JIS H 0602:1995
用四点探针法对硅晶体和硅片电阻率的测试方法

Testing method of resistivity for silicon crystals and silicon wafers with four-point probe


标准号
JIS H 0602:1995
发布
1995年
发布单位
日本工业标准调查会
当前最新
JIS H 0602:1995
 
 
适用范围
この規格は,シリコン単結晶(以下,単結晶という。)及びシリコンウェーハ(以下,ウェーハという。)の直流4探針法による抵抗率の側定方法について規定する。測定可能な抵抗率範囲は,P形は0.001~2000 Ω·cm, N形は0.001-6000Ω·cmとする。

JIS H 0602:1995相似标准


推荐

高频光电导寿命测试仪资料

本设备是按照标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核器行业已运用了三十多年,积累了丰富使用经验,经过数次十多个单位巡回测试考验,证明是一种成熟测试方法,特别适合于块、少子体寿命测量;也可对硅片进行测量,给出相对寿命值。方法本身样品表面的要求为研磨面,因此制样特别简便。...

解析光伏电池板为何产生光衰减现象

2在高纯多晶料中掺人过多低电阻率N型料苰IC废N型硅片等。所制造出掺硼CZ棒是一种高补偿P型单晶材料。尽管电阻率合适,但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度早期光致衰减。我们强烈要求不使用低电阻率N型料。3一些公司拉棒工艺不过关,晶体中氧含量过高,内应力大,位错缺陷密度高,电阻率不均匀,都直接影响了太阳电池效率及稳定性。我们希望改进拉棒工艺。控制氧含量。  ...

生产多晶硅片级产业链工艺流程 看产污环节

硅片清洗使用清洗剂、醋酸、纯水清洗,去除粘接剂各种表面杂质,得到清洁硅片。  设备、工模具、材料:硅片预清洗设备、硅片清洗机、清洗剂、醋酸、纯水多晶硅片硅片盒等。  工艺—包装  使用Manz硅片检测设备硅片进行测试、分选,测试出每片硅片性能参数,根据性能分类。测试数据包括厚度、电阻率、少子寿命等。相同分类硅片包装在一起。  ...

386项推荐性国家标准发布 多项与仪器分析方法相关

纸板、纸浆纤维素纳米材料 酸溶镁、钙、锰、铁、铜、钠、钾测定2021-12-0137GB/T 40291-2021核仪器仪表 辐射探测器用高纯度锗晶体 基本特性测量方法2021-12-0138GB/T 40332-2021无损检测 超声检测 超声测厚仪性能特征测试方法2021-12-0139GB/T 40333-2021真空计 四极质谱仪定义与规范2021-12-01...


JIS H 0602:1995 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号