SJ/T 11492-2015
光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
Test methods for measurement of composition of gallium arsenide phosphide wafers by photoluminescence
SJT11492-2015, SJ11492-2015
SJ/T 11492-2015 发布历史
SJ/T 11492-2015由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 2015-04-30，并于 2015-10-01 实施。
SJ/T 11492-2015 在中国标准分类中归属于: H83 化合物半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分的最新版本是哪一版？
最新版本是 SJ/T 11492-2015 。
SJ/T 11492-2015的历代版本如下：
- 2015年 SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷(GaAP)晶片组分进行测试的方法。本标准适用于气相外延生长的,光致发光峰(λ)在640 nm~670 nm范围内时,对应磷的摩尔分数为36%到42%的n型GaAP晶片。
