SJ 20636-1997
IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法

Test method for oxygen and carbon contents of large diameter thin silicon wafer in microzone for use in IC

SJ 20636-1997 发布历史

本标准规定了厚度为0.3～2.0mm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测量方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω.cm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测定。测量范围。对于间隙氧含量为3.0×10^(16)at．cm^(-3)至间隙氧在硅中最大固溶度；对于替位碳含量为5.0×10^(15)at．cm^(-3)至替位碳在硅中最大固溶度。

SJ 20636-1997由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 1997-06-17，并于 1997-10-01 实施。

SJ 20636-1997 在中国标准分类中归属于: L55 微电路综合，在国际标准分类中归属于: 31.200 集成电路、微电子学。

SJ 20636-1997的历代版本如下：

• 1997年06月17日 SJ 20636-1997 IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法

标准号

SJ 20636-1997

发布日期

1997年06月17日

实施日期

1997年10月01日

废止日期

无

中国标准分类号

L55

国际标准分类号

31.200

发布单位

CN-SJ

适用范围

本标准规定了厚度为0.3～2.0mm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测量方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω.cm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测定。测量范围。对于间隙氧含量为3.0×10^(16)at．cm^(-3)至间隙氧在硅中最大固溶度；对于替位碳含量为5.0×10^(15)at．cm^(-3)至替位碳在硅中最大固溶度。

SJ 20636-1997 中可能用到的仪器设备