实验室分析仪器--ICP-MS检测半导体级样品的注意事项
ICP-MS可适用于ppt级的元素和亚ppt级的元素分析，因此常用于半导体行业，分析超痕量的杂质。如下介绍主要的影响因素。
仪器运行环境
半导体设备中出现污染，会使产品性能恶化。碱金属、碱土金属造成的污染降低击穿电压，过渡金属造成的污染缩短载流子寿命，增加暗电流。因此必须控制污染。但是，这些污染存在于大气中各个角落，所以通过ICP-MS检测的样品必须特别注意不要受这些污染影响。最好的方法是在洁净室进行检测。
ICP-MS在洁净室内使用，其前级真空泵最好放置在洁净室外部，只将仪器主机放置在洁净室。用于冷却仪器的空气从外流到内，并从上部的排风管排出，使灰尘粒子被控制在最小值。洁净室的洁净度常用空气只微粒子来表示。1000级表示直径＞0.5μm的粒子≤1000个/立方英尺。一般大气中为100万级。为保证10～1级的洁净度，洁净室内部的空气流通尽量采用高架回风，是室内的空气可以向下流通。配置样品和标准溶液时需在100级以下的通风橱内进行，一般此类通风橱会在顶部再增加一级过滤FFU，以此来保证作业过程中的洁净度。
样品引入系统/接口
为避免污染，必须特别注意样品引入系统的选择和清洁。用于检测半导体样品的样品引入系统、接口于其他样品检测不同，相关配置如下。
雾化器，蠕动泵管有时会造成极微量污染，进行超微量检测是适用于自吸进样。自吸进样时，雾化器使用同心雾化器、交叉雾化器或微流雾化器。
接口，一般ICP-MS7700S有两种接口（Ni、Pt），都可以用于半导体样品检测。使用Ni锥接口时，Ni的背景检出限为50ppt左右。而Pt锥接口可以对很多酸有耐受性，适合超纯酸的检测。
某些元素具有记忆效应，这些元素的氧化物易留在接口上，如Ca、Al、Si、U、Th和稀土元素等。这些记忆效应可以通过在2%的硝酸中浸泡去除。但是，有时需要沾有氧化铝悬浊液的棉签进行擦拭去除。
样品引入系统/接口的清洗
如果长时间在空气中放置可能会有污染，所以使用前用超纯水充分清洗。另外，清洗时必须戴手套。
