在偏向方向4°的4H-SiC(0001)矽面n-型(~1018at/cm-3)衬底上,生长1E16 at/cm3 n-掺杂浓度的n-SiC外延层,以避免外延层上形成粗糙的马赛克图形。 ...
1980年提出的台阶流生长模型此对外延的发展、对外延的质量都起到了非常重要的作用。它的出现首先是生长温度,可以在相对低的温度下实现生长,同时对于我们功率器件感兴趣的4H晶型来说,可以实现非常稳定的控制。 ...
液相色谱-串联质谱法制订74饲料中胆汁酸的测定制订75饲料总能的测定 氧弹量热法制订76空间数据与信息传输系统 深空测控伪码测距技术要求制订77山核桃坚果修订78镍及镍合金板修订79空间数据与信息传输系统 航天器CAN总线通信协议制订80钨化学分析方法 第2部分:铋和砷含量的测定修订81高纯镓修订82半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类制订83旅居车辆...
SiC 衬底:SiC 晶体通常用 Lely 法制造,国际主流产品正从 4 英寸向 6 英寸过渡,且已经开发出 8 英寸导电型衬底产品,国内衬底以4 英寸为主。由于现有的 6 英寸的硅晶圆产线可以升级改造用于生产 SiC 器件,所以 6 英寸 SiC 衬底的高市占率将维持较长时间。 SiC 外延:通常用化学气相沉积(CVD)方法制造,根据不同的掺杂类型,分为 n 型、p 型外延片。...
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