钛阳极键合微流控器件通道宽度100um和通道间距200~600um的晶圆级阳极键合钛微流控器件阵列该研究团队证明了在没有粘合剂或中介层的情况下，首次用阳极键合工艺成功实现体钛和玻璃基板的晶圆级键合。在低至250℃的温度下实现超过玻璃强度的键合强度。通过结合该研究团队掌握的钛DRIE（深反应离子刻蚀）能力，制造出了晶圆级功能性钛/玻璃基微流体器件。...
该项标准是我国在IEC/TC47/SC47F第一个获得立项的标准，它的提出对于MEMS标准化而言也具有非常重要的意义：(1) 硅基MEMS制造技术MEMS的制造技术主要分为三类：● 基于X射线深度光刻、微电铸、微铸塑的LIGA技术，以德国为代表；● 精密机械加工技术，以日本为代表；● 以集成电路技术和材料基础上发展而来的硅基MEMS制造技术，起源于美国。...
更重要的是，硅基 IPD 技术可以通过标准的CMOS 半导体制造工艺与微波 MMIC 芯片集成 ，充分利用硅基半导体加工精度高集成度高的特点实现大规模量产。在同时集成 IPD 和 TSV 的晶元上还可以进行圆片级三维堆叠和无引线键合。但在传统 CMOS 工艺体系上同时集成 IPD 与 TSV 是一项复杂的工作，特别是针对微波应用，需要同时在材料、工艺和架构上进行创新 。...
微流控芯片的制作技术（1）光刻和刻蚀技术传统的用于制作半导体及集成电路芯片的光刻和刻蚀技术，是微流控芯片加工工艺中最基础的。它是用光胶、掩膜和紫外光进行微细加工，工艺成熟，已广泛用于硅、玻璃和石英基片上制作微结构。光刻和刻蚀技术由薄膜沉积、光刻和刻蚀三个工序组成。复杂的微结构可通过多次重复薄膜沉积-光刻刻蚀这三个工序来完成。...
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