SJ 20636-1997
IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法

Test method for oxygen and carbon contents of large diameter thin silicon wafer in microzone for use in IC

说明：

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SJ 20636-1997

标准号
SJ 20636-1997
发布日期
1997年06月17日
实施日期
1997年10月01日
废止日期
无
中国标准分类号
L55
国际标准分类号
31.200
发布单位
CN-SJ
适用范围
本标准规定了厚度为0.3～2.0mm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测量方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω.cm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测定。测量范围。对于间隙氧含量为3.0×10^(16)at．cm^(-3)至间隙氧在硅中最大固溶度；对于替位碳含量为5.0×10^(15)at．cm^(-3)至替位碳在硅中最大固溶度。

SJ 20636-1997 中可能用到的仪器设备

红外光谱仪 分子荧光光谱/荧光分光光度计 生物显微镜 光纤光谱仪 其它物性测试仪器


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