在 InP 晶体中,半绝缘的形成机理大致可概括为两个方面:一是通过掺入深受主(元素)补偿浅施主来实现半绝缘态,原生掺铁的半绝缘磷化铟就属于这种情况;另一种是通过新缺陷的形成使浅施主的浓度降低,同时驻留的深受主(元素)也发生补偿,非掺杂半绝缘磷化铟就属于这一类,这种新缺陷可以在高温退火以及辐照等过程中形成。...
环氧乙烷灭菌残留量GB/T 16886.7-20012017-01-0175GB/T 16886.20-2015医疗器械生物学评价 第20部分:医疗器械免疫毒理学试验原则和方法2017-01-0176GB/T 17006.11-2015医用成像部门的评价及例行试验 第2-6部分:X射线计算机体层摄影设备成像性能稳定性试验GB/T 17006-19972016-09-0177GB/T 17170-2015半绝缘砷化镓单晶深施主...
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