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Virgo系列干法等离子体去胶机化合物半导体去胶机

参考报价: 面议 型号: Virgo
品牌: FSM 产地: 上海
关注度: 87 信息完整度:
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AI问答
可以做哪些实验,检测什么? 可以用哪些耗材和试剂?

Virgo系列是适用于硅基半导体及化合物半导体前后道的等离子体去胶设备,可用于光刻胶灰化/残胶去除和表面处理,该系列有两种配置分别兼容4“/6”/8“或8“/12“晶圆。Virgo系列设计紧凑占地面积小,设备稳定可靠、易于维护、产能高。

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  • 应用领域

    6 ”到8 ”硅基半导体生产线

    • 刻蚀后光刻胶灰化;

    • 残胶去除

    • 高剂量离子注入后光刻胶去除

    3 ”到6 ”碳化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟等化合物半导体生产线光刻胶灰化

    • 残胶去除;

    • 高剂量离子注入后光刻胶去除

    • 图形下光刻胶释放

    8 ”到12”晶圆级封装生产产线光刻胶残胶去除

    • 有机物去除

    • 晶圆表面处理

  • 运作特点

    兼容晶圆尺寸为:4 ” /6 ” /8”或8 ” /12 ” ;

    支持2 个开放式晶圆匣或SMIF

    高精度3 轴机械手;

    2种可选等离子体源:

    • RPS (400KHz Toroidal远程等离子体源 )

    • 电感耦合等离子体源 (13.56MHz)

    高密度等离子体,去胶速率快

    优异的均匀性和重复性

    占地面积小

    耗材成本(COC)和使用成本(COO)低

    人性化的人机交互操作系统

    工业计算机Windows


Virgo 标准技术规格

宽*深*高1100W x 2000D x 2023H mm
电极尺寸兼容 2 ~ 8英寸
电极温度50 ~ 250 ℃
射频功率2kW 或 6kW 可选
气路配置标配3路 / 最多可扩充至5路气体
标准配置950m³/h 干泵
干泵吹扫氮气流量5-25L/min
干泵冷却水流量2-8L/min
供电要求380V, 80A, 50Hz, 3-Phase, 5-Wire
工艺气体接口及尺寸1/4 VCR
工艺气体种类及纯度CF4 = 99.97%; O2 = 99.996%;  N2 = 99.99%;
Ar = 99.999%;  其余气体请咨询JETPLASMA
工艺气体压力15~30 psig
吹扫气体接口及尺寸1/4 VCR
吹扫气体种类及纯度N2=99.99%
吹扫气体压力15-30 psig
气动用接口及尺寸3/8英寸卡套接口
气动用气体及压力CDA, 60~90 psig
排气口接口及尺寸KF40
冷却水流量40L/min
冷却水温度15~30℃
环境温度15~30℃
相对湿度40~60%



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注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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