ASTM E1162-11(2019)
二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程
Standard Practice for Reporting Sputter Depth Profile Data in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)
- 标准号
- ASTM E1162-11(2019)
- 发布
- 2019年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 当前最新
- ASTM E1162-11(2019)
- 引用标准
- ASTM E673
- 适用范围
- 1.1 本实践涵盖了描述和报告仪器、样本参数、实验条件和数据缩减程序所需的信息。 SIMS 溅射深度剖面可以使用各种主束激发条件、质量分析、数据采集和处理技术来获得 (1-4)。2 1.2 局限性 — 这种做法仅限于对信息进行平均的传统溅射深度剖面。在样本平面上的分析区域上。允许分析区域内二次离子横向空间分辨率的离子微探针或显微镜技术（例如图像深度分析）被排除在外。
1.3 以 SI 单位表示的值应被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。
1.4 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任建立适当的安全、健康和环境实践，并在使用前确定监管限制的适用性。
1.5 本国际标准是根据世界贸易组织贸易技术壁垒（TBT）委员会发布的《关于制定国际标准、指南和建议的原则的决定》中确立的国际公认的标准化原则制定的。
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