T/CASAS 010—2019
氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in GaN Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry
T/CASAS 010—2019 发布历史
半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用具有较强的积极作用。
T/CASAS 010—2019由中国团体标准 CN-TUANTI 发布于 2019-11-25，并于 2019-12-02 实施。
T/CASAS 010—2019在国际标准分类中归属于: 31.080.01 半导体器分立件综合。
