应用：

Ultra-shallow junction doping for sub-100nm CMOS
Conformal doping of non-planar CMOS and 其他电子装置 
多晶硅栅 & trench sidewall doping
Gate dielectric modification

样品尺寸: 4 ~ 8",  wafer (60 wafers/小时)
Dopant : P, As (N-type) / B (P-type) 
剂量 : 5】1010 ~ 2】1016cm-2 
能量范围 : 50eV ~ 10keV 
剂量控制 : 4 faraday cups
RF 功率 : 1kW @13.56MHz, 自动 matching控制
离子加速功率 : 负高压脉冲 DC (-50V ~ -10kV)
Load-lock 腔r : Stand-alone型 (多选 - 机械手型) 
极限压力 : 5*10-7Torr 
真空泵 : TMP + 旋转泵 (多选- Dry pump) 
过程控制 : 自动 (PC)

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途