H81 半金属 标准查询与下载



共找到 66 条与 半金属 相关的标准,共 5

Recycled selenium material

ICS
77.150.99
CCS
H81
发布
2020-10-11 00:00:00.0
实施
2021-09-01 00:00:00.0

Recycled tellurium material

ICS
77.150.99
CCS
H81
发布
2020-10-11 00:00:00.0
实施
2021-09-01 00:00:00.0

本标准规定了工业硅的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和订货单(或合同)的内容。本标准适用于矿热炉内炭质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅,主要用于配制合金、制取多晶硅和生产有机硅等。

Silicon metal

ICS
29.045
CCS
H81
发布
2014-12-05
实施
2015-08-01

本标准提供了硅片表面粗糙度测量常用的轮廓仪、干涉仪、散射仪三类方法的测量原理、测量设备和程序,并规定了硅片表面局部或整个区域的标准扫描位置图形及粗糙度缩写定义。本标准适用于平坦硅片表面的粗糙度测量;也可用于其他类型的平坦晶片材料,但不适用于晶片边缘区域的粗糙度测量。本标准不适用于带宽空间波长≤10 nm的测量仪器。

Test method for measuring surface roughness on planar surfaces of silicon wafer

ICS
29.045
CCS
H81
发布
2013-05-09
实施
2014-02-01

本标准规定了应用扫描表面检查系统(SSIS)对硅抛光片表面颗粒进行测试、计数和报告的程序。 本标准适用于硅抛光片,也可适用于硅外延片或其他镜面抛光片(如化合物抛光片)。 本标准也可适用于观测硅抛光片表面的划痕、橘皮、凹坑、波纹等缺陷,但这些缺陷的检测、分类依赖于设备的功能,并与检测时的初始设置有关。 注:本标准涉及的方法通常选用波长(48~6 33)nm的激光光源,最常用的是488nm的氩离子激光器;目前可测量的最小值颗粒直径为0.06μm或更小些。

Test method of particles on silicon wafer surfaces

ICS
77.040.01
CCS
H81
发布
2005-09-19
实施
2006-04-01

本标准规定了半导体键合铝-1%硅细丝的要求、试验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存。 本标准适用于半导体键合用圆形拉制A1-1%Si合金丝。

Fine aluminum-1% silicon wire for semiconductor lend-bonding

ICS
29.045
CCS
H81
发布
1998-07-15
实施
1999-02-01

本标准规定了锗单晶切割片、研磨片和腐蚀片(简称锗片)的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于各种牌号的锗单晶经切割、双面研磨、分割、腐蚀制备的圆形、方形和长方形锗片。产品用于制作晶体管和红外器件。

Monocrystalline germanium slices

ICS
29.045
CCS
H81
发布
1995-10-17
实施
1996-03-01

本标准规定了锗单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制作半导体器件等用的锗单晶。

Monocrystalline germanium

ICS
29.040.30
CCS
H81
发布
1995-10-17
实施
1996-03-01

本标准规定了还原锗锭的产品分类、技术要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于以二氧化锗为原料,经氢还原法制备的锗锭。产品主要用于制备区熔锗锭。

Reduced germanium ingot

ICS
77.120.70
CCS
H81
发布
1989-03-31
实施
1990-02-01

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用。

Liquid encapaulated czochralski-grouwn gallium arsenide single crystals and As-cut slices

ICS
29.040.30
CCS
H81
发布
1989-03-31
实施
1990-03-01

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。 本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟单晶及其切割片。

Indium antimonide polycrystal, single crystals and as-cut slices

ICS
77.140.90
CCS
H81
发布
1989-03-31
实施
1990-02-01

本标准规定了区熔锗锭的产品分类、技术要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于以还原锗锭及锗单晶返料为原料,经区熔提纯而制得的锗锭。产品供制备半导体锗单晶、光学用锗晶体和锗合金等用。

Zone-refined germanium ingot

ICS
77.120.70
CCS
H81
发布
1989-03-31
实施
1990-02-01

本标准规定了水平法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于水平法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用。

Boat-grown gallium arsenide single crystals and As-cut slices

ICS
77.160
CCS
H81
发布
1989-03-31
实施
1990-03-01

ICS
77.150.99
CCS
H81
发布
2016-07-11
实施
2017-01-01

ICS
77.150.99
CCS
H81
发布
2016-07-11
实施
2017-01-01

Dieser Teil der ISO 4829 legt ein spektrophotometrisches Verfahren mit reduziertem Molybdatosilicat zur Bestimmung des Gesamtsiliciumanteils in Stahl fest. Dieses Verfahren lässt sich auf Siliciumanteile im Bereich von 0,01 % bis 0,05 % (Massenanteil) in Stählen anwenden.

Steels - Determination of total silicon contents - Reduced molybdosilicate spectrophotometric method - Part 2: Silicon contents between 0@01 % and 0@05 %

ICS
77.040.30;77.080.01
CCS
H81
发布
2016-03
实施

本标准规定了砷的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、合同(或订货单)及安全。本标准适用于以三氧化二砷(AsO)为原料,经升华、还原、冷却而制得的砷。该产品主要用于生产合金和半导体等行业。

Arsenic

ICS
77.150.99
CCS
H81
发布
2014-10-14
实施
2015-04-01

이 표준은 실리콘 웨이퍼의 결정 결함을 육가 크로뮴을 포함하지 않은 선택 에칭액에 의해 검

Test methods of crystalline defects in silicon by preferential etch techniques

ICS
77.120.99
CCS
H81
发布
2012-05-17
实施
2012-05-17

이 표준은 반도체 소자용 실리콘 웨이퍼를 화학적ㆍ기계적 방법으로 거울면 다듬질한 웨이퍼(이

Visual inspection for silicon wafers with specular surfaces

ICS
77.120.99
CCS
H81
发布
2012-05-17
实施
2012-05-17

이 표준은 실리콘 단결정 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 한다.)의 두께, 두께 변화 및 휨의 측정

Methods of measurement of thickness,thickness variation and bow for silicon wafer

ICS
77.120.99
CCS
H81
发布
2012-05-17
实施
2012-05-17



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