GB/T 17170-2015由国家质检总局 CN-GB 发布于 2015-12-10,并于 2016-07-01 实施。
GB/T 17170-2015 在中国标准分类中归属于: H17 半金属及半导体材料分析方法,在国际标准分类中归属于: 77.040 金属材料试验。
GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法的最新版本是哪一版?
最新版本是 GB/T 17170-2015 。
本标准规定了半绝缘砷化久单晶深施主EL2 浓度的红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10”0,cm 的非挫杂和碳挫杂半绝缘砷化儿单品深施主EL2 浓度的测定。 本标准不适用于挫铬半绝缘砷化饼单晶深施主EL2 浓度的测定。
在 InP 晶体中,半绝缘的形成机理大致可概括为两个方面:一是通过掺入深受主(元素)补偿浅施主来实现半绝缘态,原生掺铁的半绝缘磷化铟就属于这种情况;另一种是通过新缺陷的形成使浅施主的浓度降低,同时驻留的深受主(元素)也发生补偿,非掺杂半绝缘磷化铟就属于这一类,这种新缺陷可以在高温退火以及辐照等过程中形成。...
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