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北京先锋泰坦科技有限公司
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| 参考报价： | 面议 | 型号： | FE-3 |
| 品牌： | 大塚电子 | 产地： | 日本 |
| 关注度： | 436 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 |
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膜厚量测仪FE-3的特点
使用分光干涉法原理
配置高精度FFT膜厚分析引擎（专利 第4834847号）
可通过光纤灵活构筑测量系统
可嵌入各种制造设备
可实时测量膜厚
支持远程遥控，多点测量
采用长使用寿命，高稳定性白色LED光源
测量项目
多层膜膜厚解析
用途
光学薄膜（硬涂层，AR膜，ITO等）
FPD相关（resist，SOI，SiO2等）
膜厚量测仪FE-3测试实例
硬涂层膜厚分析
规格：
| 型号 | E-3/40C | F FE-3/200I |
| 测量方式 | 分光干涉式 | |
| 测量膜厚范围（ｎｄ值） | 20 nm ～ 40 μm | 3 μm ～ 200 μm |
| 测量波长范围 | 430 nm ～ 650 nm | 900 nm ～ 1600 nm |
| 测量精度 | ± 0.2 nm以内 *1 | - |
| 重复精度 | 0.1 nm以内 *2 | - |
| 测量时间 | 0.1 s ～ 10 s 以内 | |
| 光斑直径 | 约 φ 1.2 mm | |
| 光源 | 白色LED | ハロゲン |
| 光纤 | 光透射接收用Y型光纤1.5 ｍ ～ 100 m | |
| 尺寸，重量 | 300（W) × 300（D） × 150（H）mm,约 10 kg | |
| 标准 | 峰谷分析，FFT分析,*适化方法解析 | |
*1 相对于VLSI 公司产膜厚标准（100nm SiO2/Si）的膜厚保证书所记载的测量保证值范围
*2 重复测量VLSI 公司产膜厚标准（100nm SiO2/Si）的统一点时的扩展不确定度（包括因子2.1）
分光干涉式晶元厚度计sf-3
半导体晶元厚度测量
适用于1600μm以下的膜厚测量
通过光学式可进行非接触，非破坏状态下进行厚度测量
通过采用分光干涉法实现高测量重复性
可高速实时进行研磨监控
实现长WD（工作距离），方便嵌入制造设备
支持在线测量时所要求的外触发
采用了*适合厚度测量的单独分析运算法则
膜厚测量仪FE-3信息由北京先锋泰坦科技有限公司为您提供，如您想了解更多关于膜厚测量仪FE-3报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。
注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
