利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化镓外延片,将 microLED 应用于硅产业领域 近日,为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战,ALLOS 应用其独特的应变工程技术,展示了 200 mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重复性。此外,公司还报告了其 300 mm 外延片的成功发展蓝图。...
测试半导体材料性能这个圆形材料是蓝宝石基氮化镓LED结构材料,是以蓝宝石作为衬底,上面铺了几十层氮化物制成的。材料的直径上均匀地分布着7个小点,科研人员把红色电极固定在直径的一端,黑色电极沿着直径触碰材料上的“点”,发出蓝色或是绿色的光。亮了,就可以初步判断材料的性能是好的。跟着材料流程图,来到了芯片室。...
应用于 Micro-LED 晶圆的外延技术需考虑衬底选择、波长均匀性及缺陷控制等方面因素;Micro-LED 器件的效率衰减问题目前依然没有有效的解决途径。此外利用颜色转换媒介实现单片 Micro-LED 全彩显示技术尚未成熟。相关论文以题为“氮化镓基Micro-LED显示技术研究进展”发表在《人工晶体学报》。...
已搭建的客户案例基于325nm激光器激发的PL测量系统,用于GaN、ZnO等半导体材料等材料的测量基于532nm激光器的PL测量,用于InGaN体系材料的PL测量 紫外微区激光荧光/拉曼光谱仪,可搭配冷热台实现变温PL测量(77K-600℃)左右滑动查看更多图片80-300K的变温光谱测量:样品S1为InGaN/GaN多量子阱结构的GaN基LED样品,样品S2为带有简单p-GaN外延层的对照样品配置...
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