薄膜沉积系统PICOSUN™R-200高级型 技术参数：
衬底尺寸和类型 | 50-200 mm/片 156 mm x 156 mm 太阳能硅片 3D 复杂表面衬底 粉末与颗粒 小批量 多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品（zei高可达 1:2500） |
| 工艺温度 | 50 – 500°C，，等离子450°C (650 °C加热盘可定制) |
沉积材料 | Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, ZrO2,AlN, TiN, 以及金 属 Pt 或者 Ir |
基片加载 | 气动升降，手动装载 预真空室安装磁力操作机械手（Load lock） 半自动机械装置 集群系统的批量装载（Cassette-to-cassette） |
| 前驱体 | 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体 6根独立源管线，zei多加载12个前驱体源（加上Plasma管路，共7 根独立源线） |
| 选件 | 集群工具，PICOFLOW™扩散增强器，roll-toroll腔室、超高真空 兼容、RGA、N2发生器、尾气处理器、定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载） |
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原子层沉积(ALD)
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