GB/T 41751-2022
氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
GBT41751-2022, GB41751-2022
GB/T 41751-2022 发布历史
GB/T 41751-2022由国家质检总局 CN-GB 发布于 2022-10-14，并于 2023-02-01 实施。
GB/T 41751-2022 在中国标准分类中归属于: H21 金属物理性能试验方法，在国际标准分类中归属于: 77.040 金属材料试验。
GB/T 41751-2022 发布之时，引用了标准
- GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 41751-2022的历代版本如下：
- 2022年 GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
本文件规定了利用高分辨X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法。 本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的测试,氮化镓外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。
- 标准号
- GB/T 41751-2022
- 别名
- GBT41751-2022
GB41751-2022 - 发布
- 2022年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 41751-2022
- 引用标准
- GB/T 14264