SJ/T 11492-2015
光致发光法测定磷镓砷晶片的组分

Test methods for measurement of composition of gallium arsenide phosphide wafers by photoluminescence


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SJ/T 11492-2015



标准号
SJ/T 11492-2015
发布日期
2015年04月30日
实施日期
2015年10月01日
废止日期
中国标准分类号
H83
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-SJ
适用范围
本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷(GaAs1-xPx)晶片组分进行测试的方法。本标准适用于气相外延生长的,光致发光峰(λPL)在640 nm~670 nm范围内时,对应磷的摩尔分数为36%到42%的n型GaAs1-xPx晶片。

SJ/T 11492-2015 中可能用到的仪器设备





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