中科院苏州纳米所所长特别助理、苏州纳米所测试分析平台中心主任、苏州纳维董事长徐科对《中国科学报》记者说:“通过10年努力,我们在氮化镓晶体结晶质量与块体材料电子迁移率等综合指标方面均步入国际第一方阵,2英寸氮化镓产品开始批量生产销售,2017年在国际上率先推出4英寸氮化镓单晶衬底,用户覆盖了国内外80%以上的研发机构和企业。” ...
碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓(GaN)的晶格失配小,SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。...
点击上方“材料人” 即可订阅我们日前,中科院半导体所发布了科技成果汇编2017年版,材料牛摘录其中四个材料类成果如下:高性能氮化镓基电子材料项目名称:高性能氮化镓基电子材料项目成熟阶段:成熟期概况: 氮化镓(GaN)基电子材料是发展新一代GaN基微波功率器件和电力电子器件的基础,处于信息 产业链的高端,是各国竞相占领的新一代战略高技术制高点,也是推动和发展我国新一代信息产业的重要机遇。...
住友是全球半绝缘型砷化镓单晶片水平最高的公司,以VB法生产砷化镓为主,能够量产4寸和6寸单晶片;德国Freiberger主要以VGF、LEC法生产2到6英寸砷化镓衬底,产品全部用于微电子领域;美国AXT产品中一半用于LED,一半用作微电子衬底。国内供应商砷化镓衬底主要用于LED芯片,少数公司如云南锗业用于射频的砷化镓衬底逐渐放量。英国IQE占据外延片市场53%的市场份额。...
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