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二硫化钼纳米片功函数相关研究获进展
哈尔滨工业大学的研究人员在二维二硫化钼(MoS2)纳米片功函数及载流子浓度调控研究方面取得进展，相关论文日前在《美国化学会·纳米》刊发。
据介绍，与石墨烯相比，二维MoS2纳米片具有合适的带隙，适用于光检测等功能器件。金属电极与MoS2纳米片之间的电接触行为对器件性能的影响很大，研究者需要了解接触处的能带排列，因此对MoS2纳米片功函数的表征及调控成为最近的研究热点。
研究人员通过引入具有偶极动量的自组装单分子层，成功对MoS2纳米片载流子及功函数进行了调控，其自组装单层能够使得单层MoS2纳米片的场效应晶体管极性发生变化。通过调节MoS2纳米片的功函数来调控MoS2纳米片功能器件中金属电极与 MoS2接触处的接触势垒，能够指导基于电接触的功能器件的设计及制备，用于气敏及光响应器件等领域。
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