29.045 半导体材料 标准查询与下载

GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法

本标准规定了在一定光照条件下,用目测检验单晶抛光片表面质量的方法。 本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。

Standard method for measuring the surface quality of polished silicon slices by visual inspection

GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。 本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10～5.0×1O)a。 每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到，并给出了对每个元素的校准因子。

Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法。 本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片，尤其适用于清洗后硅片自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。 本方法适用于测量面密度在(10～10)atoms/cm的范围的元素。 本方法是非破坏性的。

Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy

GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物

1.1本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法，采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。 1.2本标准描述了热解吸气相色谱仪(TD-GC)以及有关样品制备和分析的相关程序。 1.3本标准的检测限范围取决于被检测的有机化合物，比如碳氢化合物(C～C)的检测范围就是 10 g/cm～10g/cm。 1.4本标准适用于硅抛光片和有氧化层的硅片。 1.5本标准中包含了两种方法。方法A适用于切割后的硅片，方法B则适用于完整的硅片。两种方法的不同点在第7部分中有详细描述。

Test methods for analyzing organic contaminants on silicon water surfaces by thermal desorption gas chromatography

GB/T 24579-2009 酸浸取.原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物

1. 1本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用石墨炉原子吸收定量检测多晶硅块表面上的痕量金属杂质分析方法。 1.2本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、铝、铁、铬、镍、锌的检测。 1.3本标准适用于各种棒、块、粒、片形多晶或单晶硅表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则，面积很难准确测定，根据样品重量计算结果。使用的样品重量为50 g～300 g，检测限为0.01 ng/g。 1.4酸的强度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效率。在这个试验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品重量的1%。 1.5该试验方法提出了一种特定的样品尺寸、酸组成、腐蚀周期、试验环境和仪器方案，这些参数可以调整，但可能影响金属的回收效率及滞留量。该方法适用于重量为25 g～5 000 g的样品的测定，为达到仲裁的目的，该试验方法规定样品重量为300 g。该试验方法在干扰和结果的偏差方面做了详细说明。 1.6该试验方法详细说明了用于分析酸提取痕量金属含量的石墨炉原子吸收光谱法的使用。也可使用灵敏度相当的其他仪器如电感耦合等离子体/质谱仪。 1.7方法的检测限和偏差取决于酸提取过程的效率、样品尺寸、方法干扰、每个元素的吸收谱及仪器灵敏度、背景和空白值。 1.8该方法是用热酸来腐蚀掉硅表面，腐蚀剂是有害的，操作必须在通风橱中进行，整个过程中必须非常小心。氢氟酸溶液非常危险，不熟悉专门防护措施的人不能使用。

Test methods for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy

GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法

本标准规定了用光学投影仪测量硅片直径的方法。 本标准适用于测量圆形硅片的直径，可测最大直径为 ∮300mm。不适用于测量硅片的不圆度。

Test method for measuring diameter of semiconductor wafer

GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

本标准涵盖了对晶片边缘平直部分长度的确认方法。 本标准适用于标称圆形晶片边缘平直部分长度小于等于65mm的电学材料。本标准仅对硅片精度进行确认，预期精度不因材料而改变。 本标准适用于仲裁测量，当规定的限度要求高于用尺子和肉眼检测能够获得的精度时，本标准也可用于常规验收测量。 本标准不涉及安全问题，即使有也与标准的使用相联系。建立合适的安全和保障措施及确定规章制度的应用范围是标准使用者的责任。

Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials

GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定.汞探针电容-电压法

本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。 本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为：4×10cm～8×10cm。 本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽的深度。 本标准也适用于硅抛光片的载流子浓度测量。

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量.红外吸收测量方法

本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。 本标准适用于电阻率高于3Ω•cm的p型硅片及电阻率高于1Ω•cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定，对于精密度要求不高的硅片，可以测量电阻率高于0.1Ω•cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在间隙位置，因而本方法不能测定总碳含量。 也适用于硅多晶中代位碳原子含量测定，但其晶粒界间区的碳同样不能测定。

Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption

GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

本标准规定了择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。 本标准适用于晶向为、或、电阻率为10Ω•m～10Ω•m、位错密度在0cm～10cm之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。 本方法也适用于硅单晶片。

Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques

GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法

本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω～5000Ω。该方法也可以适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。 本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。 本标准用于检测单晶硅中含量为1×lO at•cm ～5×10 at•cm 的各种电活性杂质元素。

Test methods for photolumininescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

GB/T 12963-2009 硅多晶

本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。

Specification for polycrystalline silicon

GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm-1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。 硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0*10Ω•cm-2*10Ω•cm和2*10Ω/□~3*10Ω/□ 。

Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge

GB/T 14264-2009 半导体材料术语

本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。 本标准适用于元素和化合物半导体材料。

Semiconductor materials-Terms and definitions

GB/T 14139-2009 硅外延片

本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的n型外延层(N/N)和在p型硅抛光片衬底上生长的P型外延层(P/P)的同质硅外延层，产品主要用于制作硅半层体器件。其他类型的硅外延片可参照使用。

Silicon epitaxial wafers

GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片翘曲度的非接触式测试方法。 本标准适用于测量直径大于50mm,厚度大于180μm的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加工过程中硅片翘曲度的热化学效应。

Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning

GB/T 2881-2008 工业硅

本标准规定了工业硅的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和订货单或合同内容。 本标准适用于矿热炉内碳质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅，主要用于配制合金、制取多晶硅和生产有机硅等。

Silicon metal

GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片

本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作。

Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer

GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料

Liquid encapsulated czochralski-grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices