GB/T 41751-2022
氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
GBT41751-2022, GB41751-2022
GB/T 41751-2022 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 41751-2022
- 别名
- GBT41751-2022
GB41751-2022 - 发布
- 2022年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 41751-2022
- 引用标准
- GB/T 14264
- 本文件规定了利用高分辨X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法。 本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的测试,氮化镓外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。
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