SAE J1752-3-2011
集成电路辐射发射的测量 EM/Wideband TEM（GTEM）Cell Method； TEM 小室（150 kHz 至 1 GHz） 宽带 TEM 小室（150 kHz 至 8 GHz）

Measurement of Radiated Emissions from Integrated Circuits—TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; TEM Cell (150 kHz to 1 GHz)@ Wideband TEM Cell (150 kHz to 8 GHz)

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标准号

SAE J1752-3-2011

发布

2011年

发布单位

SAE - SAE International

替代标准

SAE J1752-3-2017

当前最新

SAE J1752-3-2017

 

 

适用范围

该测量程序定义了一种测量集成电路 (IC) 电磁辐射的方法。待评估的 IC 安装在 IC 测试印刷电路板 (PCB) 上，该印刷电路板夹在 TEM 或宽带 TEM (GTEM) 单元顶部或底部切割的配合端口（称为墙壁端口）上。测试板不像常规使用那样位于电池内，而是成为电池壁的一部分。该方法适用于任何经过改造以合并壁端口的 TEM 或 GTEM 单元；然而@测得的射频电压受到隔膜与测试板（墙）间距的影响。该程序是使用隔膜与壁间距为 45 mm 的 1 GHz TEM 单元和端口区域上隔膜与壁平均间距为 45 mm 的 GTEM 单元开发的。其他电池可能不会产生相同的频谱输出，但可用于比较测量@，但受其频率和灵敏度限制。转换因子可以允许在具有不同隔膜与壁间距的 TEM 或 GTEM 单元上测量的数据之间进行比较。 IC 测试板控制工作 IC 相对于电池的几何形状和方向，并消除电池内的任何连接引线（这些引线位于电池外部的电路板背面）。对于 TEM 单元@ 50 个 ?? 之一端口以 50 ?? 终止加载。另外50个?? TEM 单元@ 或单个 50 ?? 的端口GTEM 单元 @ 的端口连接到频谱分析仪或接收器的输入，用于测量 IC 发出的 RF 发射并耦合到 TEM 单元的隔膜上。测量原理 频谱分析仪输入端出现的 RF 电压与 IC 及其所属电子模块的电磁辐射电位相关。目的是提供 IC 射频发射的定量测量，以用于比较或其他目的。

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