K46 电力半导体器件、部件 标准查询与下载

GB/T 21420-2008 高压直流输电用光控晶闸管的一般要求

本表准规定了高压直流输电用光控晶闸管的型号、尺寸、额定值、特性、检验规则、标志和订货单等技术要求。 本标准适用于内部集成BOD器件的高压直流输电用光控晶闸管系列。

General requirements for light-trigged thyristors for HVDC transmission

GB/T 21226-2007 半导体变流器.变流联结的标识代号

1.1 范围 本标准适用于GB/T 3859所包括的变流器设备的二极管和晶闸管堆、变流器装置的变流联结。 本标准规定的仅仅是最主要和最常用的、由阀器件构成的变流联结，并可用于作为堆和装置整个额定值代号的一部分。 本标准的适当部分也可用于其他标准涉及电力电子变换的阀器件堆和装置的变流联结。 1.2 目的 本标准的目的是规定一个逻辑系统，使用一组字母和数字符号来标识阀器件堆和装置的主臂和最主要辅助臂（如有）的联结，包括所有正在研究中的联结结构的必要资料。 因此，这种代号能代替联结图形，并且适合插入堆和装置总体额定值代号之中，也便于变流器特性资料的传播、交流、贮存和重印。 本标准使用的术语和定义见GB/T 2900.33和 GB/T 3859。

Semiconductor convertors.Identification code for convertor connections

GB/T 20989-2007 高压直流换流站损耗的确定

本标准适用于所有电网换相型高压直流换流站。这种换流站用于电力系统中变换功率。本标准假定使用的是12脉动晶闸管换流器，但6脉动晶闸管换流器也可参照使用本标准。 在某些工程中，可能将同步补偿机或静止无功补偿器连接在高压直流换流站的交流母线上。本标准不包括确定这些设备的损耗的方法。 典型的高压直流设备如图1所示。本标准提出了一套确定高压直流换流站总损耗的标准方法。本计算方法涉及除了上面提及的设备外的所有部分，定义了空载损耗和运行损耗，并提出了尽可能使用测量参数确定这些损耗的计算方法。 若换流站的设计与本标准假定的典型设计相比，采用了新的元件或新的回路结构，或采用了可能影响损耗的特殊的辅助电路，则其损耗应视具体情况而定。

Determination of power losses in high-voltage direct current(HVDC) converter stations

GB/Z 20996.2-2007 高压直流系统的性能.第2部分：故障和操作

GB/Z 20996的本部分是关于高压直流系统暂态性能和故障保护要求的指导性技术文件。论述了三相桥式(双路)联结的12脉波(动)换流单元构成的两端高压直流系统故障及操作的暂态性能。不涉及多端高压直流输电系统，但对包含在两端系统内的并联换流器和并联线路作了讨论。假定换流器使用晶闸管阀作为桥臂，采用无间隙金属氧化物避雷器进行绝缘配合，且功率能够双向传输。本部分没有考虑二极管阀。 GB／Z 20996由三个部分组成。第1部分稳态，第2部分故障和操作，第3部分动态。在制定与编写过程中，已经尽量避免了三部分内容重复。因此，当使用者准备编制两端高压直流系统规范时，应参考三个部分的全部内容。 对系统中的各个部件，应注意系统性能规范与设备设计规范之间的差别。本部分没有规定设备技术条件和试验要求，而是着重于那些影响系统性能的技术要求。本部分也没有包括详细的地震性能要求。另外，不同的高压直流系统可能存在许多不同之处，本部分也没有对此详细讨论，因此，本部分不应直接用作某个具体工程项目的技术规范。但是，可以以此为基础为具体的输电系统编制出满足实际系统要求的技术规范。本部分涉及的内容没有区分用户和制造厂的责任。

Performance of high-voltage direct current (HVDC) systems.Part 2:Faults and switching

GB/T 20990.1-2007 高压直流输电晶闸管阀 第1部分:电气试验

本部分适用于高压直流输电或作为背靠背系统一部分的电网换相换流器的晶闸管阀，在阀两端直接连接有金属氧化物避雷器。本部分只限于电气型式试验和出厂试验。 在本部分规定的试验是以空气绝缘阀为基础的。对于其他类型的阀也必须遵守本试验的要求和验收标准。

Thyristor valves for high voltage direct current(HVDC)power transmission- Part 1: Electrical testing

GB/T 20992-2007 高压直流输电用普通晶闸管的一般要求

本标准规定了高压直流输电用普通晶闸管的型号、尺寸、额定值、特性、检验规则、标志和订货单等技术要求。 本标准适用于高压直流输电用电触发反向阻断晶闸管系列。

General requirements for thyristors for HVDC transmission

GB/Z 20996.1-2007 高压直流系统的性能 第1部分：稳态

GB/Z 20996的本部分对高压直流系统的稳态性能要求提供通用的指导。本部分所涉及的是采用 两个三相换流桥组成的l2脉波(脉动)换流器(见图l)的两端高压直流系统的稳态性能，它不包括多端 高压直流输电系统。两端换流站均考虑采用晶闸管阀作为半导体换流阀，并具有双向输送功率的能力。 本部分不考虑采用二极管换流阀的情况。 GB/Z 20996由三个部分组成。第1部分稳态，第2部分故障和操作，第3部分动态。在制定与编 写过程中，已经尽量避免了三部分内容重复。因此，当使用者准备编制两端高压直流系统规范时，应参 考三个部分的全部内容。 对系统中的各个部件，应注意系统性能规范与设备设计规范之间的差别。本部分没有规定设备技 术条件和试验要求，而是着重于那些影响系统性能的技术要求。本部分也没有包括详细的地震性能要 求。另外，不同的高压直流系统可能存在许多不同之处，本部分也没有对此详细讨论，因此，本部分不应 直接用作某个具体工程项目的技术规范。但是，可以以此为基础为具体的输电系统编制出满足实际系 统要求的技术规范。本部分涉及的内容没有区分用户和制造厂的责任。 通常，对于一个具体工程的两端高压直流换流站，其性能规范应作为一个整体来编写。高压直流系 统的一些部分也可以单独地编写规范和采购，在此情况下，必须适当地考虑每一部分与整个高压直流系 统性能目标的配合，并应该明确地规定每一部分和系统之间的接口。比较容易划分并明确接l21的典型 部分有： a) 直流输电线路，接地极线路和接地极； b)远动通信系统； c) 阀厅，基础和其他的土建工程； d) 无功补偿设备，包括交流并联电容器组、并联电抗器、同步调相机和静止无功补偿器； e)交流滤波器； f)直流滤波器； g) 辅助系统； h)交流开关设备； i)直流开关设备； J)直流电抗器； k)换流变压器； 1) 避雷器； m)换流阀及其辅助设备； n)控制和保护系统。 注：实际上最后两项分开有一定的难度。

Performance of high-voltage direct current (HVDC) systems.Part 1:Steady-state conditions

GB/T 13498-2007 高压直流输电术语

本标准定义用于利用电力换流器将交流转换成直流或将直流转换成交流的高压直流输电系统和高压直流换流站的术语。 本标准适用于具有通常以采用单向电子阀(例如半导体阀)的三相桥式(双路)联结为基础(参见图2)的电网换相换流器的高压直流换流站。

Terminology for high-voltage direct current(HVDC)transmission

GB/T 20995-2007 输配电系统的电力电子技术静止无功补偿装置用晶闸管阀的试验

本标准规定了晶闸管阀的型式试验、出厂试验和选项试验。这些晶闸管阀适用于输配电系统用静止无功补偿装置（SVC）的组成部分即晶闸管控制电抗器（TCR）、晶闸管投切电抗器（TSR）和晶闸管投切电容器（TSC）。本标准的要求既适用于单个阀单元（单相），也适用于多重阀单元（多相）。 本标准第4章至第7章详述型式试验，即用以检验阀设计是否满足规定要求的试验。第8章概述出厂试验，即用以判定制造质量的试验。第9章和第10章详述选项试验，即型式试验和出厂试验以外的附加试验。

Power electronics for electrical transmission and distribution systems- Testing of thyristor valves for static VAR compensators

GB/T 10236-2006 半导体变流器与供电系统的兼容及干扰防护导则

本标准规定了半导体变流器与供电系统的兼容问题，并提供相互干扰的处理原则和方法。 本标准是GB/T 3859在半导体变流器与供电系统的兼容方面的补充。 本标准适用于电网换相半导体变流器，其他类型的半导体变流器可以参照使用。 本标准不涉及音频和射频方面兼容性问题。

Guide for compatibility and protection of interference effects between semiconductor convertors and power supply system

GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分;晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范

国际电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)遵循国际电工委员会的章程，在国际电工委员会授权下开展工作。评定体系的目的是以这样一种方式确定质量评定程序，即一个成员国按照符合适用规范要求所放行的电子元器件在其他所有成员国无需再试验同样为合格。 本空白详细规范是半导体器件一系列空白详细规范的一个，应与下列国家标准一起使用。 ——GB/T 4589.1—1989 半导体器件 分立器件和集成电路总规范。 ——GB/T 12560—1999 半导体器件 分立器件分规范。

Semiconductor devices-Discrete devices-Part 6:thyristors-Section three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A

GB/T 13150-2005 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范

国际电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)遵循国际电工委员会的章程，在国际电工委员会授权下开展工作。评定体系的目的是以这样一种方式确定质量评定程序，即一个成员国按照符合适用规范要求所放行的电子元器件在其他所有成员国无需再试验同样为合格。 本空白详细规范是半导体器件一系列空白详细规范的一个，应与下列国家标准一起使用。 ——GB/T 4589.1-1989 半导体器件 分力器件和集成电路总规范 ——GB/T 12560-1999 半导体器件 分力器件分规范

Semiconductor devices-Discrete devices-Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A

GB/T 3859.4-2004 半导体变流器 包括直接直流变流器的半导体自换相变流器

本部分适用于电力变流器中至少有一部分是自换相型的所有类型半导体自换相变流器。例如：交流变流器，间接直流变流器，直接直流变流器。 GB／T 3859．1中的要求，只要不与本部分相矛盾，也同样适用于自换相变流器。对于某些特殊应用，如不间断电源设备(UPS)，交、直流调速传动和电气牵引设备，可使用另外的标准。 注：试验限制可适用于特殊应用，如大功率无功变流器。

Semiconductor converter-Self-commutated semiconductor converters including direct d.c.converters

GB/T 8446.3-2004 电力半导体器件用散热器 第3部分;绝缘件和紧固件

GB/T 8446的本部分规定了散热器的绝缘件和紧固件的型式系列、尺寸、技术要求、检验规则和包装、运输等要求。 本部分适用于电力半导体器件用铸造类（包括挤压）散热器的绝缘件和紧固件，也适用于安装尺寸与铸造散热器相同的型材散热器和热管散热器的绝缘件和紧固件。

Heat sink for power semiconductor device Part 3:Insulators and fasteners

GB/T 8446.2-2004 电力半导体器件用散热器 第2部分;热阻和流阻测试方法

GB/T 8446的本部分给出了测试散热器热阻和流阻的原理，规定了风冷、自冷和水冷散热器的测试系统要求，测试条件和基本测量程序。 本部分适用于电力半导体器件用铸造类（包括挤压）散热器、型材类散热器和热管类散热器的热阻和流阻的测试。

Heat sink for power semiconductor device Part 2:Measuring method of thermal resistance and input fluid-output fluid pressure difference

GB/T 8446.1-2004 电力半导体器件用散热器 第1部分;铸造类系列

GB/T 8446的本部分规定了散热器的术语定义、型式尺寸、技术要求、检验规则和标志、包装等要求。 本部分适用于电力半导体器件用，热阻在7.5℃/W至0.01℃/W的铸造类（包括挤压）散热器。外形尺寸和安装尺寸符合本部分第5章规定的型材散热器也可参照使用。 本部分不适用于热管类散热器。

Heat sink for power semiconductor device part 1:Casting kind series

GB/T 3886.1-2001 半导体电力变流器 用于调速电气传动系统的一般要求 第1部分;关于直流电动机传动额定值的规定

本标准规定了确定调速电气传动系统用半导体电力变流器额定值时可采用的方法，主要用于直流电动机传动。 本标准的规定是针对电网或机械换向型变流器（但并不限于此），不包含牵引用调速传动。 本标准是 GB／T 3859一1993的延伸和补充。对于调速直流电动机传动用变流器的一般要求已包括在 GB／T 3859之中。 在本标准中使用的“半导体”术语，意指反向阻断三极晶闸管。合适时，本标准也适用于使用其他类型半导体器件（例如双向晶闸管）的变流器。

Semiconductor power convertors--Adjustable speed electric drive systems--General requirements Part 1: Rating specifications,particularly for d.c.motor drives

GB/T 17950-2000 半导体变流器 第6部分:使用熔断器保护半导体变流器防止过电流的应用导则

本标准作为应用导则，适用于带有熔断器的半导体变流器，熔断器用来保护构成变流器主臂的半导体。本标准限于单拍或双拍联结的电网换相变流器，也适用于满足GB/T 13539.1和GB 13539.4要求的熔断器。适当时，本标准的通用条款也对第2章引用标准 GB/T 3859和IEC 1287-1所包括的变流器给出了指导。 本标准的目的是对特定熔断器和变流器的特性提出建议并作出说明，以保证在变流器中正确选择应用半导体熔断器。同时对用熔断器来保护变流器的安全运行作了特别介绍。 本报告最主要的内容是通过主臂用熔断器保护的三相变流器联结进行说明。而且，这也适用于由GB/T 3859.1和IEC 1287-1所包含的变流器。

Semiconductor converter-Part 6:Application guide for the protection of semiconductor converters against overcurrent by fuses

GB/T 17007-1997 绝缘栅双极型晶体管测试方法

Measuring methods for insulated-gate bipolar transistor

GB/T 17008-1997 绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号

Terminology and letter symbols for insulated-gate bipolar transistor