ASTM F1190-18
中子照射无偏电子元件的标准指南
Standard Guide for Neutron Irradiation of Unbiased Electronic Components
ASTM F1190-18 发布历史
ASTM F1190-18由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2018-03-01。
ASTM F1190-18在国际标准分类中归属于: 31.020 电子元器件综合。
ASTM F1190-18 发布之时，引用了标准
- ASTM E1249 使用Co-60源的硅电子器件的辐射硬度测试中最小化剂量误差的标准实践*， 2021-02-01 更新
- ASTM E1250 硅电子器件辐射强度试验用钴60辐射源的低能γ成分评估的电离箱的应用的标准试验方法
- ASTM E1854 电子部件的中子诱导取代损害的安全试验的标准操作规程
- ASTM E1855 作为中子光谱传感器和位移破坏性监测器的2N2222A硅双极晶体管使用的标准试验方法
- ASTM E2450 混合中子光子环境中CaF＜inf＞2*， 2023-01-01 更新
- ASTM E264 用镍的放射性测量快中子反应速率的标准试验方法
- ASTM E265 用硫-32的放射性测量快速中子流量密度和反应速率的测试方法
- ASTM E668 用于确定电子设备辐射硬度测试中吸收剂量的热释光剂量法（TLD）系统的标准实践*， 2020-07-01 更新
- ASTM E720 电子辐射强度试验中中子波谱测定用中子激活箔的选择和应用标准指南
- ASTM E721 电子辐射强度试验用中子激活箔测定中子能谱的标准指南
- ASTM E722 确定电子辐射强度试验用等效单能级中子注量的能级中中子能量注量能谱的特征
- ASTM F1892 半导体器件电离辐射(总剂量)效应试验的标准指南
- ASTM F980 硅半导体器件中子诱发位移损伤的快速退火测量指南
* 在 ASTM F1190-18 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。
ASTM F1190-18的历代版本如下：
- 2018年 ASTM F1190-18 中子照射无偏电子元件的标准指南
- 2011年 ASTM F1190-11 无偏电子元件中子辐照的标准指南
- 1999年 ASTM F1190-99(2005) 未加偏压的电子元件的中子照射标准指南
- 1999年 ASTM F1190-99 未加偏压的电子元件的中子照射标准指南
- 1993年 ASTM F1190-93 未加偏压的电子元件的中子照射标准指南
1.1 本指南严格仅适用于将无偏硅 (Si) 或砷化镓 (GaAs) 半导体元件（集成电路、晶体管和二极管）暴露于中子辐射以确定元件中的永久性损坏。国家标准中规定的经过验证的 1-MeV 位移损伤函数目前不适用于其他半导体材料。
1.2 本指南的内容（注明了偏差）也可能适用于由其他材料组成的半导体的暴露，但国家标准中规定的经过验证的 1-MeV 位移损伤函数目前尚不可用。
1.3 本指南仅讨论暴露条件。辐射对测试样品的影响应使用适当的电气测试方法来确定。
1.4 本指南解决与中子辐照有关的问题和关切。
1.5 本指南不包括系统和子系统的暴露和测试方法。
1.6 位移损伤半导体测试中中子注量的关注范围约为 109 至 1016 1-MeV n/cm2。
1.7 本指南不涉及中子引起的单个或多个中子事件效应或瞬态退火。
1.8 本指南提供了测试方法 1017 的替代方法，即中子位移测试，它是 MIL-STD-883 和 MIL-STD-750 的组成部分。
1.9 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任建立适当的安全、健康和环境实践，并在使用前确定监管限制的适用性。
1.10 本国际标准是根据世界贸易组织贸易技术壁垒（TBT）委员会发布的《关于制定国际标准、指南和建议的原则的决定》中确立的国际公认的标准化原则制定的。
- 标准号
- ASTM F1190-18
- 发布
- 2018年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 当前最新
- ASTM F1190-18
- 引用标准
- ASTM E1249 ASTM E1250 ASTM E1854 ASTM E1855 ASTM E2450 ASTM E264 ASTM E265 ASTM E668 ASTM E720 ASTM E721 ASTM E722 ASTM F1892 ASTM F980 MIL-STD-750 MIL-STD-883