31.080 半导体分立器件 标准查询与下载

LST EN 60191-4-2014 半导体器件的机械标准化. 第4部分: 半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式(IEC 60191-4-2013)

Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 4: Coding system and classification into forms of package outlines for semiconductor device packages (IEC 60191-4:2013)

GSO IEC 62374-1:2013 半导体仪器 第 (1) 部分：金属夹层的瞬态介电击穿 (TDDB) 测试

IEC 62374-1:2010 describes a test method, test structure and lifetime estimation method of the time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers applied in semiconductor devices.

Semiconductor devices - Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers

KS C IEC 60097:2013 印制电路的网格体系

Grid system for printed circuits

SJ/T 11458-2013 液晶显示背光组件用LED性能规范

本规范规定了液晶显示背光组件用发光二极管(以下简称“LED”)的性能要求、检验方法、检验规则。本规范适用于液晶显示背光组件用非空腔封装白光LED。

LED for liquid crystal display backlight unit performance specification

SJ/T 3273-2013 高压元件和组件的安全要求

本标准规定了由电网电源、电源设备、电池或远程馈电系统供电的电子及有关设备中使用的工作电压超过4kV (峰值)的高压元件和组件的安全要求和试验方法。本标准适用于但不限于回扫变压器、高压倍增器、显像管管座。

Safety requirements of high voltage components and sets

DB53/T 495-2013 高原型高压变频装置

本标准规定了高原型高压变频装置（以下简称装置）的型号、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本标准适用于额定输入电压范围为交流3 kV～10 kV，输出电压范围为交流0～1.1倍额定输入电压，额定输入频率为50 Hz，输出频率为5 Hz～60 Hz，使用海拔为2 000 m及以下地区的变频装置，主要用于风机、水泵类变压力变流量负载或类似交流负载。

Plateau type high voltage frequency conversion device

JB/T 9479-2011 光敏电阻器总规范

本标准规定了光敏电阻器的术语和定义、分类与型号命名、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、贮存和运输。 本标准适用于波长范围为380nm～3200nm的光敏电阻器。

Genenral specifications for photoresistors

LST EN 62374-1-2011 半导体器件 第1部分：金属间层的时间相关电介质击穿（TDDB）测试（IEC 62374-1:2010）

Semiconductor devices -- Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers (IEC 62374-1:2010)

LST EN 62374-1-2011/AC-2011 半导体器件 第1部分：金属间层的时间相关电介质击穿（TDDB）测试（IEC 62374-1:2010）

Semiconductor devices -- Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers (IEC 62374-1:2010)

LST EN 62418-2010 半导体器件 金属化应力空洞测试（IEC 62418:2010）

Semiconductor devices - Metallization stress void test (IEC 62418:2010)

LST EN 62416-2010 半导体器件 MOS 晶体管的热载流子测试（IEC 62416:2010）

Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors (IEC 62416:2010)

LST EN 62415-2010 半导体器件-恒流电迁移测试（IEC 62415:2010）

Semiconductor devices - Constant current electromigration test (IEC 62415:2010)

LST EN 62417-2010 半导体设备 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) (IEC 62417:2010)

KS C IEC 60204-33:2010 机械安全性.机器电动设备.第33部分:半导体制造设备要求

이 표준은 반도체의 제조(공정), 측정, 조립 및 시험을 위한 반도체 제조장비와 관련된 기

Safety guideline for semiconductor fabrication equipment

KS C IEC 60204-33-2010(2020) 安全指南半导体制造设备

Safety guideline for semiconductor fabrication equipment

IEC 62374-1:2010 半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验

This part of IEC 62374 describes a test method, test structure and lifetime estimation method of the time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers applied in semiconductor devices.

Semiconductor devices - Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers

IEC 60747-1:2006+AMD1:2010 CSV 半导体器件第1部分:总则

Semiconductor devices - Part 1: General

IEC 60747-1:2010 半导体器件.第1部分:一般

This part of IEC 60747 gives the general requirements applicable to the discrete semiconductor devices and integrated circuits covered by the other parts of IEC 60747 and IEC 60748 (see Annex A).

Semiconductor devices – Part 1: General (Edition 2.1 Consolidated Reprint)

EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试

IEC 62418:2010 describes a method of metallization stress void test and associated criteria. It is applicable to aluminium (Al) or copper (Cu) metallization.

Semiconductor devices - Metallization stress void test

IEC 62416:2010 半导体器件 - Mos晶体管上的热载体测试

This standard describes the wafer level hot carrier test on NMOS and PMOS transistors. The test is intended to determine whether the single transistors in a certain (C)MOS process meet the required hot carrier lifetime.

Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors