SJ 3248-1989由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 1989-03-20,并于 1989-03-25 实施。
SJ 3248-1989 在中国标准分类中归属于: H83 化合物半导体材料,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
SJ 3248-1989 重掺砷化镓和磷化铟载流子浓度的红外反射测试方法的最新版本是哪一版?
最新版本是 SJ 3248-1989 。
本标准规定了红外反射法测量重掺砷化镓和磷化铟载流子浓度的测量原理,仪器设备、样品制备、测量步骤。结果计算和精度等。 本标准适用于测量重掺砷化镓和磷化锢单晶载流子浓度,也适用于测量外延层的载流子浓度。
磷化铟 InP 磷化铟是继硅和砷化镓之后又一重要的Ⅲ一 V 族化合物半导体材料,几乎在与锗、硅等第一代元素半导体材料的发展和研究的同时,科学工作者对化合物半导体材料也开始了大量的探索工作。 磷化铟(InP)作为一种新型半绝缘晶片,它的出现对于改善和提高 InP 基微电子器件的性能具有重要的意义。...
实验发现THG随着石墨烯掺杂浓度变大而增强,重掺石墨烯的THG、信号比未掺石墨烯的信号强30倍,图4c是在1566 nm飞秒激光器激发下器件的THG信号,外加栅压能有效地增强THG信号;图4d是FWM信号,和频FWM与掺杂浓度成正相关,差频FWM与石墨烯掺杂浓度成负相关。该研究组成员定量地分析了THG、FWM信号与掺杂的关系,对未来光学非线性效应的研究与应用提供强有力的理论支撑。...
样品包括纯硅晶片和掺有各种杂质的硅晶片,以及锗片和碲化锌、砷化镓和磷化镓的晶体。样品厚度从300微米至仅4或7微米(这还不到人类一根头发的厚度)。来自NIST PML的Robert Thurber(几十年来他一直都在使用传统的方法来测量晶体)对每个样品进行了测试,他利用的是霍尔技术。然后,他将这些样品送到Heilweil的实验室,用太赫兹设备进行测试。...
按照太阳电池的PCE与其S-Q极限值的接近程度,可以将太阳电池材料分为三类(图1(b)):第一类为超高效率的单晶光伏材料,其PCE超过S-Q值的75%,主要有单晶硅(同质或异质)、砷化镓和磷化铟镓。第二类为高效多晶材料,其PCE为S-Q值的50-75%,包括多晶硅、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉、钙钛矿和磷化铟。...
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