台积电STT-MRAM技术细节（二）
图6．Rap和Rp的电阻分布间距在计入寄生电阻时变小
为了感测MTJ的电阻，必须在读取期间将其两端的电压通过晶体管N1和N2钳位到一个低值，以避免读取干扰，并对其进行微调以消除感测放大器和参考电流偏移。参考电阻是1T4R配置R？（R p ＋ R ap）／ 2 ＋ R1T，如图7所示。
图7．具有微调能力的感测放大器显示了晶体管N1和N2上的读取钳位电压，以防止读取干扰。参考R（R p ＋ Rap）／ 2 ＋ R1T
如图8，读取时序图和shmoo图所示，这种配置在125°C时能够实现小于10ns的读取速度。
图8． 125°C时的读取时序图和读取shmoo图。
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