SJ 20636-1997
IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法
Test method for oxygen and carbon contents of large diameter thin silicon wafer in microzone for use in IC
哪些标准引用了SJ 20636-1997
找不到引用SJ 20636-1997 IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法 的标准
- 标准号
- SJ 20636-1997
- 发布
- 1997年
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ 20636-1997
- 本标准规定了厚度为0.3～2.0mm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测量方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω.cm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测定。测量范围。对于间隙氧含量为3.0×10^(16)at．cm^(-3)至间隙氧在硅中最大固溶度；对于替位碳含量为5.0×10^(15)at．cm^(-3)至替位碳...
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