SAE J1752/3-2003
集成电路 TEM/宽带 TEM（GTEM）单元法的辐射发射测量； TEM 小室（150 kHz 至 1 GHz）、宽带 TEM 小室（150 kHz 至 8 GHz）

适用范围: 该测量程序定义了一种测量集成电路 (IC) 电磁辐射的方法。待评估的 IC 安装在 IC 测试印刷电路板 (PCB) 上，该印刷电路板夹在 TEM 或宽带 TEM (GTEM) 单元顶部或底部切割的配合端口（称为墙壁端口）上。测试板不像常规使用那样位于电池内，而是成为电池壁的一部分。该方法适用于任何经过改造以合并壁端口的 TEM 或 GTEM 单元；然而，测得的射频电压受到隔膜与测试板（墙）间距的影响。该程序是使用隔膜与壁间距为 45 mm 的 1 GHz TEM 单元和端口区域上隔膜与壁平均间距为 45 mm 的 GTEM 单元开发的。其他电池可能不会产生相同的光谱输出，但可用于比较测量，但受其频率和灵敏度限制。转换因子可以允许在具有不同隔膜与壁间距的 TEM 或 GTEM 单元上测量的数据之间进行比较。 IC 测试板控制操作 IC 相对于电池的几何形状和方向，并消除电池内的任何连接引线（这些引线位于电路板的背面，位于电池外部）。对于 TEM 池，50 Ω 端口之一端接 50 Ω 负载。 TEM 单元的另一个 50 端口或 GTEM 单元的单个 50 端口连接到频谱分析仪或接收器的输入，用于测量 IC 发出的 RF 发射并耦合到 TEM 单元的隔膜上。

SAE J1752/3-2003集成电路 TEM/宽带 TEM（GTEM）单元法的辐射发射测量； TEM 小室（150 kHz 至 1 GHz）、宽带 TEM 小室（150 kHz 至 8 GHz）