固体器件与集成技术研究室
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研究室近年来相继研制出0.35-0.5微米成套集成电路工艺、纳米尺度CMOS应用的应变硅及高迁移率沟道技术、微波功率SiGe-HBT器件及MMIC电路、嵌入式快闪存储器集成工艺及IP核、深紫外光电探测器、红外快速退火设备及超高真空Si/SiGe外延系统等一批代表性科研成果，并成功转移企业实现规模量产应用。主要科研成果包括：
基于选择性和图形外延技术成功研制fT优于25GHz的平面SiGe HBT高速器件。通过与上海华虹NEC和上海集成电路研发中心合作，成功研制了BVCEO>7V，fT和fmax分别超过20GHz和65GHz的SiGe HBT工艺。同时，基于上述工艺的SiGe HBT达林顿单片集成微波功率放大器芯片在1.95GHz工作频率下插入增益达到15dB，1dB压缩点输出功率达到17dBm。2009年起上述技术成功转移到8英寸生产线上实现规模量产应用。
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低噪声微波功率SiGe-HBT器件及射频LDMOS器件，2009年在8英寸生产线得到量产应用。
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与上海贝岭股份有限公司合作研制的微波功率LDMOS器件在945MHz工作频率下1dB压缩点输出功率及其功率增益分别达到70 W和14.5dB，标志着作为基站功放、广播电视发射机和雷达等系统中关键核心器件的LDMOS大功率微波器件研发取得了重大突破。
长期从事SiGe、应变硅及高迁移率沟道技术研究，以硅为基体，通过低温减压化学气相沉积技术制备出高Ge组分的超薄弛豫SiGe过渡层，在此基础上利用UHV/CVD生长了高质量的应变锗材料；探索了以SiH4/GeH4/HCl为气源的低温选择性外延技术，获得了选择性外延关键工艺参数。作为主要参与单位牵头承担国家“极大规模集成电路装备及成套工艺”重大专项“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”项目“高迁移率沟道技术”课题研制任务。
对纳米晶存储新材料和存储器技术进行了系统的研究，通过集成工艺研究解决了Ru NC材料和常规半导体工艺的兼容性问题和工艺集成问题，制备出了性能良好的Ru-NCNVM存储器，设计并试制出基于130nm集成工艺的8MBit验证电路系统。同时，对基于电荷俘获材料的多值存储技术也进行了长期的研究，目前正基于32nm工艺研发Gb规模的非挥发闪存芯片。
与研究所合作开展特种应用EEPROM/Flash存储器技术研究，通过对基于SOI的存储器件、SOI集成存储工艺及存储系统的研究，目前已初步试制出256Kbit特殊环境应用的EEPROM存储器芯片，并正往4Mb-Flash存储器扩展。
与研究所合作开展集成传感器读出电路及数字化电路研究，成功研制出高精度低功耗ADC阵列电路，单线列数字化电路功耗达到80微瓦以下。上述电路在传感器及信号检测领域具有良好应用前景。
集成传感器读出电路及高精度低功耗ADC阵列；
（High Precision and Low Power Read-out Circuit and ADC Array for Intergrated Sensor）
