企业的产品质量分级及企业标准水平评价。相关机构在制定企业标准“领跑者”评估方案时可参照使用。企业在制定企业标准时可参照使用。

Assessment requirements for quality grading and forerunner-Docking station

T/CVIA 101-2022 55英寸显示屏结构技术规范

本文件规定了55英寸LCD显示屏(OC)与结构相关的要素和必要尺寸的要求。

55-inch display screen structure technical specification

T/SLDA 006-2022 LED灯具 UFO工矿灯

本文件规定了LED灯具系列中UFO工矿灯的术语及定义、技术要求、试验方法、检验规则等 技术要求涉及产品的外观、标记、结构、材料、防护要求、安全性能、电源适应性、环境适应性、光性能、噪音、电气安全、电磁兼容性、可靠性、智能控制等多个方面。并针对各技术要求项逐一规定了试验方法。 本文件从型式试验和质量一致性检验两个方面规范了产品定型检验和生产检验的检验项目、顺序、抽样规则、判定原则等内容。

LED luminaires ——UFO high bay lights

T/LJQ 0008-2022 质量分级及“领跑者”评价要求 移动终端用Type-C连接器

本文件规定了移动终端用Type-C连接器质量及企业标准水平评价的评价指标体系和评价方法及等级划分。 本文件适用于手机、笔记本、平板电脑、适配器等移动终端用Type-C连接器产品质量分级及企业标准水平评价。相关机构开展质量分级和企业标准水平评估、“领跑者”评价以及相关认证时可参照使用，企业在制定企业标准时也可参照本文件。

Assessment requirements for quality grading and forerunner — Type-C connectors for mobile terminal

T/CASMES 125-2022 晶圆减薄划片技术规范

本文件规定了晶圆减薄划片技术的基本要求、工艺、质量要求、维护及安全。 本文件适用于指导晶圆减薄划片，也可供生产企业在晶圆制造过程中应用减薄、划片技术时参照执行。

Wafer grinding and sawing technical specifications

T/QGCML 390-2022 光能黑板

本标准规定了光能黑板的术语定义、主要参数、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于光能黑板的生产和检验。

Light energy blackboard

T/CASMES 107-2022 IGBT 模块高速插针机

本文件规定了 IGBT 模块高速插针机（以下简称“插针机”）的工作条件、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于对于 IGBT 模块进行插针操作的高速插针机，DBC 模块高速插针机可参照执行。

IGBT model high-speed pin insertion machine

T/QGCML 367-2022 TFT-LCD 液晶显示模组

本标准规定了TFT-LCD 液晶显示模组的术语和定义、产品结构、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于TFT-LCD 液晶显示模组的生产和检验。

TFT-LCD liquid crystal display module

T/JCBD 8-2022 吉致吉品 室内COB LED显示屏

本文件规定了室内 COB LED 显示屏的分类、要求、检测方法、运输和贮存要求。 本文件适用于显示图文及视频等信息的室内 COB LED 显示屏。

Jizhi Jipin Indoor COB LED Display

T/CESA 1222-2022 薄膜晶体管光学式指纹采集器件技术规范

本文件规定了薄膜晶体管光学式指纹采集器件的技术要求,描述了对应的测试方法。 本文件适用于薄膜晶体管光学式四指图像采集模组和装有光学式四指图像采集模组的传感识别面板的性能评价，其他光学式图像采集模组可参考使用。 

Technical specifications of thin film transistor optical fingerprint capture device

T/GDEIIA 06-2022 光伏及低压直流电子设备用电涌保护模块技术规范

本文件规定了光伏及低压直流电子设备用电涌保护模块（SPM）的技术要求、测试方法和检验规则。 本文件适用于在不超过直流1500V的光伏直流以及其他低压直流系统中的电子设备内印刷电路板上安装使用的， 至少包含一个用来限制电压和泄放电流的非线性元件（压敏电阻MOV）的电涌保护模块。

Technical Specifications for Surge Protection Modules for Photovoltaic and Low-Voltage DC Electronic Equipment

T/BMCA 002-2022 各向同性导电胶粘剂试验技术规程

1、术语和定义：对各向同性导电胶粘剂、体积电阻率、导热系数给出了相应的定义。 2、规定了试验的通用要求，包括试验环境条件、状态调节、试验条件的容许误差、试验设施和仪器、受试产品的相关要求； 3、明确了试验项目和内容，将试验项目分为型式检验、出厂检验和入厂复验，并在表中列出了16个需要检验的项目； 4、规定“每一种导电胶粘剂应分别进行固化前导电胶粘剂性能试验与固化后导电胶粘剂性能试验。”并且详细规定了外观检查、粘度、触变指数等各个试验项目的试验程序； 5、规定试验报告应包括以下内容： a) 标准编号；b) 导电胶粘剂的名称及其它数据，包括主体材料的种类、填料、制造商代码、生产批号等； c) 试样的类型和制备方法； d) 试样的数量； e) 试验日期； f) 试验内容以及试验条件； g) 试验数据； h) 试验结果。

Technical specification for test of isotropic electrically conductive adhesive

T/QDAS 094-2022 二极管GPP沟槽清洗用混合酸配方

本文件规定了二极管GPP沟槽清洗用混合酸的成分、纯度要求、浓度要求、配制比例、混合酸配制和使用要求等。 本文件适用于采用二极管（包括整流二极管、快恢复功率二极管、可控硅、瞬态二极管、半导体放电管等）湿法腐蚀工艺清洗GPP沟槽的混合酸的配制。

Mixed Acid Formula for Diode GPP Groove Cleaning

T/CESA 1213-2022 通用计算CPU性能测试评价技术要求

本文件规定了通用计算CPU性能测试评价的通用要求，以及运行规则、软件框架、基准负载、运行环境及工具应用。 本文件适用于确定和评价通用计算CPU性能测试基准及CPU产品的设计、开发和使用。

Technical requirements for evaluation of general computing CPU performance test

T/CESA 1218-2022 服务器基板管理控制器（BMC） 技术要求

本文件规定了服务器基板管理控制器的基本技术要求，包括远程访问、电源和热管理、告警监控、升级、部署和配置、维护诊断、硬件管理接口、软件管理接口、安全要求和性能要求。 本文件适用于服务器产品BMC的设计和测试。

Technical requirement for server BMC

T/CESA 1219-2022 服务器基板管理控制器（BMC） 测试方法

本文件规定了服务器基板管理控制器的功能测试方法、硬件接口测试方法、软件管理方法、安全管理测试方法、性能测试方法。 本文件适用于服务器系统的测试、验证和评估。

Test methods for server BMC

T/CESA 1215-2022 通用计算CPU性能测试基准负载设计要求

本文件规定了通用计算CPU性能测试基准负载的设计要求，包括基准负载选择、负载裁剪、数据集和说明文档要求。 本文件适用于通用计算CPU性能测试基准负载的设计、开发和使用。

Design requirements for benchmark workload of general computing CPU performance test

T/CESA 1214-2022 通用计算CPU性能测试基准运行框架要求

本文件规定了通用计算CPU性能测试基准运行框架的设计要求，包括负载模块、配置模块、控制模块、通用模块和平台模块要求。 本文件适用于通用计算CPU性能测试基准运行框架的设计、开发和使用。

Framework requirements for benchmark running of general computing CPU performance test

T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表征热量在导热路径传输能力的重要参数，是直接反映器件热性能的关键技术指标之一，可以为器件的热设计与优化改进提供参考。因而，准确的热阻测试对于SiC MOSFET的鉴定、评价及其应用具有重要意义。

Transient dual test method for the measurement of the thermal resistance junction to case of silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET）