半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,可用来制作功率器件、晶体管、集成电路、光电器件等。作为现代信息技术产业的基础,半导体产业已成为社会发展和国民经济的基础性、战略性和先导性产业,是现代日常生活和未来科技进步必不可少的重要组成部分。
伴随着科技进步,全球范围内半导体产业规模基本都保持着持续扩张态势。《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》中,将第三代半导体材料作为强化国家的战略科技力量;中国半导体市场已成为全球增长引擎。
目前,芯片制程已经从微米进入到纳米时代,达到了半导体制程设备和制造工艺的极限,任何细微的污染都可能改变半导体的性质。因此,对半导体的硅片晶圆纯度、生产过程中使用的清洗剂和刻蚀剂的纯度、封装材料、环境洁净度的检测,为半导体及相关行业的关键环节提供多层次技术支撑尤为重要。主要依赖的检测技术包括离子色谱、电感耦合等离子体质谱仪(单四极杆、三重四极杆 ICP-MS)、高分辨电感耦合等离子体质谱仪(HR-ICP-MS)、电感耦合原子发射光谱仪(ICP-AES)、辉光放电质谱仪(GD-MS)、气质联用仪、拉曼光谱、光学显微镜、XRF等。
德国耶拿PlasmaQuant 9100 Elite 高分辨率ICP-OES
德国耶拿PlasmaQuant MS 电感耦合等离子体质谱仪
德国耶拿 multi N/C 3100 TOC总有机碳/总氮分析仪
顶级火焰-石墨炉原子吸收光谱仪ZEEnit700P (AAS)
德国耶拿contrAA800连续光源原子吸收光谱仪
本实验采用冷焰条件,通过P31O16测试某芯片制造广生产过程中的清洗液。检出限低至0.037ug/L,同时对比了热焰情况下、ICPMS的测试结果及ICP-OES的测试结果,结果表明,三者结果相近。
利用全自动的 VPD 前处理配合 PlasmaQuant MS Q借助冷焰技术与最新一代专利的碰撞反应池技术 (iCRC 技术),解决易干扰元素 K、Na、Fe、Mg、Cu、Zn的空白,同时专利的 3D 聚焦反射镜技术,使仪器拥有超高灵敏度,最终完成 QQQ-ICPMS 分析工作。
我国现行有193个半导体相关国家标准,190个行业标准。分析测试百科网整理了即将实施的29个国家标准。其中12个国家标准2023年12月1日开始实施。7个国家标准2024年1月1日开始实施。4个国家标准2024年3月1日开始实施,6个国家标准2024年4月1日开始实施。
据最新一期《自然-电子学》报道,瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫化钼的内存处理器,专用于数据处理中的基本运算之一:向量矩阵乘法。
晶圆制造主要材料包括硅片、光掩模、光刻胶、光刻胶辅助材料、湿电子化学品、抛光材料、电子特气、抛光材料、靶材及其他材料。
美国哥伦比亚大学化学家团队描述了迄今为止速度最快、效率最高的半导体:一种名为Re6Se8Cl2的超原子材料。
在科技的浩瀚海洋中,半导体材料扮演着举足轻重的角色。常温下,半导体的电导率介于导体与绝缘体之间,使得它们在各种电子设备中担当着关键的角色。
中国科学院院士、中国科学院半导体研究所研究员常凯领导的合作团队针对以上问题提出广义变换光学理论,将光学介质从普通Cauchy连续统推广到具有内部自由度的广义连续统。
随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段,对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。
半导体产业经过长期发展,已进入“后摩尔时代”,“超越摩尔定律”迎来了高潮,未来半导体产业的发展需跳出原有框架寻求新的路径。
层状杂化钙钛矿材料结构可设计性强,易于引入手性基元获得其圆二色性,制备出半导体特性优异的层状手性杂化钙钛矿材料应用于圆偏振直接探测。
中国半导体制造设备的进口总额突飞猛进,达到634亿人民币,同比增长了惊人的90%。这一数字不仅远超过去年同期,也预示着中国半导体行业在国际竞争环境下的艰难前行。
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