GB/T 1551-2021
硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method
GBT1551-2021, GB1551-2021
- 标准号
- GB/T 1551-2021
- 别名
- GBT1551-2021, GB1551-2021
- 发布
- 2021年
- 发布单位
- 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
- 当前最新
- GB/T 1551-2021
- 引用标准
- GB/T 14264 GB/T 1550
- 被代替标准
- GB/T 1551-2009
- 适用范围
- 本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。 本文件适用于硅单晶电阻率的测试,其中直排四探针法可测试的p 型硅单晶电阻率范围为7×10 Ω·cm~8×103 Ω·cm,n 型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm~1.5×104 Ω·cm;直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率,测试范围为1×10-3 Ω·cm~1×-4 104 Ω·cm,样品长度与截面最大尺寸之比不小于3∶1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。
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