采用四探针法测量相同导电类型、低阻衬底的外延层材料的电阻率时,由于流经材料的 电流会在低阻衬底中短路,因此得到的是衬底与外延层电阻率并联的综合结果。这时, 需要采用三探针法、扩展电阻法等。 三探针法是利用金属探针与半导体材料接触处的反向电流-电压特性、测定击穿时的电压 来获得材料电阻率的知识的。 ...
195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可动电荷密度的总和:氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。196. watt(W): 瓦。能量单位。197. wafer flat: 从晶片的一面直接切下去,用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向,也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。...
KLA-Tencor Candela CS920是一个晶圆表面缺陷检查系统,可以在一个单一检测平台上实现表面探测和光致发光(PL)技术,用于检测微蚀坑、萝卜状蚀坑、彗星状蚀线、三角形蚀坑和层错等表面缺陷。透过参数不同的通道之间的交叉相关(镭射波长、表面角度、散射光幅度),实现巨集微缺陷检测和自动分类。 汞探针电容电压(Hg-CV)测量法用于评估掺杂浓度(从原级平台到顶部直径是17点)。...
研究人员利用四探针法获得了石墨烯晶界电阻率。首先,他们利用栅极与探针之间的电容作为进针反馈信号,将四个STM探针作为点接触电极,无损地测量双晶石墨烯两侧晶畴以及跨晶界的二维电阻。为了提取石墨烯晶界的电阻率,他们建立了晶界扩展模型,即将石墨烯晶界等同于具有一定宽度λ的单晶畴区,得到了双晶石墨烯两侧晶畴内部与跨晶界(GB-1)的二维电阻随载流子浓度变化曲线。...
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