GB/T 1552-1995由国家质检总局 CN-GB 发布于 1995-04-18,并于 1995-12-01 实施,于 2010-06-01 废止。
GB/T 1552-1995 在中国标准分类中归属于: H21 金属物理性能试验方法,在国际标准分类中归属于: 77.040.30 金属材料化学分析。
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法的最新版本是哪一版?
最新版本是 GB/T 1551-2021 。
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法 于 2009-10-30 变更为 GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法。
本标准规定了用直排四探针测量硅、锗单晶电阻率的方法。 本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于控针间距的4倍的硅、锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于控针间距4倍的硅、锗单晶圆片(简称圆片)的电阻率。测量范围为硅:1×10~3×10Ω·cm,锗:1×10、1×10Ω·cm。
高温四探针测试仪可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率和外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其他导电薄膜的方块电阻。 ...
高温四探针测试仪可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率和外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其他导电薄膜的方块电阻。那么高温四探针测试仪的测量原理是什么呢?测量电阻率的方法很多,如三探针法、电容 -电压法、扩展电阻法等,四探针法则是一种广泛采用的标准方法,高温四探针测试仪采用经典直排四探针原理,同时采用了双电测组合四探针法。...
高温四探针测试仪可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率和外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其他导电薄膜的方块电阻。 那么高温四探针测试仪的测量原理是什么呢? ...
多功能数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量 仪器。该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、 GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准。 仪器成套组成:由主机、选配的四探针探头、测试台等部分组成。...
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