晶圆制备——如何从沙子到wafer？（三）
4. 抛光(Lapping)：因为刚刚切下来的wafer，表面一定有很多损伤，而且表面粗糙，所以这一步类似CMP功效用slurry去磨平，所以我们的wafer有时候也叫polish wafer。
5. 湿法蚀刻(wet etch)：因为刚才的抛光还是机械的磨平，所以还是无法完全去除损伤，所以需要一步化学反应去除表面缺陷。主要用4:1:3的HNO3+HF+CH3COOH(醋酸)。硝酸氧化，HF吃SiO2。
6. 退火(Anneal)：怕有晶格损伤，所以退火可以去除晶格损伤，一般用Ar气体，所以我们有时候看到我们的flow用Ar anneal的wafer。用Ar的原因是因为Ar是惰性气体不反应，不用H2的原因以前据说是会导致表面浓度发生变化，原因我也不知道。
到此wafer就做完了，卖给FAB了。一般国际上比较牛X的可以卖wafer的公司也就是MEMC，SEH，德国瓦克，LG，日本小松KEH，等等。还是小日本牛啊。
最后，再讲下wafer的指标吧，你买wafer总要告诉别人你的要求是什么吧？纯度到底不能含有那些东西吧。
一般Wafer的SPEC分为如下几块：
1. 通用指标: 包括生长方法(CZ)，晶向(100+/-1deg)，导电type (P-type)，掺杂原子(B)。
2. 电学指标: 阻值(T-like 8~12ohm.cm, U-like 15~25ohm.cm, 貌似intel是20~40ohm.cm)，少子寿命(life time: 200us)，阻值径向梯度(Radium gradient) <=8%。
3. 化学特性: 氧浓度(13.7~16.8ppm，这个很重要，不能多也不能少)，碳的浓度(<0.3ppm，这个是越小越好)。
4. 结构特性：位错(slip)，浅坑(shallow pits)，漩涡缺陷(Swirl，一般来自polish)，层错(dislocation)，氧化诱生/堆垛层错(OISF)，这些都是不能有的。一般情况dislocation和OISF可以介绍少量，但也不能超过3~10ea/cm2。
5. Wafer制备的要求: 背面损伤(吸杂,gettering)，氧化层背封(OX backseal)，退火(Anneal)。
6. 外观指标：直径(200mm+/-0.2mm)，Notch(110+/-1deg, depth 1~1.25mm, 92+/-3deg,etc)，打标(M13 std)，Edge profile (round)，厚度(725+/-20um, 29mil)，TTV (Total THK Variation: 5um)，Global TIR, BOW/WARP等等。
7. 其他特性：刮伤(Scratch)，雾化发霉(Haze)，COP(>=0.2um@<15ea)，金属沾污，甚至包装数量和要求以及lable等等。
