4.闸流体效应:A:是发光二极管在正常电压下无法导通,当电压加高到一定程度,电流产生突变。B:产生闸流体现象原因是发光材料外延片生长时出现了反向夹层,有此现象的LED在IF=20MA时测试的正向压降有隐藏性,在使用过程是出于两极电压不够大,表现为不亮,可用测试信息仪器从晶体管图示仪测试曲线,也可以通过小电流IF=10UA下的正向压降来发现,小电流下的正向压降明显偏大,则可能是该问题所致。...
在某种程度上,这项新的研究依赖于成熟的半导体生长技术——分子束外延,即被蒸发出来的基材沉积在一个表面上并自组装形成层状或纳米结构。俄亥俄州立大学的研究人员使用这项技术在钛、钽等金属箔片上生长紧密堆积的铝氮化镓电线。这根单独的导线长约200纳米,直径约为20-50纳米,肉眼不可见,比人的头发还要细几千倍。实验室测试结果表明,在金属箔片上生长的纳米线和在又贵又不方便的单晶硅上制备的导线亮度相近。...
中环新光科技有限公司是中科院物理研究所与天津中环电子信息集团有限公司共同合作,依托物理所LED产品研发技术而成立的企业,主要生产超高亮度红光LED外延片。物理所利用技术优势,负责解决超高亮度红光发光二极管外延片制备中的关键技术与工艺问题,并派驻科研人员给予技术指导,实地解决生产过程中出现的问题。物理所与中环新光的合作,使LED的研发形成了从科学研究到成果应用,再到产业化的价值链。 ...
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