GB/T 24574-2009
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
Test methods for photolumininescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
GBT24574-2009, GB24574-2009
GB/T 24574-2009 发布历史
GB/T 24574-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30，并于 2010-06-01 实施。
GB/T 24574-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法的最新版本是哪一版？
最新版本是 GB/T 24574-2009 。
GB/T 24574-2009 采用标准及采用方式
- MOD SEMI MF 1389-0704
GB/T 24574-2009 发布之时，引用了标准
- GB/T 13389 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程*， 2014-12-31 更新
- GB/T 24581 硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法*， 2022-03-09 更新
* 在 GB/T 24574-2009 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。
GB/T 24574-2009的历代版本如下：
- 2009年 GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。 本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。 本标准用于检测单晶硅中含量为1×lO at•cm ～5×10 at•cm 的各种电活性杂质元素。
- 标准号
- GB/T 24574-2009
- 别名
- GBT24574-2009
GB24574-2009 - 发布
- 2009年
- 采用标准
- SEMI MF 1389-0704 MOD
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 24574-2009
- 引用标准
- GB/T 13389 GB/T 24581
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