台积电5nm SRAM技术细节解析（四）
在写操作中，LCV使能信号（LCVEN）变为高电平，它关闭下拉NMOS（N1），以将电荷共享电容器C1与地断开。COL
［n：0］选择一列以关闭P0，并将阵列虚拟电源轨CVDD
［0］与真实电源VDDAI断开。由于金属线电容随存储单元阵列的缩小而缩小，因此它也有利于SRAM编译器设计，并在变化的BL配置下提供了相对恒定的电荷共享电压电平。电荷共享水平由CVDD的金属电容比和电荷共享金属走线决定。图10显示了三个LCV－VDD比率分别为6％，12％和24％。
图10．三种LCV－VDD比率分别为6％，12％和24％。
关闭写辅助功能后，Vmin会受到写失败的限制。
图11中使用Write Assist的测量结果显示NBL将Vmin提高了300mV，而24％ LCV则将Vmin提高了300mV以上。
图11．（a）金属电容器增强的写辅助WAS－NBL方案和（b）金属电荷共享电容器WAS－LCV方案的测量结果。
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