FIB（聚焦离子束）技术应用实验室
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IC芯片电路修改
用FIB对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试,以便更快更准确的验证设计方案。
若芯片部份区域有问题,可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能,以便找到问题的症结。
FIB还能在最终产品量产之前提供部分样片和工程片,利用这些样片能加速终端产品的上市时间。
利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数，缩短研发时间和周期。
FIB透射电镜样品制备
这一技术的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。试样可以为 IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的包覆颗粒，对于纤维状试样，既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。对含有界面的试样或纳米多层膜，该技术可以制备研究界面结构的透射电镜试样。技术的另一重要特点是对原始组织损伤很小。
截面分析
用FIB在IC芯片特定位置作截面断层,以便观测材料的截面结构与材质,定点分析芯片结构缺陷。
芯片开封
开封，即开盖/开帽，指去除IC封胶，同时保持芯片功能的完整无损，保持die,bond-pads,bond- wires,乃至leadframe 不受损伤，为下一步芯片失效分析实验做准备。
探针测试点
在复杂IC线路中任意位置引出测试点, 以便进一步使用探针台(Probe- station) 或 E-beam 直接观测IC内部信号。
