SAE J1752/3-1995
集成电路辐射发射的测量-Tem/宽带 Tem（Gtem）电池方法； Tem Cell（150 Khz 至 1 Ghz）、宽带 Tem Cell（150 Khz 至 8 Ghz）

Measurement of Radiated Emissions From Integrated Circuits-Tem/Wideband Tem (Gtem) Cell Method; Tem Cell (150 Khz to 1 Ghz), Wideband Tem Cell (150 Khz to 8 Ghz)

被代替

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 SAE J1752/3-1995 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

标准号

SAE J1752/3-1995

发布

1995年

发布单位

美国机动车工程师协会

替代标准

SAE J1752/3-2003

当前最新

SAE J1752/3-2017

 

 

适用范围

该测量程序定义了一种测量集成电路 (IC) 电磁辐射的方法。待评估的 IC 安装在 IC 测试印刷电路板 (PCB) 上，该印刷电路板夹在 TEM 或宽带 TEM (GTEM) 单元顶部或底部切割的配合端口（称为墙壁端口）上。测试板不像常规使用那样位于电池内，而是成为电池壁的一部分。该方法适用于任何经过改造以合并壁端口的 TEM 或 GTEM 单元；然而，测得的射频电压受到隔膜与测试板（墙）间距的影响。该程序是使用隔膜与壁间距为 45 mm 的 1 GHz TEM 单元和端口区域上隔膜与壁平均间距为 45 mm 的 GTEM 单元开发的。其他电池可能不会产生相同的光谱输出，但可用于比较测量，但受其频率和灵敏度限制。

SAE J1752/3-1995相似标准

推荐

SAE J1752/3-1995系列标准

SAE J1752/3-1995 中可能用到的仪器设备