牛津PlasmaPro 100等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）

System 100 -等离子刻蚀与沉积设备

   该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。

  具有zei大的工艺灵活性，适用于化合物半导体，光电子学，光子学，微机电系统和微流体技术， PlasmalabSystem100可以有很多的配置，详情如下。

主要特点

可处理8 “晶片，也具有小批量（6 × 2“）预制和试生产的能力

选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。 该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中，采用中央机械手传送晶片，生产工艺中采用全片盒到片盒晶片传送. 采用一系列的电极进行衬底温度控制，其温度范围为-150 ° C至700° C

用于终端检测的激光干涉和/或光发射谱可安装在Plasmalab System100以加强刻蚀控制

选的6 或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性，并可以放置在远端，远离主要工艺设备

工艺

一些使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的例子：

低温硅刻蚀，深硅刻蚀和SOI工艺，应用于MEMS ，微流体技术和光子技术

用于激光器端面的III - V族刻蚀工艺，通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用，材料范围广泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等）

 GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺，比如HBLED和其它功率器件的刻蚀

高品质，高速率SiO2沉积，应用于光子器件

金属（Nb, W）刻蚀

    zei新的单晶片刻蚀技术-PlasmaPro100 Sapphire。牛津仪器致力于固态照明的技术革新，凭着在HBLED相关材料方面经验丰富，设备使用成本控制和符合产量要求的同时，我们的新技术还可以zei大化地提高客户的产品良率。

    针对HBLED苟刻的化学环境要求，PlasmaPro100 Sapphire具有特殊的设计，可以在直径为200mm的晶片上进行快速和均匀的刻蚀。牛津仪器一直努力地为客户提供创新的、有效控制成本和可靠的工艺方案。这个zei新设计的设备满足了所有的要求。

   主要特点和优势包括：具有独家的静电吸盘技术，能固定蓝宝石，和生长蓝宝石或硅上的氮化镓；高功率的ICP能生产出高密度的等离子体；磁隔离区可提高离子控制和均匀性；高电导泵水系统可以在低压下zei大化地运送气体。

PlasmaPro 100单晶圆蚀刻系统，单晶圆蚀刻技术演进的zei新成果.

凭借我们丰富的蚀刻HBLED相关材料的经验，我们的技术能帮您利用zei低的运营成本、zei大化发挥设备的性能以获得想要的收益。

PlasmaPro 100单晶圆蚀刻系统可提供智能解决方案，为您提供极富竞争力的蚀刻效果。

PlasmaPro 100单晶圆蚀刻系统专为HBLED材料苛刻的化学要求而设计，能在zei大直径为200mm的晶圆上获得均匀、快速的蚀刻速率。此外，PlasmaPro 100还拥有高可靠性、持续运行时间长和容易操作等优点。

专用的静电夹可以夹持：

• 蓝宝石

• 蓝宝石上的GaN

• 硅

系统主要特性和优点：

• 主动冷却电极可在蚀刻过程中维持样本温度不变

• 高功率ICP源可产生高密度的等离子体

• 磁隔离装置可用于增强离子控制和均匀度

• 高导电的泵送系统

• 高可靠性的硬件、容易操作、出色的持续运行时间